EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
碳化硅
碳化硅 文章 進(jìn)入碳化硅技術(shù)社區
一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)和導通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著(zhù)提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車(chē)空調、新能
- 關(guān)鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET
電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
- 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問(wèn)題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時(shí)的溫度，分析兩個(gè)電驅逆變模塊驗證，該測溫系統的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個(gè)模塊內的裸片。我們將從實(shí)驗數據中提取一個(gè)數學(xué)模型，根據Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動(dòng)汽車(chē)常用的電壓和功率范圍內時(shí)的熱不平衡現象。此外，我們還能夠延長(cháng)測試時(shí)間，以便分析在電動(dòng)汽車(chē)生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
- 關(guān)鍵字： 電驅逆變器 碳化硅 電動(dòng)汽車(chē) 大功率
天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗收
- 作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P(guān)注。近日，天岳先進(jìn)上?；仨椖颗读俗钚逻M(jìn)展，再次成為焦點(diǎn)。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區的生產(chǎn)基地第一個(gè)項目完成驗收，意味著(zhù)該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴產(chǎn)據悉，天岳先進(jìn)上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規劃投資25億元，項目全部達產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年。從投資規模和產(chǎn)能規劃來(lái)看，上?；仨椖坑型屘煸老冗M(jìn)的市場(chǎng)地位再進(jìn)一步。近年來(lái)
- 關(guān)鍵字： 天岳先進(jìn) 碳化硅
意法半導體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
- ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長(cháng)期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個(gè)園區內完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)的電氣化進(jìn)程和高能效轉型服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 碳化硅
ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠(chǎng)
- 自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當地時(shí)間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠(chǎng)，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠(chǎng)的建設是支持汽車(chē)、工業(yè)和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶(hù)向電氣化過(guò)渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠(chǎng)的目標是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達到滿(mǎn)負荷生產(chǎn)，滿(mǎn)產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達15,000
- 關(guān)鍵字： ST 意大利 碳化硅
布局海外市場(chǎng)，兩家半導體企業(yè)開(kāi)展合作
- 根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：三福半導體）簽署戰略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導體聯(lián)合實(shí)驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動(dòng)技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)，目前已成功開(kāi)發(fā)了IGBT和SiC智能驅動(dòng)模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應用領(lǐng)域涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進(jìn)技術(shù)研發(fā)、成果轉移轉化
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 化合物半導體
這家GaN外延工廠(chǎng)開(kāi)業(yè)!
- 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類(lèi)利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設等動(dòng)作，不時(shí)有新動(dòng)態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個(gè)月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開(kāi)區再制造基地正式開(kāi)工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬(wàn)元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線(xiàn)。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個(gè)GaN外延片項目取得新進(jìn)展。5
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì )即將啟動(dòng)
- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動(dòng)汽車(chē)應用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會(huì )。該系列研討會(huì )將針對汽車(chē)電氣化和智能化以及工業(yè)市場(chǎng)可持續性能源發(fā)展的廣泛應用場(chǎng)景，共同探討最新的能效設計挑戰，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進(jìn)功率半導體技術(shù)的落地，實(shí)現應用系統的最佳能效。在中國，市場(chǎng)對SiC的需求強勁，應用場(chǎng)景日益多樣化。新能源
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅 功率解決方案
碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數據底座
- 隨著(zhù)人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動(dòng)駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動(dòng)原材料與設備2000億級產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設備制造業(yè)轉型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實(shí)現第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 浪潮信息 MES 核心數據底座
Power Integrations升級你的電池管理系統
- 電池組，無(wú)疑是電動(dòng)汽車(chē)心臟般的存在，它不僅是車(chē)輛動(dòng)力之源，更是決定車(chē)輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動(dòng)汽車(chē)中最昂貴的單個(gè)組件，電池組承載了車(chē)輛行駛所需的大部分能量，而其內部的每一個(gè)電池單元都需要經(jīng)過(guò)精密的監測和控制，以維持其長(cháng)久且安全的使用壽命。電池管理系統（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實(shí)時(shí)監控每一個(gè)電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實(shí)時(shí)報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準確了
- 關(guān)鍵字： BMS 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅 Power Integrations
全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，以及一些實(shí)用設計技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC MOSFET
小米首款汽車(chē)發(fā)售，碳化硅加速前行
- 3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標準版，售價(jià)21.59萬(wàn)元；小米SU7 Pro版，售價(jià)24.59萬(wàn)元；小米SU7 Max版，售價(jià)29.99萬(wàn)元。圖片來(lái)源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng )始人雷軍正式宣告小米造車(chē)。近三年時(shí)間過(guò)去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應商也浮出水面，既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商，也包含了比亞迪、寧德時(shí)代、揚杰科技等本土供應鏈廠(chǎng)商。芯片領(lǐng)域，英偉達為小米汽車(chē)提供自動(dòng)駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
- 關(guān)鍵字： 小米 汽車(chē) 碳化硅
華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機會(huì )
- 華泰證券發(fā)布研報稱(chēng)，在3月20日-3月22日開(kāi)展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會(huì ))上，華泰證券與數十家國內外頭部半導體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠(chǎng)商持續推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設備：AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求，測試機國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案，AI大模型出現可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長(cháng)?！ ∪A泰證券主要觀(guān)點(diǎn)如下：
- 關(guān)鍵字： 元宇宙 AR VR 碳化硅 先進(jìn)封裝
意法半導體碳化硅數位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應器設計及應用
- 服務(wù)橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）近日宣布與高效能電源供應領(lǐng)導廠(chǎng)商肯微科技合作，設計及研發(fā)使用ST被業(yè)界認可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設計技術(shù)。該參考方案是電源設計數位電源轉換器應用的理想選擇，尤其在服務(wù)器、數據中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著(zhù)人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對數位服務(wù)的需求持續成長(cháng)，能源及用電控制是數據中心永續發(fā)展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設計適用于3k
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 碳化硅 數字電源 數位電源 電源 肯微
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發(fā)現
愛(ài)德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。
性質(zhì)
碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]
碳化硅電路
碳化硅相關(guān)帖子
碳化硅資料下載
碳化硅專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473