全球半導體第一季產(chǎn)能利用率上升
—— 平均利用率上升至93.7%
根據半導體協(xié)會(huì )(SIA)最新調查顯示,2011年第1季全球半導體產(chǎn)能平均利用率上攀93.7%,較2010年第4季的92.9%再度向上攀升,此外,就個(gè)別領(lǐng)域來(lái)看,絕大多數半導體元件產(chǎn)能利用率均超過(guò)90%。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/121112.htm與2010年第4季相較,產(chǎn)能利用率數據變動(dòng)較大的領(lǐng)域則是在MOS類(lèi)別里,包括了0.18微米、0.15微米和0.13微米等制程,此外,在晶圓代工領(lǐng)域的產(chǎn)能利用率數據變動(dòng)也相對較高。
此外,2011年第1季8寸晶圓產(chǎn)能利用率達到89.6%,而12寸晶圓的產(chǎn)能利用率則高達97.0%。
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