光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

　　他表示：“除了EUV耗電量之外，最大的問(wèn)題就是EUV光刻用光掩膜版的襯底制作技術(shù)，以及光源功率的問(wèn)題。我個(gè)人認為這兩個(gè)問(wèn)題是很難搞定的。”

　　EUV光刻技術(shù)相比現有的193nm液浸式光刻+雙重成像技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)193i+DP)的組合在刻制小尺寸圖像時(shí)有許多優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)勢不僅僅存在于與193i+DP技術(shù)昂貴的成本的對比中。Wood在會(huì )上展示了兩張分別使用193i+DP和EUV光刻機刻制的電路圖像，并稱(chēng)EUV光刻機在系統的k1值僅0.74，NA數值孔徑值為0.25的水平上，刻制出的圖像要比k1值0.28，NA值1.35的193i+DP所刻制的圖像質(zhì)量高很多。

　　液浸式光刻系統的k1值極限約在0.25左右，超過(guò)這個(gè)限值，光阻膠的對比度參數便會(huì )急劇下降，因此“刻制10nm制程芯片(電路圖像半節距尺寸為20nm)時(shí)，要想繼續使用193i光刻(原文為ArF光刻，其實(shí)就是指193nm光刻)技術(shù)，其實(shí)現難度會(huì )非常之大。”

　　掩膜坯瑕疵問(wèn)題仍需改進(jìn)：

　　另外，要制作出無(wú)瑕疵的掩膜坯(mask blank：即尚未刻出圖案的掩膜板)則是另外一個(gè)EUV光刻技術(shù)走向成熟需要解決的主要問(wèn)題。“經(jīng)過(guò)多年研究，業(yè)內制作光掩膜襯底的瑕疵水平已經(jīng)達到每片24個(gè)瑕疵，這樣的瑕疵控制水平對存儲用芯片的制造來(lái)說(shuō)已經(jīng)可以滿(mǎn)足要求，但是仍無(wú)法滿(mǎn)足制作邏輯芯片的要求。”

　　并非一片漆黑：

　　當然EUV光刻技術(shù)也取得了許多成效。比如ASML公司便如期完成的既定的機臺制造銷(xiāo)售計劃，而IMEC,三星，Intel這三家公司則被認為是ASML生產(chǎn)的NXE: 3100的最早一批用戶(hù)。其中IMEC所安裝的NXE: 3100機型采用的是Xtreme公司生產(chǎn)的DPP光源系統;而三星所安裝的那臺則使用的是Cymer公司的LPP光源系統。

　　Wood表示，這種光刻機的性能表現已經(jīng)超過(guò)了人們的預期。EUV光刻機的光學(xué)路徑上共設有11個(gè)反射源，每一個(gè)反射鏡都必須盡可能地將照射到鏡片上的光反射出去，鏡片本身則要最小限度地吸收光能量。“對EUV光刻系統的鏡片而言，反射率變動(dòng)1%便是很高水平的變動(dòng)了。”他同時(shí)贊揚了Zeiss, 尼康以及佳能等鏡片制作公司在這方面的優(yōu)異表現。

　　EUV技術(shù)的未來(lái)發(fā)展路徑：

　　到2013年，6反射鏡設計的EUV光刻系統的數值孔徑NA可從現有的0.25水平增加到0.32(通過(guò)增大鏡徑等手段).再進(jìn)一步發(fā)展下去，8反射鏡設計，并采用中心遮攔(central obscuration)技術(shù)的EUV光刻系統的NA值則可達到0.7左右。

　　再進(jìn)一步應用La/B4C材料制作反射鏡涂層，還可以允許將EUV光刻系統的光波波長(cháng)進(jìn)一步減小到6.67nm。將高NA值與更短波長(cháng)光波技術(shù)結合在一起，EUV光刻技術(shù)的應用可推進(jìn)到10nm以上等級制程。