三星晶圓代工28納米低功率制程通過(guò)認證

　　韓國半導體大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)于美國時(shí)間6日發(fā)出新聞稿表示，該公司旗下晶圓代工部門(mén)之28納米低功率(low-power;LP)、高介電/金屬閘極 (high-k metal gate)制程已經(jīng)通過(guò)認證，目前已準備好可以導入正式投產(chǎn)。

　　此外，三星電子也提供28納米LPH高介電/金屬閘極制程科技服務(wù)。據悉，28納米LPH制程是特別開(kāi)發(fā)用來(lái)打造運算速度超過(guò)2GHz的行動(dòng)裝置應用。

　　三星表示，28納米LPH制程科技可望降低6成以上的耗電量，或者是在與45納米LP系統單芯片制程設計比較時(shí)，可望提高55%以上的運算效能。