氧化物TFT成為今年IDW主角

　　東芝：通過(guò)中間退火工藝來(lái)確?？煽啃?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/115320.htm

　　東芝發(fā)表了通過(guò)優(yōu)化中間退火工藝確保了可靠性的IGZO TFT(演講編號：AMD9-2)。TFT的構造為帶有刻蝕阻擋層的反錯列型(Inverted Staggered Type)。與形成S/D金屬后在N2氣體中進(jìn)行250℃最終退火不同，此次是在形成刻蝕阻擋層后加入了320℃中間退火工序，使可靠性得到了提高。雖然個(gè)人認為通過(guò)追加中間退火來(lái)提高可靠性是較為合理的做法，但還有不同見(jiàn)解認為，“通過(guò)在2%的H2中進(jìn)行200℃混合氣體退火，也可憑借陷阱密度的減少使可靠性得到改善”。

　　東芝利用該IGZO TFT試制了有機EL面板。面板的指標如下。3.0英寸，160×RGB×120像素，像素電路為簡(jiǎn)單的2T 1C，底面發(fā)光型，采用“白色有機EL+彩色濾光片”方式。開(kāi)口率為40%。發(fā)光范圍內(36點(diǎn)檢測)的發(fā)光均一度為1.1%(50cd/m2)，TFT的均一性出色，無(wú)需配備偏差補償電路。

　　工藝開(kāi)發(fā)趨勢日益明顯

　　此次的IDW凸顯出了氧化物TFT在工藝開(kāi)發(fā)上的大趨勢。在非結晶硅及多結晶硅TFT領(lǐng)域，業(yè)界正在開(kāi)發(fā)通過(guò)氫化處理填充懸空鍵后盡量去除氫的工藝，而在氧化物TFT方面，由于氫會(huì )導致氧缺陷，因此還需要開(kāi)發(fā)盡量減少氫影響的工藝。由不得不加入的氫所導致的缺陷必須要通過(guò)后退火進(jìn)行恢復。相反，只要能夠充分控制這一氫影響，實(shí)用化就只是時(shí)間問(wèn)題了。