半導體存儲器廠(chǎng)商恢復大型設備投資

　　2010年在半導體存儲器業(yè)界，各廠(chǎng)商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此，市場(chǎng)上的份額競爭再次變得激烈起來(lái)。 2008～2009年導致各廠(chǎng)商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰。技術(shù)方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開(kāi)發(fā)也越來(lái)越活躍。

　　象征著(zhù)半導體存儲器業(yè)界的設備投資出現恢復跡象的，是東芝開(kāi)工建設NAND閃存新工廠(chǎng)。東芝預定2009年春季開(kāi)工建設的“Fab5”延期很久之后，終于定于2010年7月開(kāi)始動(dòng)工。該工廠(chǎng)為東芝與美國晟碟(SanDisk)對半出資，最快將于2011年夏季投入使用。決定建設該工廠(chǎng)是因為，隨著(zhù)智能手機和平板終端等新應用的出現，預計NAND閃存的需求將長(cháng)期大幅增長(cháng)。韓國三星電子及韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)等競爭企業(yè)也相繼進(jìn)行了NAND閃存的增產(chǎn)投資。

　　NAND閃存的微細化競爭從2010年開(kāi)始進(jìn)入了2Xnm工藝。在2Xnm工藝閃存的量產(chǎn)中先行一步的是美國美光科技(Micron Technology)與英特爾的合資企業(yè)。盡管兩家公司涉足NAND閃存較晚，但通過(guò)果斷采取微細化戰略，目前已經(jīng)領(lǐng)先于其他公司。三星、海力士以及東芝與晟碟的合資企業(yè)緊隨其后，也開(kāi)始量產(chǎn)2Xnm工藝閃存，形成了四分天下的格局。NAND閃存在1Xnm左右工藝中即將達到微細化極限，各公司紛紛開(kāi)始加速開(kāi)發(fā)“后NAND”。東芝計劃在動(dòng)工建設的Fab5中，在第二期開(kāi)始量產(chǎn)后NAND。

　　2008～2009年，DRAM廠(chǎng)商全部出現大幅虧損，隨著(zhù)供需平衡的改善，2010年上半年出現明顯改善。爾必達存儲器2010年4～6月的銷(xiāo)售額和營(yíng)業(yè)利潤均創(chuàng )下了單季度歷史最高記錄。在這種背景下，各公司開(kāi)始進(jìn)行增產(chǎn)。進(jìn)入2010年下半年后，價(jià)格隨之轉為下降，各廠(chǎng)商的出色業(yè)績(jì)開(kāi)始籠罩上一層陰影。

　　目前，DRAM廠(chǎng)商的主戰場(chǎng)是個(gè)人電腦，今后還將包括智能手機和平板終端。2010年是這一趨勢逐漸明確的一年。各廠(chǎng)商均推出了用于這些用途的低功耗DRAM產(chǎn)品。

　　DRAM的微細化競爭在2010年進(jìn)入了3Xnm工藝。量產(chǎn)方面，三星與爾必達存儲器已領(lǐng)先于其他公司。針對2Xnm以下的微細化極限，DRAM廠(chǎng)商與NAND閃存廠(chǎng)商一樣、開(kāi)始致力于新存儲器的開(kāi)發(fā)。比如，爾必達存儲器聯(lián)手夏普、東京大學(xué)及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所，共同進(jìn)行Gbit級可變電阻式存儲器(ReRAM)的開(kāi)發(fā)。