Imec攜手三井化學(xué)，推動(dòng)EUV碳納米管光罩保護膜商用

12月23日消息，據日本媒體報道，比利時(shí)微電子研究中心（imec）攜手日本化工及極紫外光（EUV）光罩保護膜大廠(chǎng)三井化學(xué)共同宣布，為了推動(dòng)針對EUV光刻的碳納米管（CNT）光罩保護膜技術(shù)商業(yè)化，雙方正式建立策略伙伴關(guān)系。

據了解，光罩保護膜是一種薄膜，可保護EUV光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響，這對于 5nm或以下節點(diǎn)制程的先進(jìn)制程技術(shù)的良率表現至關(guān)重要。另外，光罩保護膜也是一種需要定期更換的消耗品，而由于 EUV光刻設備的光源波長(cháng)較短，因此保護膜需要較薄厚度來(lái)增加透光率。目前光罩保護膜主要供應商是荷蘭ASML，日本三井化學(xué)、信越化學(xué)，韓國S&S Tech、FST等。

imec表示，此次合作，三井化學(xué)將把imec根據碳納米管所研發(fā)的創(chuàng )新光罩保護膜技術(shù)，整合至三井化學(xué)的光罩保護膜技術(shù)，目標是實(shí)現能夠全面投產(chǎn)的規格，預計將在2025~2026年導入高功率的極紫外光（EUV）系統。此次簽約于2023 SEMICON Japan日本國際半導體展期間在東京進(jìn)行。

imec強調，雙方的戰略伙伴關(guān)系旨在共同開(kāi)發(fā)曝光薄膜及EUV光罩保護膜，其中將由imec提供技術(shù)咨詢(xún)與EUV光刻機測試，三井化學(xué)進(jìn)行商用生產(chǎn)。這些光罩護膜被設計用來(lái)保護光罩在EUV曝光時(shí)免受污染，不僅具備很高的EUV穿透率（≧94%）和極低的EUV反射率，對曝光的影響也能控制到最小，這些都是要讓先進(jìn)半導體制造達到高良率和高產(chǎn)量所需的關(guān)鍵性能。這些碳納米管（CNT）光罩保護膜甚至還能承受超過(guò)1kW等級的極紫外光（EUV）輸出功率，有助于發(fā)展新一代（高于600W）的極紫外光源技術(shù)。將在量產(chǎn)導入EUV光刻技術(shù)的廠(chǎng)商對這些性能產(chǎn)生濃厚興趣。因此，此次合作的雙方將攜手開(kāi)發(fā)可供商用的碳納米管（CNT）光罩保護膜技術(shù)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

imec先進(jìn)圖形化制程與材料研究計劃的資深副總Steven Scheer表示：“在協(xié)助半導體生態(tài)系發(fā)展新世代微影技術(shù)方面，imec擁有多年經(jīng)驗。從2015年開(kāi)始，我們與整個(gè)供應鏈的伙伴們建立了合作，為先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)碳納米管（CNT）光罩保護膜的創(chuàng )新設計。我們有信心在測量、特征化、碳納米管（CNT）薄膜特性和性能方面，我們所掌握的深度知識將能加速三井化學(xué)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。通過(guò)合作，我們希望能為新一代EUV光刻技術(shù)推動(dòng)碳納米管（CNT）光罩保護膜的生產(chǎn)?！?/p>

imec進(jìn)一步指出，在此光刻技術(shù)發(fā)展藍圖下，新型光罩保護膜預計于2025~2026年推出，屆時(shí)ASML開(kāi)發(fā)的新一代0.33數值孔徑（NA）光刻系統也將能支持輸出功率超過(guò)600W的曝光源。

編輯：芯智訊-林子