尼康宣布推出ArF浸沒(méi)式光刻機NSR-S636E，生產(chǎn)效率提升15%

12月9日消息，根據日本光刻機大廠(chǎng)尼康（Nikon）官方消息，其將于2024年1月正式發(fā)布ArF浸沒(méi)式光刻機NSR-S636E。尼康稱(chēng)，作為半導體生產(chǎn)過(guò)程中關(guān)鍵層的曝光系統，NSR-S636E具有尼康歷史上更高的生產(chǎn)效率，并具有高水準的套刻精度和生產(chǎn)速度，可為尖端半導體器件中的 3D 等器件結構多樣化的挑戰提供解決方案。

尼康在新聞稿中表示，隨著(zhù)數字化轉型的加速，能夠更快的處理和傳輸大量數據的高性能半導體變得越來(lái)越重要。而生產(chǎn)先進(jìn)半導體的技術(shù)創(chuàng )新關(guān)鍵在于推動(dòng)電路圖案微縮和3D半導體結構，而ArF浸沒(méi)式曝光機對于這兩種制成技術(shù)都至關(guān)重要。因為與傳統半導體相較，3D半導體制造過(guò)程中更容易發(fā)生晶圓翹曲和變形，因此需要比以往更先進(jìn)的曝光機進(jìn)行校正和補償功能。

尼康稱(chēng)，NSR-S636E ArF浸沒(méi)式曝光機采用增強型iAS，該創(chuàng )新系統可利用在高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能上，達成了高重疊精度（MMO≤2.1 nm）。曝光面積為26毫米×33毫米，生產(chǎn)速度則是增加到每小時(shí)280片，加上減少停機時(shí)間，使得其與當前型號相比，整體生產(chǎn)率提高了10~15%，已達到尼康光刻設備中最高的生產(chǎn)效率。

此外，尼康還表示，該光刻系統在不犧牲生產(chǎn)效率的情況下，在需要高重疊精度的半導體制造技術(shù)中具有優(yōu)異的性能，例如3D半導體。該公司表示，將針對先進(jìn)邏輯和內存、以及CMOS圖象感測器和3D NAND等3D半導體的多樣化需求，已經(jīng)提出最佳解決方案。

在1990年代之前，尼康和佳能曾在光刻機市場(chǎng)上拿下主導地位。但隨著(zhù)尼康和佳能在技術(shù)路線(xiàn)選擇上的錯誤，而ASML在193nm浸沒(méi)式光刻機系統在市場(chǎng)大獲成功，迅速崛起，并成功壟斷了更為先進(jìn)的EUV光刻機，目前ASML已經(jīng)成為了全球光刻機市場(chǎng)的絕對霸主。

根據統計數據顯示，2020年全球半導體光刻機總銷(xiāo)量約413臺，銷(xiāo)售額約130億美元，其中用于晶圓制造的基本均為ASML、尼康和佳能三家公司的產(chǎn)品。如果以銷(xiāo)量來(lái)看，ASML銷(xiāo)售258臺占比62%（其中EUV光刻機出貨量已經(jīng)達到 31臺），佳能銷(xiāo)售122臺占比30%，尼康銷(xiāo)售33臺占比8%；如果以銷(xiāo)售額來(lái)看，ASML的份額高達近90%。

近年來(lái)，尼康和佳能也主要生存于價(jià)格相對低廉的成熟制程所需的光刻設備市場(chǎng)。

尼康曾表示，將于2024年夏季推出用于成熟技術(shù)的曝光機新產(chǎn)品。其使用了早在1990年代初就已經(jīng)實(shí)用化，被稱(chēng)為「i-line」的老一代光源技術(shù)。尼康強調，這是著(zhù)眼于制造功率半導體等產(chǎn)品的需求。市場(chǎng)觀(guān)點(diǎn)表示，尼康使用成熟的電子零組件與技術(shù)，價(jià)格將能比競爭對手便宜2~3成左右。

在光刻機市場(chǎng)競爭乏力的佳能，今年也開(kāi)始轉向不同于光刻的另一條技術(shù)路線(xiàn)。

今年10月中旬，佳能公司宣布開(kāi)始銷(xiāo)售基于“納米壓印”（Nanoprinted lithography，NIL）技術(shù)的芯片生產(chǎn)設備 FPA-1200NZ2C。佳能表示，該設備采用不同于復雜的傳統光刻技術(shù)的方案，該設備在不用EUV光刻機的情況下制造5nm芯片。

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編輯：芯智訊-浪客劍