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v-nand 文章 進(jìn)入v-nand技術(shù)社區
兆易創(chuàng )新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V內核的GD32VW553系列雙模無(wú)線(xiàn)微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無(wú)線(xiàn)連接，以先進(jìn)的射頻集成、強化的安全機制、大容量存儲資源以及豐富的通用接口，結合成熟的工藝平臺及優(yōu)化的成本控制，為需要高效無(wú)線(xiàn)傳輸的市場(chǎng)應用持續提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個(gè)型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項，現已開(kāi)放樣片和開(kāi)發(fā)板卡申請，并將于12
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng )新 RISC-V GD32VW553 雙模 無(wú)線(xiàn) 微控制器
三星西安工廠(chǎng)工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設備
- 據悉，三星電子經(jīng)營(yíng)高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠(chǎng)，為完成工廠(chǎng)制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開(kāi)始引進(jìn)新設備。西安工廠(chǎng)是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開(kāi)始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬(wàn)張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠(chǎng)內部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。2022 年 1
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND
第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預估8~13%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)集邦咨詢(xún)研究顯示，由于供應商嚴格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠(chǎng)仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域對Enterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠(chǎng)及模組廠(chǎng)均積極漲價(jià)，促使PC OEM欲在價(jià)格相對低點(diǎn)預備庫存，采購量會(huì )較實(shí)際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷(xiāo)，故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
SiFive宣布推出針對生成式AI/ML應用的差異化解決方案,引領(lǐng)RISC-V進(jìn)入高性能創(chuàng )新時(shí)代
- RISC-V 運算的先驅和領(lǐng)導廠(chǎng)商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品，旨在滿(mǎn)足高性能運算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準的低功耗、運算密度和矢量運算能力，三者結合起來(lái)將為日益增長(cháng)的資料密集型運算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng )建了標量和矢量運算的強大組合，可滿(mǎn)足現今數據流和運算密集型人工智能應用于消費性、車(chē)用和基礎設施市場(chǎng)的需求。在圣克拉拉舉行的現場(chǎng)新聞和分析師活動(dòng)上，SiFive 同時(shí)也宣布
- 關(guān)鍵字： SiFive 生成式AI RISC-V
中國移動(dòng)發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構的 Cat.1 通信模組 ML305M
- IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì )上首次亮相。據介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開(kāi)發(fā)。CM8610 是國內首顆基于 64 位 RISC-V 內核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡(jiǎn) BOM 設計，edrx 待機電流達到 0.74mA，最小接收靈敏度達到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
- 關(guān)鍵字： RISC-V 中國移動(dòng) LTE
三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠(chǎng)提供半導體設備，該決定一經(jīng)通報即生效。據悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長(cháng)對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
存儲芯片，果真回暖了
- 受需求放緩、供應增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAN
- 關(guān)鍵字： NAND SSD DRAM
RISC-V技術(shù)成為中美技術(shù)戰爭新戰場(chǎng)
- 在中美科技戰的新戰線(xiàn)上，拜登政府正面臨一些立法者的施壓，要求限制美國公司開(kāi)發(fā)在中國廣泛使用的免費芯片技術(shù)，此舉可能會(huì )顛覆全球科技行業(yè)的跨境合作方式。?爭論的焦點(diǎn)是RISC-V，發(fā)音為“風(fēng)險五”，這是一種開(kāi)源技術(shù)，與英國半導體和軟件設計公司Arm Holdings（O9Ti.F）的昂貴專(zhuān)有技術(shù)競爭。RISC-V可以用作從智能手機芯片到人工智能高級處理器的任何產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。?一些議員——包括兩位共和黨眾議院委員會(huì )主席、共和黨參議員馬爾科·盧比奧和民主黨參議員馬克·華納——以國家安全為由，
- 關(guān)鍵字： RISC-V 芯片法案
1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續
- 盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠(chǎng)對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠(chǎng)，因此1γ制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，未來(lái)日本廠(chǎng)也有望導入EUV
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲
消息稱(chēng)三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格
- 10 月 6 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價(jià)格過(guò)低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價(jià)格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來(lái)，三星一直奉行減產(chǎn)戰略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開(kāi)始著(zhù)手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND flash 漲價(jià)
中美科技戰新戰場(chǎng)！RISC-V開(kāi)源芯片技術(shù)成焦點(diǎn)
- 中美科技競爭又有新動(dòng)向。美國政府正面臨國會(huì )壓力，要求限制美國企業(yè)投入RISC-V的開(kāi)源芯片技術(shù)發(fā)展，目前RISC-V的開(kāi)源性使得這項技術(shù)在中國大陸獲得廣泛的應用以及發(fā)展，但如果禁止的話(huà)，可能對全球科技業(yè)的跨國合作造成沖擊。據《路透社》6日報導， 這一次的爭議焦點(diǎn)主要集中在RISC-V上，這是一種開(kāi)放原始碼架構，與英國的安謀國際科技公司（Arm Holdings）的競爭激烈。RISC-V可應用于智能手機芯片到先進(jìn)人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國會(huì )議員以國家安全為由，敦促拜登政府針對RISC-V問(wèn)題采取行動(dòng)，
- 關(guān)鍵字： RISC-V 開(kāi)源芯片
面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略
- 面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略據韓國新聞媒體報道，隨著(zhù)拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節點(diǎn)能力來(lái)針對國內需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見(jiàn)。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來(lái)10年內避免在中國進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補貼接受者在
- 關(guān)鍵字： CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
集邦咨詢(xún)：2023Q4 NAND 價(jià)格預估增長(cháng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(cháng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(cháng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復蘇的希望。根據集邦咨詢(xún)報道，伴隨著(zhù)主要存儲制造商的持續減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì )上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現，消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現反彈，9 月繼續上漲。行業(yè)巨頭三星繼續減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)7.4%，預期第三季將成長(cháng)逾3%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第二季NAND Flash市場(chǎng)需求仍低迷，供過(guò)于求態(tài)勢延續，使NAND Flash第二季平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）續跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長(cháng)達19.9%，合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)7.4%，營(yíng)收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià)，供過(guò)于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過(guò)，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應商家數多，在庫存仍高的情
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠(chǎng)宣布開(kāi)源！
- 隨著(zhù)PD3.1協(xié)議的市場(chǎng)應用越來(lái)越多，市場(chǎng)對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求，如何更好地確保協(xié)議的穩定性的同時(shí)增加更多系統級功能，這對傳統PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰。廣芯微電子宣布開(kāi)源基于RISC-V內核的PD控制器，以支持客戶(hù)更好地部署快充系統和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng )新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強的外設和廣泛的系統資源，在
- 關(guān)鍵字： RISC-V 快充協(xié)議
v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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