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v-nand 文章 進(jìn)入v-nand技術(shù)社區
為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻，Entegris用了哪些方法？
- 當前，我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程，在這里催生了很多新技術(shù)和新市場(chǎng)，比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵、互相融合，共同推動(dòng)半導體行業(yè)不斷發(fā)展，從而改變人類(lèi)的生活方式。
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) Entegris 3D NAND
NAND價(jià)格走跌，2019年P(guān)CIe SSD市場(chǎng)發(fā)展潛力巨大
- Admin 固態(tài)硬盤(pán) 今天由于NVMe的價(jià)格溢價(jià)下降，預計今年P(guān)CIe連接驅動(dòng)器的銷(xiāo)售量將與SATA固態(tài)硬盤(pán)達到同等水平?！ 蟮?，固態(tài)硬盤(pán)(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價(jià)正在推動(dòng)市場(chǎng)兩端的銷(xiāo)售。制造商正在為相對有利可圖的企業(yè)和數據中心用例定制新的解決方案，而客戶(hù)端SSD的低成本正在推動(dòng)OEM廠(chǎng)商的采用率，以包含在PC中?！ 「鶕搱蟾?，最引人注目的是，512 GB固態(tài)硬盤(pán)的單價(jià)與2018年同期的256 GB固態(tài)硬盤(pán)相匹配，預計到2019年剩余時(shí)間內固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將從512 GB降
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
集邦咨詢(xún)：受惠需求回溫及產(chǎn)能調節，第二季NAND Flash合約價(jià)跌幅略有收斂
- Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機換機周期延長(cháng)、蘋(píng)果新機銷(xiāo)售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類(lèi)NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉為供過(guò)于求以來(lái)跌幅最劇的一季?！ ≌雇诙?，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應商
- 關(guān)鍵字： NAND UFS SSD
東芝和西數正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市
- 根據外媒的報道，東芝及其戰略盟友西部數據準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5?！ 榻B，芯片將實(shí)現TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔心。該芯片的數據密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實(shí)現商業(yè)化生產(chǎn)?！ 蟮?，新芯片每單位信道的寫(xiě)入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
- 關(guān)鍵字： 東芝 西數 NAND
中國將增加在美半導體采購量？韓媒：不太容易
- 據businesskorea報道，中國計劃在未來(lái)六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元)，大約是目前水平的五倍?！ ∪欢?，許多專(zhuān)家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴(lài)?！ №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因?！ ∈紫?，中國沒(méi)有提及將購買(mǎi)哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒(méi)有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導體芯片，無(wú)論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下，很難預測對韓國企業(yè)的影響。
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
韓媒：存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國企業(yè)或放緩前進(jìn)步伐
- 根據韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來(lái)低迷，存儲器產(chǎn)品價(jià)格下跌，各大存儲器廠(chǎng)商先后宣布降低產(chǎn)量以來(lái)，雖然三星仍然穩坐半導體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?！ o(wú)獨有偶，SK海力士等廠(chǎng)商的日子也不好過(guò)。頭部廠(chǎng)商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠(chǎng)商又將面對怎樣的未來(lái)呢?
- 關(guān)鍵字： 存儲器，NAND
集邦咨詢(xún)：供需失衡態(tài)勢難止，NAND Flash供應商2019年資本支出年減2%
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過(guò)于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務(wù)器等主要需求表現仍難見(jiàn)起色，預計產(chǎn)能過(guò)剩難解。在此情況下，供應商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進(jìn)程，避免位元成長(cháng)過(guò)多導致過(guò)剩狀況加劇?！ RAMeXchange調查指出，2018年因供過(guò)于求難以遏制，韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調近10%，但供需失衡的情形仍無(wú)法逆轉。2019年美系廠(chǎng)商減少資本支出，使得NAND
- 關(guān)鍵字： NAND 東芝
中天弘宇：攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生
- 閃存是當今數據存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著(zhù)半導體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規模應用的關(guān)鍵。不過(guò)，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過(guò)了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng )新，也可以說(shuō)是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
- 關(guān)鍵字： NOR NAND 存儲器
半導體設備廠(chǎng)商競爭格局生變？
- 半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒(méi)有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調轉，排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危?！ ∽?990年以來(lái)，應用材料公司一直是半導體設備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！ ?016年，應用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam
- 關(guān)鍵字： ASML NAND
突破瓶頸，英特爾重塑數據中心存儲架構
- 2018年12月11日，以“智數據·創(chuàng )未來(lái)”為主題的2018中國存儲與數據峰會(huì )在北京拉開(kāi)帷幕。作為中國數據與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會(huì )匯集了全球近百位來(lái)自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專(zhuān)家，就數據洪流時(shí)代下，企業(yè)如何實(shí)施數據戰略、深挖數據價(jià)值，變數據資源為實(shí)現更廣泛商業(yè)價(jià)值的數據資產(chǎn)等話(huà)題展開(kāi)深入探討。
- 關(guān)鍵字： 數據 存儲 傲騰 QLC 3D NAND
AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續下跌
- 全球DRAM市場(chǎng)上，三星一家獨大，接著(zhù)是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠(chǎng)商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見(jiàn)大巫?！ ? DRAM連漲之后持續下跌 在DRAM內存漲價(jià)超過(guò)9個(gè)季度之后，內存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱(chēng)10月份DRAM現貨價(jià)格跌了10%，預計2019年還會(huì )繼續跌20%?！ ∈艽擞绊?，全球第四大內存芯片廠(chǎng)商南亞科
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
存儲領(lǐng)域競爭加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化
- 3D NAND的出現也是因為2D NAND無(wú)法滿(mǎn)足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類(lèi)型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步，厚度開(kāi)始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來(lái)了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因為工藝越先進(jìn)，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠(chǎng)商就需要采取額外手段彌補這一問(wèn)題，這必然會(huì )提高成本，以至于在達到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來(lái)的優(yōu)勢?！ ?D NAND將思路從提高制造工藝轉
- 關(guān)鍵字： 存儲 NAND
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