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v-nand 文章 進(jìn)入v-nand技術(shù)社區
全球首款可通話(huà)的 RISC-V 平板：深度數智 DC-ROMA 亮相，內置 AI 助手
- IT之家 11 月 10 日消息，為期三天的 RISC-V 北美峰會(huì ) 2023 落幕，在本次 RISC-V 峰會(huì )中，主辦方 RISC-V 基金會(huì )首次設立了 "LaunchPad" 環(huán)節，邀請各公司展示他們最新的產(chǎn)品或解決方案。國內的深度數智向與會(huì )者展示了最新成果 —— 全球第一款可通話(huà)的 RISC-V Pad。在展示現場(chǎng)，深度數智顧問(wèn)梁宇寧通過(guò)該平板給主持人 Tiffany 撥通了第一通電話(huà)。據介紹，這款名為 DC-ROMA 的 RISC-V Pad 搭載了 64b
- 關(guān)鍵字： RISC-V 無(wú)線(xiàn)通信 深度數智
Semidynamics和Arteris合作 加速 AI RISC-V 片上系統開(kāi)發(fā)
- 亮點(diǎn)摘要:- Arteris和Semidynamics合作，增強了RISC-V處理器IP對于系統IP的靈活性和高度可配置的互操作性。- 集成并優(yōu)化的解決方案將專(zhuān)注于加速人工智能、機器學(xué)習和高性能計算應用。- 2024年將形成一個(gè)演示平臺。 加利福尼亞州 坎貝爾 - 2023 年 11 月 2 日 - Arteris, Inc.（納斯達克股票代碼：AIP）是
- 關(guān)鍵字： Semidynamics Arteris AI RISC-V
Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布與國際著(zhù)名的先進(jìn)電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿(mǎn)足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(cháng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應用的關(guān)鍵需求是節省空間和減輕
- 關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應用 650 V 碳化硅 整流二極管
入局SSD主控芯片，平頭哥RISC-V鎮岳510賦能云計算
- 存儲是電子系統必不可少的功能單元，特別是伴隨著(zhù)數據價(jià)值的不斷提升，高性能大容量存儲的價(jià)值逐漸與計算能力并駕齊驅。特別是隨著(zhù)數據安全變得越來(lái)越重要，存儲單元的數據安全成為眾多云服務(wù)廠(chǎng)商無(wú)法回避的話(huà)題，存儲單元的主控芯片就是提升存儲安全性最關(guān)鍵的半導體器件。 在半導體細分領(lǐng)域中，存儲單元主控芯片是國產(chǎn)化率相比比較高的產(chǎn)品類(lèi)別，從USB Flash存儲到傳統的磁盤(pán)主控，甚至最新的SSD主控，國內廠(chǎng)商逐漸成為市場(chǎng)應用的主流，并且成功迫使曾經(jīng)的存儲主控芯片巨頭Marvel從中國市場(chǎng)倉皇而逃。隨著(zhù)大規模云計算和人工智
- 關(guān)鍵字： SSD 主控芯片 平頭哥 RISC-V 鎮岳510
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&北京中科昊芯科技有限公司
- 北京中科吳芯是一家基于RISC-V指令集架構，對標國外芯片的數字信號處理器專(zhuān)業(yè)供應商。作為中國科學(xué)院科技成果轉化企業(yè)，成立于2019年，經(jīng)歷4年多的時(shí)間已經(jīng)擁有10個(gè)系列，30多款芯片產(chǎn)品。產(chǎn)品具有廣闊的市場(chǎng)前景，可廣泛應用于工業(yè)控制及電機驅動(dòng)、數字電源、光伏、儲能、新能源汽車(chē)、消費電子、白色家電等領(lǐng)域。中科昊芯副總經(jīng)理兼創(chuàng )始人表示：“慕尼黑電子展對于中科昊芯來(lái)說(shuō)是比較重要的展會(huì )，這次也是帶來(lái)了兩款重磅產(chǎn)品——HXS320F280039C和HXS320F28379D?！盧ISC-V指令集架構作為一種開(kāi)源指
- 關(guān)鍵字： 中科昊芯 數字信號處理器 RISC-V DSP
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司
- 在本次展會(huì )上，東芯半導體也來(lái)到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷(xiāo)售，是目前國內少數可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪(fǎng)過(guò)東芯半導體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會(huì )上帶來(lái)了全線(xiàn)的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關(guān)鍵字： 東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
Codasip 700系列正式問(wèn)世,賦能定制計算!
- 如今，利用新的方法來(lái)創(chuàng )造差異化的產(chǎn)品是當今技術(shù)創(chuàng )新者們所追求的目標。當半導體擴展規律已經(jīng)顯示出極限時(shí)，我們該如何滿(mǎn)足對更高計算性能的需求？辦法只有一個(gè)：為特定需求定制計算。具體來(lái)說(shuō)滿(mǎn)足定制計算需要具備架構優(yōu)化、應用剖析、硬件/軟件協(xié)同優(yōu)化，以及建立在強大設計基礎上的領(lǐng)域專(zhuān)用加速等要素。這些要素加上盡可能簡(jiǎn)潔的設計流程以提高效率，并縮短上市時(shí)間，同時(shí)可以讓客戶(hù)掌握自主權并保持靈活性。用于定制計算的下一代RISC-V處理器 - Codasip全新700系列Codasip的全新700系列是一個(gè)可配置且可定制的R
- 關(guān)鍵字： Codasip 定制計算 RISC-V
SK 海力士
- 韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經(jīng)歷了又一個(gè)利潤率和收入下降的季度后，表現得很勇敢，強調了需求的逐步恢復，以及在今年早些時(shí)候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話(huà)會(huì )議上，首席財務(wù)官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長(cháng)，降低了銷(xiāo)售額的下降率。然而旗艦智能手機的發(fā)布和人工智能服務(wù)器部署的激增推動(dòng)了芯片需求。"我們相信，內存行業(yè)終于度過(guò)了嚴重的低迷期，正在進(jìn)入全面復蘇階段"。Kim指出，該公司的目標是通過(guò)考慮投資效率和
- 關(guān)鍵字： SK海力士 韓國 NAND
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個(gè)原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動(dòng)，華為Mate
- 關(guān)鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
RISC-V 領(lǐng)軍企業(yè) SiFive 大裁員：20% 員工被裁，大部分是工程師
- IT之家 10 月 25 日消息，RISC-V 生態(tài)系統中的關(guān)鍵公司之一 SiFive，正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的重組，這場(chǎng)重組主要是大規模裁員和業(yè)務(wù)重心轉移，這一舉動(dòng)給 SiFive 的未來(lái)以及其對 RISC-V 的貢獻帶來(lái)了不確定性。IT之家注意到，RISC-V 已經(jīng)成為制造微型低成本核心的熱門(mén)選擇，但也有一些公司研發(fā)高性能的基于 RISC-V 的產(chǎn)品，SiFive 就是這樣一家公司，該公司提供現成的設計，也根據客戶(hù)的需求制作定制核心。但今天 SiFive 發(fā)布聲明稱(chēng)，正在裁減約 20% 的員工（約
- 關(guān)鍵字： RISC-V SiFive
NAND閃存市場(chǎng)，開(kāi)始洗牌
- 最近，鎧俠和西部數據的合并已經(jīng)傳來(lái)消息，或將于本月達成合并協(xié)議。當初，業(yè)內聽(tīng)到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數據排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動(dòng)存儲市場(chǎng)。具體來(lái)看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數據這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門(mén)，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數量的股份后，西部數據將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
- 關(guān)鍵字： NAND
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱(chēng)，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠(chǎng)們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠(chǎng)
- 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規模擴張。據外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規模擴張。報道中稱(chēng)，三星已開(kāi)始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠(chǎng)陸續引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設備。此前消息稱(chēng)，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠(chǎng)提供設備，無(wú)需其他許可。據了解，目前三星西安工廠(chǎng)已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 西安
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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