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3D NAND時(shí)代已至！Xtacking技術(shù)點(diǎn)燃存儲國產(chǎn)化希望

隨著(zhù)NAND Flash工藝逐漸從2D向3D過(guò)渡，技術(shù)和產(chǎn)能齊升的態(tài)勢下，長(cháng)江存儲以Xtacking技術(shù)切入3D NAND市場(chǎng)，為國產(chǎn)存儲技術(shù)的發(fā)展點(diǎn)燃了希望。
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不怕虧錢(qián)，未來(lái)十年長(cháng)江存儲持續增加研發(fā)投入

　　對于一個(gè)多月前在美國圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì )上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(cháng)江存儲執行董事長(cháng)高啟全接受中國證券報記者專(zhuān)訪(fǎng)表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年，長(cháng)江存儲將持續增加研發(fā)投入?！　≈瞥痰膬纱箅y點(diǎn)　　中國證券報：3D NAND制造工藝的難點(diǎn)在哪些地方?　　高啟全：3D NAND的困難點(diǎn)在于一層層疊上去的時(shí)候需要打洞把每一層連接起來(lái)，層數越多需要打的洞就越多，每一個(gè)單位都要打洞，數量可達幾百萬(wàn)個(gè)。必須保證做到垂直地
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慧榮科技將于2018中國閃存峰會(huì )上展出最新存儲主控芯片解決方案

　　全球NAND閃存主控芯片設計與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，將于9月19日在深圳舉辦的 “2018中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來(lái)滿(mǎn)足全方位巿場(chǎng)需求，其包括專(zhuān)為數據中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場(chǎng)帶來(lái)最完整的解決方案，此外支持高速移動(dòng)存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控
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NAND閃存大科普

　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣??！　」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
關(guān)鍵字： NAND 閃存

NAND閃存大科普

　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣??！　」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
關(guān)鍵字： NAND UFS

晶圓廠(chǎng)、DRAM和3D NAND投資驅動(dòng)，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

　　近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統報告，報告顯示，中國前端晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能今年將增長(cháng)至全球半導體晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動(dòng)，中國將在2020年的晶圓廠(chǎng)投資將以超過(guò)200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位?！　?014年中國成立大基金以來(lái)，促進(jìn)了中國集成電路供應鏈的迅速增長(cháng)，目前已成為全球半導體進(jìn)口最大的國家市場(chǎng)。SEMI指出，目前中國正在進(jìn)行或計劃開(kāi)展25個(gè)新的晶圓廠(chǎng)建設項目，代工廠(chǎng)、DRAM和3D
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中國產(chǎn)能逐漸開(kāi)出內存價(jià)格2019將下滑

　　內存價(jià)格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠(chǎng)商產(chǎn)能陸續開(kāi)出，因此資策會(huì )MIC預測內存價(jià)格將于開(kāi)始下滑?！　≠Y策會(huì )MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)洪春暉表示，2018年的半導體市場(chǎng)概況是近5年來(lái)難得的樂(lè )觀(guān)，盡管2018年內存價(jià)格成長(cháng)空間有限，但NAND Flash需求仍然持續增加。因此，預估2018年全球半導體市場(chǎng)規模將成長(cháng)10.1%，其中最大的原因是各應用終端內存需求持續增加，以及車(chē)用電子等新興應用帶動(dòng)?！　『榇簳熯M(jìn)一步指出，內存受惠于市場(chǎng)價(jià)格上揚，2018年全年臺灣內存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(cháng)25%，產(chǎn)
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IHS公布二季度半導體銷(xiāo)售排行榜：三星又當第一

　　由于持續受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩坐半導體銷(xiāo)售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)?！　「鶕袌?chǎng)研究機構IHS Markit的統計，三星在今年第二季全球芯片市場(chǎng)占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著(zhù)NAND快閃存儲器(flash)市場(chǎng)顯著(zhù)降溫，英特爾已自本季開(kāi)始縮小與三星的差距，其季成長(cháng)較三星更高3%?！　∫园雽w銷(xiāo)售額來(lái)看，三星在第二季的銷(xiāo)售額為192億美元，較第一季成長(cháng)3.4%，并較2017年第二季成長(cháng)了33.7
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基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動(dòng)方法

　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應用于電子系統中作為數據存儲。在各種高端電子系統中現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現對NAND FLASH的讀寫(xiě)操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動(dòng)方法?！　?. VDNF2T16VP193EE4V25簡(jiǎn)介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下：　　其主要特性如下：　　? 總容量
關(guān)鍵字： NAND NIOS II FPGA

全球前15大半導體廠(chǎng)商排名：7家年增20%以上，中國大陸無(wú)一上榜

　　8月20日，研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過(guò)遺憾的是，中國大陸暫時(shí)沒(méi)有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?！　「鶕l(fā)布的數據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長(cháng)，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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IC Insights預測：全球IC增長(cháng)和全球GDP增長(cháng)關(guān)聯(lián)日益密切

　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預測?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內，全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)的相關(guān)系數為0.88，這是一個(gè)強勁的數字，因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
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NAND閃存價(jià)格還要連跌10% 512GB SSD未來(lái)兩年將成主流

　　NAND閃存價(jià)格2018年以來(lái)一直在降低，大家也應該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來(lái)越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價(jià)的趨勢在下半年還會(huì )繼續，因為智能手機出貨量增長(cháng)放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續增加，預計Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì )下跌10%，不用過(guò)這也加速了大容量SSD硬盤(pán)的普及，未來(lái)2-3內512GB將成為主流之選?！　〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場(chǎng)下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統旺季，但是N
關(guān)鍵字： NAND SSD

中國存儲三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話(huà)語(yǔ)權

　　今年下半年，隨著(zhù)長(cháng)江存儲、福建晉華、合肥長(cháng)鑫國內三大存儲廠(chǎng)商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認為，國內存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或將對全球存儲市場(chǎng)價(jià)格走勢造成影響?！　《S著(zhù)中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動(dòng)對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?！　∧壳?，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(cháng)江存儲、專(zhuān)注于移動(dòng)式內存的合肥長(cháng)鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營(yíng)?！　〗趥鞒龊戏书L(cháng)鑫投產(chǎn)8
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三星150億美元擴大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續降價(jià)

　　據韓國媒體報道稱(chēng)，三星已經(jīng)上調了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠(chǎng)以及中國西安工廠(chǎng)的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來(lái)SSD的繼續降價(jià)是基本沒(méi)懸念的事?！　∪騈AND閃存市場(chǎng)份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動(dòng)直接影響整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴大產(chǎn)能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略?！　∮袌蟮婪Q(chēng)，東芝/西數、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
關(guān)鍵字：三星 NAND

NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

　　近日，據IC Insights的數據預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來(lái)的最大增幅。　　其中，3D NAND的市場(chǎng)需求，成為驅動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實(shí)現更大的結構和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠(chǎng)商的追捧，目前已成為NAND閃存廠(chǎng)商的
關(guān)鍵字： NAND CAPEX