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ultra c sic 文章 進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區
碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？阿斯麥臉色不再重要！
- 在科技領(lǐng)域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著(zhù)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng )新。而在這股技術(shù)浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著(zhù)阿斯麥這位傳統芯片巨頭的重磅投資，人們開(kāi)始紛紛關(guān)注，碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
- 關(guān)鍵字： 碳化硅芯片 SiC 阿斯麥
東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。類(lèi)似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預計未來(lái)幾年內DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
- 關(guān)鍵字： 東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
大功率、高性能汽車(chē)類(lèi) SiC 牽引逆變器參考設計
- TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創(chuàng )建高性能、高效率的牽引逆變器系統并更快地將其推向市場(chǎng)提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統技術(shù)（包括用于驅動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅動(dòng)強度的高性能隔離式柵極驅動(dòng)器）如何通過(guò)降低電壓過(guò)沖來(lái)提高系統效率。隔離式柵極驅動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
- 關(guān)鍵字： SiC 牽引逆變器
適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
- 隨著(zhù)設備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個(gè)優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現這一目標的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設計需要在設計過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗，同時(shí)限度地延長(cháng)系統正常運行時(shí)間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅
- 關(guān)鍵字： SiC
全球SiC爭霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？
- “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪(fǎng)時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設一個(gè)國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(cháng)期
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
意法半導體是怎樣煉成巨頭的？擅長(cháng)聯(lián)合，布局多重應用，投資未來(lái)
- 歐洲是世界半導體的重要一極，ST（意法半導體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱(chēng)為歐洲半導體的三駕馬車(chē)，也是全球知名的半導體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門(mén)1、自帶一定的應用市場(chǎng)，ST要靠自己找市場(chǎng)、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問(wèn)題。據市場(chǎng)研究機構Garnter數據，ST 2022年營(yíng)收158.4億美元，年增長(cháng)率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導體公司。大浪淘沙、洗牌無(wú)數的半導體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導體巨頭的？又是如何布局未來(lái)的？表1 202
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MCU SiC
汽車(chē)芯片，有兩大好賽道
- 汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢，勢必帶動(dòng)車(chē)用半導體的價(jià)值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機。先看功率半導體，車(chē)規功率半導體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議
- 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅動(dòng)。根據協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠(chǎng)生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(cháng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 賽米控 電動(dòng)汽車(chē)芯片 SiC IGBT
羅姆買(mǎi)新廠(chǎng) 搶SiC產(chǎn)能
- 全球車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)，目前主要由IDM大廠(chǎng)獨霸，根據統計，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營(yíng)收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產(chǎn)能，并宣布買(mǎi)下日本一家太陽(yáng)能系統廠(chǎng)的舊工廠(chǎng)，未來(lái)將引進(jìn)SiC功率半導體8吋晶圓產(chǎn)線(xiàn)到工廠(chǎng)內，預計在2024年底啟動(dòng)，將使羅姆的SiC功率半導體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC
SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
- 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì )從AQG324這個(gè)測試標準的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個(gè)SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現這個(gè)用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
- 關(guān)鍵字： SiC Traction模塊 安森美 202311
消息稱(chēng)蘋(píng)果今秋將推出三款新Apple Watch 包括第二代Ultra
- 據外媒報道，在月初舉行全球開(kāi)發(fā)者大會(huì )，推出各大產(chǎn)品線(xiàn)新的操作系統及傳聞已久的MR頭顯Vision Pro之后，外界對蘋(píng)果的關(guān)注就將轉向秋季的新品發(fā)布會(huì )，以及將推出的iPhone、iPad、Apple Watch等新品上。對于將推出的Apple Watch，有外媒在最新的報道中稱(chēng)蘋(píng)果將推出3款。援引一名資深記者透露的消息，報道蘋(píng)果在秋季將推出3款新Apple Watch，其中兩款是Apple Watch Series 9，另一款則是Apple Watch Ultra。代號分別為N207、N208和N210，
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 Apple Watch Ultra
用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動(dòng)器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導體市場(chǎng)中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問(wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達到非常有吸引力的水平。隨著(zhù)市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅動(dòng)器
國內8英寸SiC傳來(lái)新進(jìn)展
- 近年來(lái)，汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)充電應用及儲能系統等領(lǐng)域對碳化硅半導體產(chǎn)品需求不斷增長(cháng)，并推動(dòng)新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內廠(chǎng)商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現8英寸拋光片的開(kāi)發(fā)，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實(shí)現小批量生產(chǎn)；天科合達計劃在2023年實(shí)現8英寸襯底產(chǎn)品的小規模量產(chǎn)，同時(shí)該公司在5月與半導體大廠(chǎng)英飛凌簽訂碳化硅長(cháng)期供應協(xié)議。近期，科友半導體傳來(lái)了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度
- 關(guān)鍵字： 8英寸 SiC 科友半導體
使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)
- 最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應用受到了廣泛關(guān)注，但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來(lái)放心地使用 SiC器件。應用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應用范圍相關(guān)。例如，一些設計人員認為SiC MOSFET 應該用來(lái)替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數很有競爭力，反向恢復電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數校正 (TPPFC) 或同
- 關(guān)鍵字： 202306 SiC
ultra c sic介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ultra c sic!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ultra c sic的理解，并與今后在此搜索ultra c sic的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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