Apple Watch Ultra將推遲，MicroLED制造關(guān)鍵點(diǎn)在哪？

對于MicroLED屏的Apple Watch Ultra，面板供應鏈領(lǐng)域的分析師Ross Young在4月份曾預計最快將在2025年下半年推出，晚于最初傳聞的2024年年底。而研究機構最新給出的預期，較Ross Young預計的推出時(shí)間還要晚，他們預計不太可能在2026年一季度之前推出。

蘋(píng)果最“關(guān)鍵的項目”之一

研究機構預計蘋(píng)果MicroLED屏的Apple Watch Ultra將再度推遲，是因為在生產(chǎn)方面遇到了問(wèn)題，在大規模生產(chǎn)之前，需要解決生產(chǎn)的高成本問(wèn)題。MicroLED協(xié)會(huì )預估1.78英寸Apple Watch的OLED屏幕價(jià)格為20美元，而同分辨率的MicroLED將超過(guò)40美元。

同Apple Watch Ultra目前采用的OLED屏相比，MicroLED屏通過(guò)多方面的改進(jìn)，將帶來(lái)更好的顯示效果、更長(cháng)的續航時(shí)間，屏幕的生命周期也將更長(cháng)。準備從Apple Watch Ultra開(kāi)始應用，最終將這種顯示屏應用到包括iPhone在內的其他設備上。蘋(píng)果已經(jīng)花費了數十億美元開(kāi)發(fā)顯示技術(shù)，而這一轉變據說(shuō)是蘋(píng)果最“關(guān)鍵的項目”之一。

據彭博社報道，蘋(píng)果公司計劃最早在2024年開(kāi)始在移動(dòng)設備上使用其自己定制的顯示屏，以減少對三星和LG等技術(shù)合作伙伴的依賴(lài)。據了解，這些顯示屏可能會(huì )由外部供應商制造，但蘋(píng)果將掌握自主設計技術(shù)。

蘋(píng)果一直在努力擺脫對其他芯片制造商的依賴(lài)，比如最新的Mac電腦已經(jīng)開(kāi)始全面采用自研M系列芯片，來(lái)代替英特爾處理器。另外，蘋(píng)果還正在“全面突破”，為iPhone、iPad和Mac制造更多自己的組件，這樣它就不需要與那么多的第三方組件供應商合作。

此前報道，蘋(píng)果計劃在2025年淘汰博通的Wi-Fi和藍牙芯片，改用自家的芯片設計。此外，蘋(píng)果還在尋求替換高通公司的5G基帶芯片，報告稱(chēng)到2024年底或2025年初，蘋(píng)果將采用自研的基帶芯片。

次世代顯示技術(shù) —— MicroLED

電子設備屏幕的真正未來(lái)，業(yè)內普遍都認為會(huì )是MicroLED屏幕技術(shù)，并稱(chēng)之為次世代顯示技術(shù)。

MicroLED即微型發(fā)光二極管，是LED微縮化和矩陣化技術(shù)。簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)，既是將LED背光源進(jìn)行薄膜化、微小化、陣列化，集成度高并且具有自發(fā)光無(wú)需背光源的特性，采用無(wú)機氮化鎵作為發(fā)光材料。

由于MicroLED采用的是自發(fā)光的單獨的微米級LED，與當下頂級的OLED顯示器所能提供的色域幾乎是相同的。由于LED無(wú)機物的穩定性，讓色彩無(wú)論在使用多少時(shí)間后都可以保持一致性與穩定性，這一點(diǎn)是OLED所無(wú)法比擬的。MicroLED也兼顧顯示純黑色的特性，而且是像素級別的純黑色，這一點(diǎn)要比MiniLED的分區背光控制要來(lái)得更加直接和純粹。

同時(shí)MicroLED由于結構簡(jiǎn)單、能耗較小、擁有更高的光電轉換效率，功率消耗量可低至LCD的10%、OLED的50%，在大幅度減少單位用電的同時(shí)還允許更高的能量用于直接發(fā)光，讓最高亮度可以去到近2000尼特。

與OLED相比，MicroLED可以支持更高的亮度、更高的動(dòng)態(tài)范圍和更廣的色域，同時(shí)實(shí)現更快的更新速率、更廣的視角和更低的功耗，這是蘋(píng)果要研發(fā)MicroLED的重要原因。

MicroLED的技術(shù)難點(diǎn)和問(wèn)題

MicroLED幾乎集合了OLED和LCD的所有優(yōu)點(diǎn)，兼顧了高亮度、高色域、高對比度，又能做到長(cháng)壽命、省電、柔性屏?？梢哉f(shuō)是未來(lái)屏幕的集大成者，那為什么MicroLED擁有這么多優(yōu)點(diǎn)還沒(méi)有普及呢？

那是因為MicroLED優(yōu)勢來(lái)自于它多達百萬(wàn)級的微米LED，而難度也出現在這上面。目前，MicroLED主要有三個(gè)技術(shù)難點(diǎn)和問(wèn)題，量子效率Droop效應（有效發(fā)光面有限、紅光LED效率低）、驅動(dòng)能力匹配問(wèn)題（需要高電流、低功耗的驅動(dòng)材料）、巨量轉移問(wèn)題（工藝要求高、精度要求高、成本高）。而最重要的問(wèn)題就出現在巨量轉移問(wèn)題上。

巨量移植技術(shù)是目前MicroLED的主流、理想制造技術(shù)，由于MicroLED是以微米級為單位的二極管，需要在硅晶圓上來(lái)制造，而非直接在屏幕基板上制造。所以這就需要讓在硅晶圓上生產(chǎn)出來(lái)的微米LED移植到屏幕的基板上。

這其中的轉移技術(shù)就叫做巨量移植。由于待轉移的微米LED晶片，大約為頭發(fā)絲的1/10，需要精度很高的精細化操作；一次轉移需要移動(dòng)幾萬(wàn)乃至幾十萬(wàn)顆以上的LED，數量十分巨大，要求有極高的轉移速率，這就讓該技術(shù)的實(shí)現難度有了較高的挑戰。

即便Micro LED技術(shù)不夠成熟，主要的挑戰集中在關(guān)鍵技術(shù)的突破與量產(chǎn)成本的降低。在大眾消費市場(chǎng)的商用化進(jìn)程還很漫長(cháng)，但是它的種種優(yōu)勢表明，它確實(shí)代表著(zhù)電子設備屏幕的未來(lái)方向。