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ultra c sic 文章 進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區
SiC融資火熱！今年以來(lái)超20家獲融資，金額超23億
- 第三代半導體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究統計，隨著(zhù)安森美、英飛凌等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值達22.8億美元，年成長(cháng)41.4%?！鱏ource：TrendForce集邦咨詢(xún)今年以來(lái)，SiC領(lǐng)域屢受資本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關(guān)企業(yè)宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業(yè)包括天科合達、天域半導體、瞻芯電子、派恩杰等領(lǐng)先企業(yè)。天科合達天科合達完成了Pre-IPO輪融
- 關(guān)鍵字： SiC 融資
是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？
- 在過(guò)去的幾年里，碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車(chē)（BEV）驅動(dòng)系統中采用，但現在，越來(lái)越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統設計中都必須評估SiC在系統中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開(kāi)始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅動(dòng)力一直是降低損耗
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC
碳化硅MOSFET加速應用于光伏領(lǐng)域 增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)
- 據報道，近年來(lái)，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來(lái)越快。最近，又有兩家廠(chǎng)商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽(yáng)能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長(cháng)3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開(kāi)發(fā)了采
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
SiC市場(chǎng)產(chǎn)值 今年估增4成
- 根據市調統計，隨著(zhù)安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作案明朗化，將推動(dòng)2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值達22.8億美元、年成長(cháng)41.4％。 主要成長(cháng)原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場(chǎng)景，能進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)與再生能源設備系統效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應用為電動(dòng)車(chē)與再生能源領(lǐng)域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值約67.4％和13.1％。車(chē)用方面，安森美與大眾汽車(chē)簽屬戰略協(xié)議，另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
- 關(guān)鍵字： SiC
市場(chǎng)規模節節攀升，第三代半導體成收購的熱門(mén)賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著(zhù)，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買(mǎi)博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務(wù)。2023年3月2
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 收購 SiC GaN
新能源汽車(chē)時(shí)代的半導體材料寵兒——SiC（碳化硅）
- 前 言 1824年，一種全新的材料被瑞典科學(xué)家，貝采里烏斯合成出來(lái)，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無(wú)奇的樣子，仿佛是隨處可見(jiàn)的灰燼，也許誰(shuí)也沒(méi)能想到，就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒，將會(huì )在近200年后，在其之上長(cháng)出絢爛的花朵，幫助人類(lèi)突破半導體的瓶頸。在人類(lèi)半導體產(chǎn)業(yè)的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越，無(wú)論是成本還是性能都達到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒(méi)有過(guò)多的注意。直到20世紀90年代，Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸，再次激發(fā)
- 關(guān)鍵字： SiC 新能源汽車(chē) 汽車(chē)電子
GaN 時(shí)代來(lái)了？
- 隨著(zhù)特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會(huì )產(chǎn)生后續替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨，800V高壓超充開(kāi)始普及！
- 一直以來(lái)，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車(chē)脖子的關(guān)鍵問(wèn)題，是車(chē)企和車(chē)主共同的焦慮；但隨著(zhù)高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái)，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開(kāi)始了普及。相比于400V，800V帶來(lái)了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著(zhù)這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC
BOE(京東方)獨供努比亞Z50 Ultra持續引領(lǐng)全面屏風(fēng)向標
- 3月7日，努比亞在新品發(fā)布會(huì )上重磅推出努比亞Z50 Ultra，此款旗艦手機搭載了由BOE（京東方）獨供的6.8英寸柔性OLED全面屏，通過(guò)創(chuàng )新采用第四代屏下攝像頭技術(shù)解決方案，在畫(huà)質(zhì)顯示、操作性能、美學(xué)設計、健康護眼等方面實(shí)現飛躍性突破，標志著(zhù)BOE（京東方）實(shí)現了全面屏智能終端領(lǐng)域更強勁的爆發(fā)，充分彰顯了BOE（京東方）在柔性OLED顯示領(lǐng)域強大的技術(shù)實(shí)力和行業(yè)引領(lǐng)地位。得益于BOE（京東方）業(yè)界領(lǐng)先的高端柔性OLED顯示技術(shù)解決方案加持，努比亞Z50 Ultra搭載其全新一代屏下攝像頭技術(shù)，完全取消
- 關(guān)鍵字： BOE 京東方 努比亞 Z50 Ultra 全面屏
5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現高能效電力電子產(chǎn)品！
- 當您設計新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿(mǎn)足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng )建基于 SiC 半導體的開(kāi)關(guān)電源，其應用領(lǐng)域包括光伏系統、儲能系統、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎上的進(jìn)一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(cháng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC
是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
- 與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來(lái)搬運和安裝該系統，將會(huì )非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節省了能源，而且使設備更小、更輕，相關(guān)的資本、安裝和維護成本更低。關(guān)鍵的應用要求及其挑戰。在光伏和儲能系統中，1500V的高系統電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時(shí)要求功率器件具有更高的系統效率
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC 逆變器
高壓SiC MOSFET研究現狀與展望
- 碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究?jì)r(jià)值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展，總結了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數的元胞優(yōu)化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
特斯拉 Model3 搭載 SiC，寬禁帶半導體迎來(lái)爆發(fā)
- 去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開(kāi)售，其產(chǎn)品設計和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車(chē)型中，SiC 得到量產(chǎn)應用，這吸引了全球汽車(chē)廠(chǎng)商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車(chē)，可提高續航里程，對突破現有電池能耗與控制系統上瓶頸，乃至整個(gè)新能源汽車(chē)行業(yè)都有重要意義。目前，業(yè)內普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料，那么寬禁帶半導體當前發(fā)展狀況如何？國內外發(fā)展寬禁帶半導體有哪些區別？未來(lái)發(fā)展面臨著(zhù)哪些挑戰？01、特斯拉 Model 3 首批
- 關(guān)鍵字： 特斯拉 Model 3 SiC
瑞薩電子推出新型柵極驅動(dòng)IC 用于驅動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來(lái)自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 柵極驅動(dòng)IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
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