適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

隨著(zhù)設備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個(gè)優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現這一目標的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設計需要在設計過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。

使用 SiC 柵極驅動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗，同時(shí)限度地延長(cháng)系統正常運行時(shí)間。
Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅動(dòng)器，用于工業(yè)市場(chǎng)的高效電源。該公司聲稱(chēng)，與競爭解決方案相比，新設備的功耗降低了 30%，碳足跡降低了 30%。
系統制造商對提高其設計的電源效率越來(lái)越感興趣；能源效率和降低成本的結合對于市場(chǎng)領(lǐng)導地位變得至關(guān)重要。從半導體材料的角度來(lái)看，這一領(lǐng)域已經(jīng)取得了相當大的進(jìn)展，現在已經(jīng)有了可以高速開(kāi)關(guān)的產(chǎn)品，提高了系統級效率，同時(shí)縮小了解決方案尺寸。
隨著(zhù)設備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個(gè)優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現這一目標的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設計需要在設計過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。
帶隙、擊穿場(chǎng)、熱導率、電子遷移率和電子漂移速度等特性是工程師可以從使用 GaN 和 SiC 等 WBG 半導體中獲得的主要優(yōu)勢?；赪BG 半導體的功率開(kāi)關(guān)模塊的優(yōu)點(diǎn)包括高電流密度、更快的開(kāi)關(guān)和更低的漏源電阻(R DS(on) )。
SiC 將決定多種工業(yè)應用的功率速率。它的帶隙為 3.2 電子伏特 (eV)，在導帶中移動(dòng)電子所需的能量可提供比相同封裝規模的硅更高的電壓性能。SiC 較高的工作溫度和高導熱性支持高效的熱管理。
許多開(kāi)關(guān)電源應用正在采用 SiC 解決方案來(lái)提高能源效率和系統可靠性。

圖 1：隔離式柵極驅動(dòng)器的一般框圖

電源中的高開(kāi)關(guān)頻率會(huì )導致產(chǎn)生噪聲瞬變的操作困難，從而導致整個(gè)系統效率低下。與硅的化學(xué)結構相比，新技術(shù)的化學(xué)結構使得新器件具有低電荷和快速開(kāi)關(guān)的特性。
隔離柵極驅動(dòng)器廣泛用于驅動(dòng) MOSFET 和 IGBT 并提供電流隔離。MOSFET 和 IGBT 的開(kāi)關(guān)頻率通常高于 10 kHz。然而，基于 SiC 和 GaN 的系統可以在更高的開(kāi)關(guān)頻率下運行，并且在轉換過(guò)程中不會(huì )出現顯著(zhù)的功率損耗。顯著(zhù)的優(yōu)點(diǎn)是尺寸減小和變形更少（圖 1）。
快速開(kāi)關(guān)會(huì )產(chǎn)生噪聲瞬變，從而導致閂鎖，從而導致調制損失甚至性系統損壞。為了解決這個(gè)問(wèn)題，需要提高用于驅動(dòng)系統的元件的抗噪聲能力。此外，與開(kāi)關(guān)相關(guān)的功耗和傳導損耗會(huì )產(chǎn)生必須通過(guò)散熱器散發(fā)的熱量，從而增加了解決方案的尺寸。
這些瞬變的強度可能是由寄生脈沖門(mén)的驅動(dòng)電路引起的，從而導致短路情況?？刂乒β兽D換器的驅動(dòng)電路必須設計成能夠承受這些噪聲源，從而避免二次短路。驅動(dòng)器電路承受共模噪聲瞬態(tài)的能力是其共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)，以 kV/μs 表示。CMTI 是所有處理兩個(gè)獨立接地參考（隔離柵極驅動(dòng)器）之間差分電壓的柵極驅動(dòng)器的關(guān)鍵參數。
了解和測量對這些瞬變的敏感度是設計新電源的重要一步。隔離柵上的電容為快速瞬變穿過(guò)隔離柵并破壞輸出波形提供了路徑。
Maxim Integrated 的新型MAX22701E驅動(dòng)器具有 300kV/μs 的高 CMTI，從而延長(cháng)系統正常運行時(shí)間。該驅動(dòng)器專(zhuān)為高功率工業(yè)系統中的開(kāi)關(guān)電源而設計，例如太陽(yáng)能逆變器、電機驅動(dòng)器和儲能系統。MAX22701E 與 SiC 和 GaN 兼容，可驅動(dòng)基于任一 WBG 材料的 FET。據該公司稱(chēng)，其技術(shù)規格減少了停機時(shí)間和能源損失。
MAX22701E 采用八引腳 (3.90 × 4.90mm) 窄體 SOIC 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 125°C (圖 2)。

圖 2： MAX22701E 框圖（圖片Maxim Integrated）

高 CMTI 決定驅動(dòng)器兩側的正確操作，限度地減少錯誤，從而增強所用柵極驅動(dòng)器的魯棒性。CMTI 是與隔離器相關(guān)的三個(gè)關(guān)鍵特性之一。其他是傳播延遲匹配和工作電壓。據Maxim Integrated稱(chēng)，MAX22701E提供業(yè)界的器件間傳播延遲匹配，高側和低側柵極驅動(dòng)器之間的傳播延遲匹配為5 ns（值）。這有助于限度地減少晶體管的死區時(shí)間并限度地提高電源效率。該器件提供 3 kV rms的電流隔離，持續 60 秒。
Maxim 工業(yè)和醫療保健業(yè)務(wù)部業(yè)務(wù)經(jīng)理 Suravi Karmacharya 表示：“隨著(zhù) SiC 和 GaN 等功率半導體器件的不斷進(jìn)步和采用，行業(yè)正在轉向更節能、更可靠的解決方案?！比诤系??！芭c傳統 MOSFET 和 IGBT 解決方案相比，該設備需要越來(lái)越高性能的開(kāi)關(guān)頻率，并在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)時(shí)具有高 dV/dt 特性。我們的隔離式 SiC 柵極驅動(dòng)器提供了一種解決方案，可限度地提高系統電源效率并增加嘈雜環(huán)境中的正常運行時(shí)間?！?/p>