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如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅動(dòng)強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē) (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車(chē)單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 來(lái)實(shí)現更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅動(dòng)器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅動(dòng)逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據汽車(chē)安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅
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Type-C口統一在即，多節鋰電池充放電管理難題何解？

在USB PD3.0時(shí)代，100W的充電功率已經(jīng)能夠滿(mǎn)足絕大多數便攜設備的充電需求，如智能手機、平板電腦、筆記本電腦等。最新的USB PD3.1快充標準，充電功率從原有的100W提升至240W，并支持最大48V的電壓輸出，將快充場(chǎng)景進(jìn)一步延伸到物聯(lián)網(wǎng)設備、智能家居、通信和安防設備、汽車(chē)和醫療等領(lǐng)域。從字面意思來(lái)看，常見(jiàn)的便攜式電子設備如吸塵器、電動(dòng)工具、音箱等，未來(lái)將不再需要使用專(zhuān)用的適配器充電，一套Type-C口快充即可適配日常充電設備，這不僅會(huì )給我們的工作和生活帶來(lái)巨大便利，也將大大減少電子垃圾，意義
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅（SiC）長(cháng)期供應協(xié)議

?·?????? 緯湃科技正在鎖定價(jià)值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過(guò)向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產(chǎn)能投資，獲得這一關(guān)鍵的半導體技術(shù)，以實(shí)現電氣化的強勁增長(cháng)·?????? 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進(jìn)一步優(yōu)化主驅逆變器系統方面達成合作?2023年
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案，加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度

中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開(kāi)關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿(mǎn)懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無(wú)縫集成到示波器測量系統
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投身車(chē)電領(lǐng)域的入門(mén)課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動(dòng)汽車(chē)的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動(dòng)汽車(chē)充電站的需求量開(kāi)始增加。在過(guò)去的三年里，電動(dòng)車(chē)領(lǐng)導品牌的銷(xiāo)量紛紛呈現巨幅成長(cháng)的趨勢。低成本、低排放汽車(chē)的不斷發(fā)展，將推動(dòng)整個(gè)亞太地區的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)實(shí)現穩步擴張。同時(shí)，不斷加碼的政府激勵措施和持續擴張的高性能車(chē)市場(chǎng)也推動(dòng)著(zhù)北美和歐洲地區電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的快速增長(cháng)。因此，根據MarketsandMarkets 市調數據估計，全球電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)規模將從 2
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工業(yè)和車(chē)用USB-Type C接口有何優(yōu)勢？

根據歐盟目前的規范，到2024年底在歐盟所有銷(xiāo)售的智能型手機、平板計算機和相機都必須配備USB Type-C充電接口。而從2026年春季開(kāi)始，也將適用于筆記本電腦。因此USB Type-C接口將成為所有USB傳輸技術(shù)中，最受關(guān)注的技術(shù)標準。此外，由于印度打算加入歐盟，因此也開(kāi)始強制使用USB Type-C作為市場(chǎng)上所有智能型手機、平板計算機和筆記本電腦的統一充電接口。這些變化最早可能在2024年在生效。印度這樣做的主要理由，除了符合歐盟的規范之外，也希望減少使用不同充電接口所產(chǎn)生的電子垃圾（在這種背景之下
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采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

“引言”近年來(lái)，為了更好地實(shí)現自然資源可持續利用，需要更多節能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規定應運而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過(guò)改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過(guò)功率模塊解決方案設計來(lái)實(shí)現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進(jìn)持續發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多
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目標 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車(chē) SiC 芯片市場(chǎng)，安森美半導體投資 20 億美元擴建工廠(chǎng)

IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現有工廠(chǎng)，目標在全球汽車(chē)碳化硅（SiC）芯片市場(chǎng)中，占據 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠(chǎng)，其中韓國工廠(chǎng)已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會(huì )擴建哪家工廠(chǎng)，安森美半導體計劃構建完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車(chē)芯片市場(chǎng) 40% 的份額。專(zhuān)家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷(xiāo)售
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2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%

2023 年 SiC 襯底市場(chǎng)將持續強勁增長(cháng)。
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TDK推出為USB-C提供完整ESD保護的超緊湊型TVS二極管

TDK株式會(huì )社（東京證券交易所代碼：6762）針對USB-C端口和其他高速接口的ESD保護應用推出一款超緊湊型TVS二極管。對于USB-C等符合USB4（第1版）規范且傳輸速度高達40 Gbit/s的高速接口 (Tx / Rx)，ESD保護應用特別需要具有超低寄生電容和低鉗位電壓的TVS二極管。新的B74111U0033M060和B74121U0033M060型元件的在1 MHz條件下的寄生電容分別為0.48 pF和0.65 pF，鉗位電壓僅為3.8 V或3.9 V，ITLP為8 A，不會(huì )干擾信號完整性，
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意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過(guò)流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
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驍龍支持Android 14全新Ultra HDR格式照片拍攝

在2023年Google I/O大會(huì )上，Android為照片拍攝引入了一個(gè)新的圖像格式——Ultra HDR。Android 14中將支持該照片格式，這一格式能夠以向后兼容的JPEG格式拍攝照片，同時(shí)提供超過(guò)8-bit的動(dòng)態(tài)范圍，使攝像頭捕捉的照片在亮部和暗部包含更多令人驚嘆的細節。 Ultra HDR將在頂級Android終端上大幅提高照片質(zhì)量，為用戶(hù)拍攝和分享的照片帶來(lái)10-bit HDR體驗。我們很高興與高通技術(shù)公司合作，充分利用高通先進(jìn)的18-bit ISP功能，為驍龍移動(dòng)平臺帶來(lái)Ult
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能？

隨著(zhù)人們對電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車(chē)制造商為向不斷擴大的客戶(hù)群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅動(dòng)，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著(zhù)系統可以在更低的電流下運行，同時(shí)實(shí)現相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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歐盟：若蘋(píng)果限制第三方USB-C充電速度，iPhone將面臨禁售

有傳言稱(chēng)，蘋(píng)果計劃在其USB-C配件上實(shí)施MFi認證，將限制非MFi認證的USB-C數據線(xiàn)、充電器的數據傳輸功能和充電速度。如果蘋(píng)果真的這樣做，就違背了歐盟法律的目的。蘋(píng)果日前收到歐盟的警告，禁止該公司通過(guò)第三方配件限制設備的充電速度，否則iPhone將在歐洲面臨禁售。這是蘋(píng)果繼歐盟去年通過(guò)統一充電接口指令之后，遭遇的新一次打擊。歐盟工業(yè)專(zhuān)員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）致信蘋(píng)果公司警告稱(chēng)，涉及USB-C的限制是“不可接受的”，如果蘋(píng)果公司施加這樣的限制，歐盟將禁止iPhone 15及其后
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SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設計都會(huì )非常關(guān)注導通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優(yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個(gè)標準，或許還
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