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ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況

ST（意法半導體）關(guān)注電動(dòng)汽車(chē)、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開(kāi)關(guān)管用于開(kāi)發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開(kāi)關(guān)和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
關(guān)鍵字： 202310 意法半導體 SiC GaN

攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進(jìn)在汽車(chē)和工業(yè)中的應用

1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰性的應用，尤其是高壓大電流等應用場(chǎng)景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統的效率，進(jìn)而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC（車(chē)載充電機）采用SiC，可實(shí)現更高的能效和功率密度。隨著(zhù)汽車(chē)市場(chǎng)向800 V 高壓系統發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進(jìn)電源
關(guān)鍵字： 202310 SiC 安森美

從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

碳化硅（SiC）具有高擊穿場(chǎng)強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可很好地滿(mǎn)足新能源汽車(chē)與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來(lái)五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優(yōu)勢資源重點(diǎn)發(fā)展。
關(guān)鍵字： ?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸擴產(chǎn)

圖騰柱無(wú)橋PFC與SiC相結合，共同提高電源密度和效率

效率和尺寸是電源設計的兩個(gè)主要考慮因素，而功率因數校正 (PFC)也在變得越來(lái)越重要。為了減少無(wú)功功率引起的電力線(xiàn)諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時(shí)對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰性。本文介紹了如何通過(guò)修改傳統 PFC 拓撲結構來(lái)更好地實(shí)現這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個(gè)整流器二極管和一個(gè)升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無(wú)橋拓撲結構還有一種提高
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采用SiC提高住宅太陽(yáng)能系統性能

預計在未來(lái)五年，住宅太陽(yáng)能系統的數量將大幅增長(cháng)。太陽(yáng)能系統能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動(dòng)汽車(chē)充電，甚至將多余的電力輸送至電網(wǎng)。有了太陽(yáng)能系統，即使發(fā)生電網(wǎng)故障，也不用擔心。本篇博客介紹了住宅太陽(yáng)能系統的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來(lái)提高太陽(yáng)能系統的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽(yáng)能逆變器系統概述住宅太陽(yáng)能逆變器系統中包括了產(chǎn)生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉換器使用“最大功率點(diǎn)跟蹤”(MPPT) 方法（根據陽(yáng)光的強度和方向優(yōu)化能量采集），將可
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杰平方半導體宣布啟動(dòng)香港首間碳化硅（SiC）先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)項目

由創(chuàng )新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企業(yè)辦公室共同推動(dòng)，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區政府創(chuàng )新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng )科發(fā)展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導體芯片，促進(jìn)香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進(jìn)出口市場(chǎng)之一，香港更是位處大
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新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過(guò)3,500種LTspice模型

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過(guò)3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁(yè)面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對應的LTspice?模型覆蓋率
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基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案

L4986簡(jiǎn)介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專(zhuān)有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng )新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓?jiǎn)?dòng)功能，無(wú)需使用傳統的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個(gè)版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡(jiǎn)介：Double-boost 是無(wú)橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著(zhù)提
關(guān)鍵字： ST SIC 第三代半導體 CCM PFC 4986 電動(dòng)工具割草機雙boost double boost 無(wú)橋PFC

英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯：每瓦性能翻倍

9 月 20 日消息，在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng )新峰會(huì )上，英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代（代號：Meteor Lake）的核顯升級。據介紹，英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級到 Xe LPG，相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外，新一代核顯有更高的頻率，同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對 DX12U 進(jìn)行了優(yōu)化，支持倍幀功能，支持新特性“Out of Order Sampling”。此外，英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎，支持最
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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來(lái)說(shuō)是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽(yáng)
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來(lái)說(shuō)是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽(yáng)
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意法半導體為博格華納提供SiC，“上車(chē)”沃爾沃？

近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來(lái)多款純電動(dòng)汽車(chē)設計電驅逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術(shù)團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開(kāi)關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅架構尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車(chē)輛性能
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基于STM32G474RBT6 MCU的數字控制3KW通信電源方案

STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無(wú)橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時(shí)，測量峰值效率為96.3%
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意法半導體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設計

●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車(chē)在2030年前全面實(shí)現電動(dòng)化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車(chē)設計電驅逆變器平臺服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)將與提供創(chuàng )新和可持續移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專(zhuān)有的基于 Viper 功率模塊
關(guān)鍵字：意法半導體 SiC 博格華納功率模塊沃爾沃電動(dòng)汽車(chē)

自動(dòng)執行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試

_____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對電氣技術(shù)的投資，特別是數據中心和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。根據彭博社最新的電動(dòng)汽車(chē)展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實(shí)現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機驅動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
關(guān)鍵字：寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試