矢野經(jīng)濟研究所：SiC功率半導體將在2016年形成市場(chǎng)

　　矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場(chǎng)的調查結果。

　　全球功率半導體市場(chǎng)規模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) (點(diǎn)擊放大)

　　2013年全球功率半導體市場(chǎng)規模(按供貨金額計算)比上年增長(cháng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長(cháng)，但2013年中國市場(chǎng)的需求恢復、汽車(chē)領(lǐng)域的穩步增長(cháng)以及新能源領(lǐng)域設備投資的擴大等起到了推動(dòng)作用。

　　預計2014年仍將繼續增長(cháng)，2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場(chǎng)規模(按供貨金額計算)將達到294.5億美元。各類(lèi)器件方面，預計功率模塊的增長(cháng)率最高，在新一代汽車(chē)(HV及EV)、新能源設備及工廠(chǎng)設備等領(lǐng)域的普及有望擴大。

　　在新一代功率半導體SiC方面，以前主要是被用于二極管，而2013年起，一些晶體管也開(kāi)始采用SiC。2014年下半年起，各元器件廠(chǎng)商開(kāi)始利用直徑為6英寸(150mm)的SiC晶圓實(shí)施量產(chǎn)，預計2015～2016年成本將會(huì )降低，用途也會(huì )進(jìn)一步擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年新一代功率半導體的全球市場(chǎng)規模(按供貨金額計算)將在SiC功率半導體推動(dòng)下達到28.2億美元。

　　此次調查的對象為功率半導體廠(chǎng)商、晶圓廠(chǎng)商及系統廠(chǎng)商，于2013年10月～2014年6月實(shí)施。涉及的器件包括功率MOSFET、IPD(Intelligent Power Device)、二極管、IGBT、功率模塊及雙極晶體管等。根據調查數據，將硅功率半導體以及采用SiC及GaN等新一代材料的功率半導體的數據加在一起，計算出了市場(chǎng)規模。