英特爾最新發(fā)展藍圖：明年或全面轉向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著(zhù)其他各家廠(chǎng)商的腳步，開(kāi)始有了新的進(jìn)度。根據外媒報導，英特爾的快閃存儲器部門(mén)最近公布了發(fā)展藍圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經(jīng)開(kāi)始向1xx層堆疊的發(fā)展當下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。 

英特爾新發(fā)展的144層堆疊的QLC NAND快閃存儲器代號為“Keystone Harbor”。此外，英特爾也正在開(kāi)發(fā)5bit的PLC芯片，密度再提高25%。這將使得英特爾預計再推出第2代傲騰（Optane）3D X-point快閃存儲器，新產(chǎn)品的代號則為“Alder Stream”，支援PCI-Express gen 4.0介面。 

據了解，首先使用144層堆疊NAND的產(chǎn)品會(huì )是英特爾自家的QLC SSD，并預計在2020年稍晚推出產(chǎn)品。另外，除了研究更高層數的堆疊技術(shù)外，英特爾還在積極開(kāi)發(fā)PLC，也就是單個(gè)單元儲存5bit數據的新NAND快閃存儲器。 

不過(guò)，英特爾并沒(méi)有公布具體會(huì )在什么時(shí)候推出PLC SSD。而在將QLC SSD升級到144層堆疊之后，預計在2021年，英特爾會(huì )把全系列的SSD都升級到采用144層堆疊3D NAND快閃存儲器。 

英特爾的快閃存儲器部門(mén)是其與美光科技（Micron Technology）分拆后而成為該公司的一部分。然而在技術(shù)上，英特爾未來(lái)將藉由新的144層堆疊3D NAND快閃存儲器而超越美光科技。預料，該3D NAND快閃存儲器大約將在美光開(kāi)始推出其128層3D NAND快閃存儲器的同時(shí)也開(kāi)始交付給客戶(hù)。 

而目前在全球市場(chǎng)上，SK海力士將在2020年稍晚開(kāi)始銷(xiāo)售其128層堆疊3D NAND快閃存儲器。鎧俠(KIOXIA)則已經(jīng)在2020年年初推出112層堆疊3D NAND快閃存儲器。長(cháng)江存儲也已經(jīng)宣布推出兩款128層堆疊的3D NAND快閃存儲器，分別為容量為1.33Tb的128層QLC 3D NAND Flash快閃存儲器，以及容量為512Gb的128層TLC 3D NAND Flash快閃存儲器。 

另外在新一代Optane的發(fā)展上，英特爾則將會(huì )使用4層的第2代3D XPoint快閃存儲器，并且換上全新的控制器和PCIe 4.0。新一代Optane SSD的最大容量可能將達到3TB，這會(huì )是運用在企業(yè)級產(chǎn)品上的容量，預計在英特爾未來(lái)推出下一代代號“Sapphire Rapids”的Xeon系列服務(wù)器處理器和Eagle Stream平臺時(shí)，新一代Optane SSD將會(huì )是其中的一部分。英特爾表示，目前正在位于新墨西哥州的工廠(chǎng)進(jìn)行3D XPoint技術(shù)的研發(fā)，并擁有多家能夠生產(chǎn)3D XPoint的工廠(chǎng)。