三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)
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據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202006/413955.htm
三星電子
生產(chǎn)線(xiàn)建設上月已經(jīng)開(kāi)始，預計2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。
三星電子表示，此次投資旨在應對隨著(zhù)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來(lái)的NAND需求。
上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產(chǎn)線(xiàn)，新產(chǎn)線(xiàn)專(zhuān)注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始建設，預計明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片。
三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線(xiàn)，韓國將擁有7條芯片制造產(chǎn)線(xiàn)。
三星電子去年4月曾提出“半導體愿景2030”，計劃到2030年對系統芯片研發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域投資133萬(wàn)億韓元（約合人民幣7658億元）。
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