國產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世 武漢基地二期開(kāi)工

4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項目投資高達240億美元，約合1697億元。

在開(kāi)工儀式上，紫光集團、長(cháng)江存儲董事長(cháng)趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開(kāi)工建設以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠(chǎng)，實(shí)現了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開(kāi)工，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠(chǎng)，總投資240億美元。其中一期主要實(shí)現技術(shù)突破，并建成10萬(wàn)片/月產(chǎn)能，二期規劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月，兩期項目達產(chǎn)后月產(chǎn)能共計30萬(wàn)片。

今年4月13日，長(cháng)江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控廠(chǎng)商SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗證。

按照長(cháng)存的說(shuō)法，這款產(chǎn)品的獨特之處在于，它是業(yè)內首款128層QLC規格3D NAND，且擁有已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

目前長(cháng)江存儲正在不斷提升產(chǎn)能，今年底的目標將達到10萬(wàn)片晶圓/月的產(chǎn)能，這也是整個(gè)國家存儲器基地一期工程的目標。