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JEDEC標準(JESD216)S FDP對串行Flash在系統中的應用

  • JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢(xún)的描述串行Flash功能的參數表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數表的結構、功能和作用,并給出其在系統設計中的具體應用。
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TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設計

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設計,摘要 為實(shí)現數字信號處理器的加栽,介紹了TMS320C6455的各種加載模式,尤其是對外部ROM的引導方式,以及一種無(wú)需數據轉換即可通過(guò)數據加載將用戶(hù)程序寫(xiě)入Flash的方法。以TMS320C6455為例,同時(shí)結合LED燈閃爍實(shí)例驗證
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三星、東芝競擴產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長(cháng)持續大于需求,預估NAND Flash今年底報價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續至2018年。市調機構IHS iSuppli最
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NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

  • 市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠(chǎng)商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉

  • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉,關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶(hù)頭疼的難點(diǎn),他們強調已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高,只能每天眼睜睜看著(zhù)一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
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從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶(hù)可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
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DSP硬件設計需要知道的注意事項

  • 數字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設備,通過(guò)CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
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NAND flash和NOR flash的區別詳解

  • 我們使用的智能手機除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲呢,這就是我
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東芝跑第一,64 層 3D Flash 開(kāi)始試產(chǎn)送樣

  •   據海外媒體報道,韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠(chǎng)商,不過(guò)其N(xiāo)AND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人,宣布已領(lǐng)先全球同業(yè),研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見(jiàn)首圖),且開(kāi)始進(jìn)行送樣。   東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布,已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù),并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨,且預計將透過(guò)甫于 7 月完工的四日市工廠(chǎng)“新第 2 廠(chǎng)房”進(jìn)行生
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全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  •   許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng)   在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能,應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境,后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段:   第一階段是效能導向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣列
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全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  •   許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng)   在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能,應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境,后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段:   第一階段是效能導向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣
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中國半導體存儲器市場(chǎng)前景

  • 本文介紹了存儲器芯片分類(lèi),國際存儲芯片廠(chǎng)商的發(fā)展情況,及我國存儲芯片供需情況。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  市場(chǎng)  DRAM  Flash  201607  

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價(jià)格走揚

  •   第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價(jià)顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚,而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,NAND Flash原廠(chǎng)持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿(mǎn)足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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火災后瘋7供應商三星Flash廠(chǎng)部分復工

  • 三星西安工廠(chǎng)受到變電站爆炸停電影響,對供應緊張的NAND Flash雪上加霜,不過(guò)事故后回復速度很快,給當地供電局和三星應急處理點(diǎn)個(gè)贊。
  • 關(guān)鍵字: 三星  Flash  

下半年NAND Flash一定缺貨,且會(huì )非常缺

  •   全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長(cháng)最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠(chǎng)概念股群聯(lián)、創(chuàng )見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價(jià)效應。   慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元創(chuàng )2005年6月在美國那斯達克掛牌以來(lái)新高,市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng )歷史新高。   茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì )后,針對今年NAND Fl
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù),1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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