NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價(jià)格走揚

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚。

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚，而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠(chǎng)持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿(mǎn)足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SSD)的需求，并同時(shí)積極轉進(jìn)3D-NAND Flash，讓2D-NAND Flash的產(chǎn)出持續下滑，因此現貨與通路市場(chǎng)的貨源更顯緊縮。

　　DRAMeXchange預估2016年第三季的TLC-Wafer及現貨卡片價(jià)格將持續走揚，而第四季的NAND Flash市況將視新一代iPhone與其他品牌智慧型手機新品上市后的銷(xiāo)售力道而定。

　　三星西安廠(chǎng)停電事故將加深市場(chǎng)供不應求預期心理

　　6月18日凌晨中國西安市南一變電站爆炸，使三星西安廠(chǎng)短暫停電數秒，在工程師搶修設備，并快速進(jìn)行線(xiàn)上晶圓損害清查后，目前部分產(chǎn)能已恢復生產(chǎn);現階段三星西安廠(chǎng)投產(chǎn)規模達每月10萬(wàn)片，全數為先進(jìn)的3D-NAND Flash，主要應用在固態(tài)硬碟。

　　楊文得指出，依照事發(fā)當日部分產(chǎn)能已能恢復生產(chǎn)的進(jìn)度來(lái)看，此次停電對三星NAND Flash的產(chǎn)出影響有限，預估當日其線(xiàn)上受損晶圓(Wafer-In-Process)片數約略在1萬(wàn)片以?xún)?，此缺口透過(guò)增加投片及縮短部份制程可以彌補，但此突發(fā)事件恐將加深市場(chǎng)對第三季NAND Flash供不應求的預期性心理。

　　eMMC/eMCP受益平均搭載容量加大、固態(tài)硬碟需求動(dòng)能強勁

　　楊文得指出，2016 年NAND Flash需求位元年成長(cháng)率為42%，其中以智慧型手機、平板及固態(tài)硬碟的需求為主要動(dòng)能，占整體成長(cháng)比重逾90%。雖然今年智慧型手機出貨已進(jìn)入成長(cháng)高原期，但eMMC/eMCP市場(chǎng)仍得益于平均搭載容量的逐步放大，如新一代iPhone極可能搭載最高256GB儲存容量，首波備貨需求大大挹注第三季NAND Flash市場(chǎng)。

　　此外，eMMC/eMCP的降價(jià)趨勢，也激勵中國品牌等智慧型手機廠(chǎng)商競相提高產(chǎn)品規格，32GB以上容量已成為高階智慧型手機搭載的大宗，16GB所占比例則逐漸縮小。

　　今年固態(tài)硬碟強勁的需求動(dòng)能占整體NAND Flash高達34%，在各終端應用領(lǐng)域稱(chēng)冠。由于2016年底128GB固態(tài)硬碟價(jià)格將低于500GB傳統硬碟，使得用戶(hù)級固態(tài)硬碟價(jià)格的吸引力愈趨顯著(zhù)。DRAMeXchange預估2016年筆記型電腦SSD搭載率有望在第四季挑戰40%門(mén)檻。