東芝跑第一，64 層 3D Flash 開(kāi)始試產(chǎn)送樣

　　據海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠(chǎng)商，不過(guò)其N(xiāo)AND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見(jiàn)首圖)，且開(kāi)始進(jìn)行送樣。

　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨，且預計將透過(guò)甫于 7 月完工的四日市工廠(chǎng)“新第 2 廠(chǎng)房”進(jìn)行生產(chǎn)。

　　東芝指出，采用上述制程技術(shù)的 256Gb(32GB)產(chǎn)品預計將在 2017 年前半開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來(lái)?yè)尮祿行?/ PC 用 SSD、以及智慧手機、平板電腦、記憶卡等市場(chǎng)，且今后也計劃推出 512Gb(64GB)產(chǎn)品。

　　東芝表示，和 48 層產(chǎn)品相比，此次新研發(fā)的 64 層產(chǎn)品每單位面積的記憶容量擴大至 1.4 倍，且每片晶圓所能生產(chǎn)的記憶容量增加、每 bit 成本也下滑。

　　日本科技網(wǎng)站 PC Watch 報導，美國 Western Digital 于當地時(shí)間 26 日宣布，已研發(fā)出全球首見(jiàn)的 64 層 3D Flash 技術(shù)，且已透過(guò)和東芝共同營(yíng)運的四日市工廠(chǎng)開(kāi)始進(jìn)行試產(chǎn)，之后預計于 2017 年上半年內整備出可進(jìn)行正式量產(chǎn)的體制。