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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向
- 中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。 某研究所最新研究報告顯示，隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng)，及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片，相較于2015年增長(cháng)近7倍。 預估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%，其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 拓墣
- 關(guān)鍵字： Flash 晶圓
TrendForce：2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng)，及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片，相較于2015年增長(cháng)近7倍。 TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%，其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
- 關(guān)鍵字： Flash NAND
Flash芯片你都認識嗎？
- Flash存儲器，簡(jiǎn)稱(chēng)Flash，它結合了ROM和RAM的長(cháng)處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會(huì )因斷電而丟失數據，具有快速讀取數據的特點(diǎn);在現在琳瑯滿(mǎn)目的電子市場(chǎng)上，Flash總類(lèi)可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據芯片的通信協(xié)議并且結合Flash的特點(diǎn)，給大家一個(gè)全新認識?！ ∫?、IIC?EEPROM IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn)：簡(jiǎn)單的兩條總線(xiàn)線(xiàn)路，一條串行數據線(xiàn)(SDA)
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Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現死亡交叉
- 資料儲存解決方案大廠(chǎng)NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅動(dòng)，讓近年IT基礎架構進(jìn)入新一波的轉型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。 此外值得注意的是，TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： Flash SAS
手機標稱(chēng)16G內存，為何實(shí)際卻少于16G
- 摘要：現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類(lèi)移動(dòng)終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區別，存儲芯片的實(shí)際大小與標稱(chēng)值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說(shuō)手機內存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿(mǎn)足不斷增大的系統文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下： 我們接觸到的16G、32G等手機，為何實(shí)際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH eMMC
中國下個(gè)購并標的：NAND Flash控制芯片
- 中國政府近來(lái)積極透過(guò)中資集團陸續收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈?，F階段，邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀(guān)記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì )MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設法取得大規模制造產(chǎn)能，以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會(huì )MIC產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過(guò)購并，來(lái)改善半導體自制比例過(guò)低的情形，現今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠(chǎng)商或已與外商
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TrendForce：經(jīng)濟前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(cháng)有限
- 全球經(jīng)濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠(chǎng)商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求增長(cháng)，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(cháng)44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠(chǎng)商將會(huì )加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(cháng)率將大幅增長(cháng)50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2016年NAND Fl
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掌握ECC/壞區塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應用效能增
- NAND Flash記憶體在出廠(chǎng)時(shí)是允許部分晶片含有壞區塊，或者好的區塊中含有一些錯誤位元，因此在實(shí)際應用時(shí)，須搭配使用控制器，透過(guò)硬體與軟體進(jìn)行壞區塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統儲存效能。 NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速，平均每1∼2年就前進(jìn)一個(gè)制程世代來(lái)降低成本，在售價(jià)大幅下降情況下，愈來(lái)愈多嵌入式系統，例如：藍光播放器、電視、數位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優(yōu)勢，取代原本使用的NOR型快閃記
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機構TrendForce表示，隨著(zhù)清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過(guò)于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長(cháng)遠來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應用成長(cháng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲存
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD
中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機構TrendForce表示，隨著(zhù)清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過(guò)于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長(cháng)遠來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應用成長(cháng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲存
- 關(guān)鍵字： AND Flash
研調：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過(guò)于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋(píng)果新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過(guò)于求，轉為供需較為平衡的格局。 從供給面觀(guān)察，雖然各家NAND Flash廠(chǎng)商陸續宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問(wèn)題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash
基于TFFS的成像聲吶文件系統設計
- 1 VxWorks系統的啟動(dòng)流程 嵌入式VxWorks操作系統的啟動(dòng)包括兩個(gè)階段，一是BootRom引導，二是VxWorks操作系統映像的啟動(dòng)。BootRom映像也叫做啟動(dòng)映像，它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統來(lái)下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標板上運行的操作系統。它啟動(dòng)后會(huì )重新初始化幾乎所有的硬件系統，這樣操作系統才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區別如表 1所示。 VxWorks內核有多種啟動(dòng)流程。本文基于的聲吶原型機采
- 關(guān)鍵字： VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD
NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！
- 2014年NAND flash銷(xiāo)售數據出爐，IHS報告稱(chēng)，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷(xiāo)售皆有成長(cháng)，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋(píng)果召回，市占和業(yè)績(jì)雙雙下滑。 BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱(chēng)，三星電子穩居NAND flash老大，去年銷(xiāo)售年增4%至90.84億美元，市占率成長(cháng)0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷(xiāo)售也大減將近3億美元。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND flash
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù),1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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