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麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì )持續漲到年底
- 據外媒報道，存儲芯片市場(chǎng)上周出現降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 他認為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì )續漲，有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。 據巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說(shuō)：「所有數據和消息都表明存儲芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì )比預期更強。 」他看好存儲芯片價(jià)格會(huì )持續漲到今年底。 整體來(lái)說(shuō)，Daniel Kim認為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。 他指出，建構數據中心的廠(chǎng)商「重視的是系統的表現而
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash
大陸韓國擴產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過(guò)剩
- 儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠(chǎng)SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團旗下的長(cháng)江存儲武漢廠(chǎng)，也預定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過(guò)于求再現，埋下隱憂(yōu)。 目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠(chǎng)SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠(chǎng)，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數。 稍早三星和美光也都
- 關(guān)鍵字： Flash 晶圓
為滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠(chǎng)
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲器晶圓廠(chǎng)，滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠(chǎng)將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠(chǎng)，主要是為了確保能夠滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(cháng)，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導體工廠(chǎng)需要超過(guò)2年，所以提前做好準備。 SK海力士曾在20
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SK海力士
Flash數據為何不翼而飛
- 芯片貼板后跑不起來(lái)?Flash里面的數據在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無(wú)法正常運行，從而造成整個(gè)系統崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數據異常變化?！ ?nbsp; 1、用戶(hù)代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫(xiě) 例如，在有對Flash寫(xiě)入或擦除操作的代碼中，如果用戶(hù)誤調用了寫(xiě)入或擦除函數或者由于程序跑飛而恰好執行了Flash擦除或寫(xiě)入函數，這自然會(huì )導致數據丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個(gè)允許操作的變量，當執行寫(xiě)入或擦除操作時(shí)，對
- 關(guān)鍵字： Flash 芯片
NAND Flash供不應求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(cháng)19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進(jìn)3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進(jìn)入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著(zhù)，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠(chǎng)商的營(yíng)收
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾
Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢(qián)樹(shù)
- NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1。(法新社) 根據DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長(cháng)率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，Flash則約9兆韓元，遠不如原
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器
中國存儲三大勢力成形 各自進(jìn)擊
- 早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長(cháng)江存儲、晉華集成已積極展開(kāi)建廠(chǎng)、布建產(chǎn)能，就差合肥團隊還未有相關(guān)消息，現在相關(guān)招募信息與環(huán)評結果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 中國發(fā)展存儲成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(cháng)江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng )新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長(cháng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現在從兆易創(chuàng )新的招募消息與合肥長(cháng)鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長(cháng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 Flash
基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究
- 摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件，是市場(chǎng)上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
- 關(guān)鍵字： C6678 DSP flash boot 多核boot I2C引導 SRIO 網(wǎng)絡(luò )
如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用
- 被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿(mǎn)足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯誤，這種錯誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器
關(guān)于單片機中的flash和eeprom
- FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會(huì )集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價(jià)型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫(xiě)型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產(chǎn)了。
- 關(guān)鍵字： 單片機 flash eeprom
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù),1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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