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基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM。在電子設備中，常見(jiàn)的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號，即可保持數據不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數據總線(xiàn)的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
ARM編程中Flash ROM驅動(dòng)示例
- Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
- 關(guān)鍵字： ARM編程 Flash ROM驅動(dòng)
2014年Flash LED市場(chǎng)走勢將呈現M型化
- FlashLED在智慧型手機的滲透率已達100%，看準Flash商機，LED業(yè)者積極投入Flash市場(chǎng)。2013年FlashLED的規格以驅動(dòng)電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內人士認為，2014年FlashLED市場(chǎng)將呈現M型化發(fā)展，高階規格以驅動(dòng)電流1000mA所主導，而低階則會(huì )以驅動(dòng)電流350mA為主。 LEDFlash具有高穩定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅動(dòng)、不需要充電與壽命較長(cháng)等特性，FlashLED已成為智慧型手機標配，以2013年FlashLED市況來(lái)看，主流規
- 關(guān)鍵字： Flash LED
國際廠(chǎng)競搶Flash LED新高地 明年恐見(jiàn)殺價(jià)潮
- LED產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑，壓縮各廠(chǎng)獲利空間，廠(chǎng)商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續開(kāi)發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠(chǎng)欲競逐的市場(chǎng)，除國際大廠(chǎng)PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺廠(chǎng)有億光、新世紀、光寶科等業(yè)者，但近期市場(chǎng)傳出，韓廠(chǎng)三星將走出過(guò)去堅守的4139封裝規格，計劃加入主流的2016規格戰局。隨著(zhù)市場(chǎng)競爭者越來(lái)越多，估計FlashLED明年將會(huì )見(jiàn)到一波價(jià)格下殺潮。 消費者對于智慧型手機要求越來(lái)越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
- 關(guān)鍵字： Flash LED
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù),1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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