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SK 海力士
- 韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經(jīng)歷了又一個(gè)利潤率和收入下降的季度后，表現得很勇敢，強調了需求的逐步恢復，以及在今年早些時(shí)候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話(huà)會(huì )議上，首席財務(wù)官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長(cháng)，降低了銷(xiāo)售額的下降率。然而旗艦智能手機的發(fā)布和人工智能服務(wù)器部署的激增推動(dòng)了芯片需求。"我們相信，內存行業(yè)終于度過(guò)了嚴重的低迷期，正在進(jìn)入全面復蘇階段"。Kim指出，該公司的目標是通過(guò)考慮投資效率和
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預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個(gè)原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動(dòng)，華為Mate
- 關(guān)鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
NAND閃存市場(chǎng)，開(kāi)始洗牌
- 最近，鎧俠和西部數據的合并已經(jīng)傳來(lái)消息，或將于本月達成合并協(xié)議。當初，業(yè)內聽(tīng)到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數據排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動(dòng)存儲市場(chǎng)。具體來(lái)看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數據這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門(mén)，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數量的股份后，西部數據將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
- 關(guān)鍵字： NAND
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱(chēng)，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠(chǎng)們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠(chǎng)
- 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規模擴張。據外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級到236層NAND工藝，并開(kāi)始大規模擴張。報道中稱(chēng)，三星已開(kāi)始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠(chǎng)陸續引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設備。此前消息稱(chēng)，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠(chǎng)提供設備，無(wú)需其他許可。據了解，目前三星西安工廠(chǎng)已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 西安
三星西安工廠(chǎng)工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設備
- 據悉，三星電子經(jīng)營(yíng)高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠(chǎng)，為完成工廠(chǎng)制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開(kāi)始引進(jìn)新設備。西安工廠(chǎng)是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開(kāi)始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬(wàn)張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠(chǎng)內部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。2022 年 1
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第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預估8~13%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)集邦咨詢(xún)研究顯示，由于供應商嚴格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠(chǎng)仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域對Enterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠(chǎng)及模組廠(chǎng)均積極漲價(jià)，促使PC OEM欲在價(jià)格相對低點(diǎn)預備庫存，采購量會(huì )較實(shí)際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷(xiāo)，故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
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三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠(chǎng)提供半導體設備，該決定一經(jīng)通報即生效。據悉，無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。若被納入該清單，便無(wú)需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長(cháng)對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
存儲芯片，果真回暖了
- 受需求放緩、供應增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%，今年 Q1 NAN
- 關(guān)鍵字： NAND SSD DRAM
1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續
- 盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠(chǎng)對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠(chǎng)，因此1γ制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，未來(lái)日本廠(chǎng)也有望導入EUV
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲
消息稱(chēng)三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格
- 10 月 6 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價(jià)格過(guò)低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價(jià)格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來(lái)，三星一直奉行減產(chǎn)戰略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開(kāi)始著(zhù)手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng)
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面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略
- 面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場(chǎng)戰略據韓國新聞媒體報道，隨著(zhù)拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節點(diǎn)能力來(lái)針對國內需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見(jiàn)。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來(lái)10年內避免在中國進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補貼接受者在
- 關(guān)鍵字： CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
集邦咨詢(xún)：2023Q4 NAND 價(jià)格預估增長(cháng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(cháng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(cháng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復蘇的希望。根據集邦咨詢(xún)報道，伴隨著(zhù)主要存儲制造商的持續減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì )上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現，消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現反彈，9 月繼續上漲。行業(yè)巨頭三星繼續減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)7.4%，預期第三季將成長(cháng)逾3%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第二季NAND Flash市場(chǎng)需求仍低迷，供過(guò)于求態(tài)勢延續，使NAND Flash第二季平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）續跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長(cháng)達19.9%，合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)7.4%，營(yíng)收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià)，供過(guò)于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過(guò)，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應商家數多，在庫存仍高的情
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）為應對需求持續減弱，宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據TrendForce集邦咨詢(xún)調查，其他供應商預計也將跟進(jìn)擴大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價(jià)格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢(xún)預測，NAND Flash價(jià)格反彈會(huì )早于DRAM，由于NAND Flash供應商虧損持續擴大，銷(xiāo)售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本，供應商為了維持營(yíng)運而選擇擴大減產(chǎn)，以期帶動(dòng)價(jià)
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce
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