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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區
需求持續下修，第一季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌16.1%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第一季NAND Flash買(mǎi)方采購動(dòng)能保守，供應商持續透過(guò)降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量?jì)H微幅環(huán)比增長(cháng)2.1%，平均銷(xiāo)售（ASP）單價(jià)季減15%，合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團（SK hynix & Solidigm）及西部數據（WDC）量?jì)r(jià)齊跌，沖擊營(yíng)收表現，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價(jià)競爭影響，第一季NAND Flash營(yíng)收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
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兆易創(chuàng )新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世
- 中國北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實(shí)現的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應對大容量代碼存儲需求的同時(shí)，提供極大限度的緊湊型設計自由。近年來(lái)，隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監護、網(wǎng)通等應用的快速發(fā)展，市場(chǎng)需求變化多樣，不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
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NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐
- 據中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財報，營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬(wàn)美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠(chǎng)在內的主要客戶(hù)，目前一致認為市況仍極具挑戰。PC和智能手機終端市場(chǎng)持續呈現疲弱，上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認為，見(jiàn)到一些客戶(hù)的下單模式從第2季開(kāi)始有所改善，再加
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過(guò) 300 條字線(xiàn)的 3D NAND IC。根據其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導側向
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復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日，上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線(xiàn)上發(fā)布會(huì )，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車(chē)規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿(mǎn)足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于工規、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品
- 【2023 年 04 月 10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監測儀、無(wú)人機和 GPS 導航等新型可穿戴應用及工業(yè)應用不斷涌現，有助于實(shí)現精準跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設備中配備更大容量的存儲器。據Omdia 數據顯示，藍牙耳
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預估第二季NAND Flash均價(jià)續跌5~10%，能否止跌端看下半年需求
- 即便原廠(chǎng)持續進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機、筆電等需求仍未見(jiàn)起色，NAND Flash市場(chǎng)仍處在供給過(guò)剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢(xún)預估，第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續恢復供需平衡的關(guān)鍵在于原廠(chǎng)是否有更大規模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢(xún)認為若目前需求端未再持續下修，NAND Flash均價(jià)有機會(huì )在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續疲弱，均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見(jiàn)成
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NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤(pán)取代機械硬盤(pán)指日可待
- 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤(pán)所需的 NAND 芯片降價(jià)導致的。根據集邦咨詢(xún)的數據顯示，NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)并不是什么好消息，但對于普通消費者來(lái)說(shuō)，我們確實(shí)能買(mǎi)到更便宜的固態(tài)
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(2023.3.20)半導體周要聞－莫大康
- 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開(kāi)發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話(huà)，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開(kāi)發(fā)等，直到現在電路板才穩定下來(lái)，因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示，華為現在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步。
- 關(guān)鍵字： 莫大康 半導體 華為 光刻機 NAND
存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌，加上庫存水位過(guò)高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導
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存儲大廠(chǎng)展示300層NAND Flash，預計最快2024年問(wèn)世
- 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
- 關(guān)鍵字： 300層 NAND Flash SK海力士
(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康
- 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開(kāi)發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話(huà)，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開(kāi)發(fā)等，直到現在電路板才穩定下來(lái)，因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示，華為現在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步
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nand-flash介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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