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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區
拆機證實(shí)，國行蘋(píng)果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長(cháng)江存儲國產(chǎn) NAND 閃存
- IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋(píng)果召開(kāi)新品發(fā)布會(huì )，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價(jià) 5999 元。在此之前，韓媒消息稱(chēng)中國廠(chǎng)商長(cháng)江存儲已經(jīng)進(jìn)入蘋(píng)果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續蘋(píng)果也承認正考慮從長(cháng)江存儲采購 NAND 芯片，但僅會(huì )用于在中國銷(xiāo)售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋(píng)果高度依賴(lài)三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠(chǎng)商。因此，市場(chǎng)觀(guān)察人士認為，蘋(píng)果與長(cháng)江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進(jìn)一步
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NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場(chǎng)52.9%份額
- 根據市場(chǎng)研究機構TrendForce最近發(fā)布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場(chǎng)份額。根據數據顯示，2022年二季度三星電子NAND銷(xiāo)售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購的完成，2022年二季度銷(xiāo)售額位36.15億美元，環(huán)比增長(cháng)12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠(chǎng)商，兩家韓國廠(chǎng)商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場(chǎng)52.9%的份額。
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FORESEE中國大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash
- 江波龍（股票代碼：301308）近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā)，能夠極大地幫助客戶(hù)降低整機系統成本，并提升終端的產(chǎn)品競爭力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產(chǎn)，在智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)模塊、安防監控、網(wǎng)絡(luò )通訊等領(lǐng)域得到廣泛應用。加量減價(jià)，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據系統存儲容量需求的不同，客
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應需而生！兆易創(chuàng )新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數據傳輸速度、供電電壓、讀寫(xiě)功耗等關(guān)鍵性能指標上均達到國際領(lǐng)先水平，在針對智能可穿戴設備、健康監測、物聯(lián)網(wǎng)設備或其它單電池供電的應用中，能顯著(zhù)降低運行功耗，有效延長(cháng)設備的續航時(shí)間。 隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設備需要擁有更豐富的功能來(lái)滿(mǎn)足消費者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對系統功耗提出了更嚴苛的要求，希
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三星電子236層NAND閃存預計年內開(kāi)始生產(chǎn)
- 據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會(huì )在年內開(kāi)始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外，它還計劃在本月開(kāi)設一個(gè)新的研發(fā)中心，負責更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數就將創(chuàng )下新高。從韓國媒體的報道來(lái)看，三星電子對即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子的市場(chǎng)份額占了35%，為全球最高。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及
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業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND
- 半導體行業(yè)十分有趣，同時(shí)也充滿(mǎn)挑戰。俗話(huà)說(shuō)，“打江山難，守江山更難”，這句話(huà)形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng )新的極限，以推動(dòng)邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存技術(shù)是我們每天都要應對的挑戰。美光憑借3D NAND新技術(shù)與率先推出的新產(chǎn)品再攀高峰，借此機會(huì )讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來(lái)被公認為3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導廠(chǎng)商，之前我們推出了業(yè)內首款176層替換柵極NAND技術(shù)，再次
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集邦：明年DRAM需求位成長(cháng)8.3％創(chuàng )新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(cháng)
- 根據集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(cháng)僅8.3％，是歷年來(lái)首度低于10％，遠低于供給位成長(cháng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過(guò)于求的情勢下仍相當嚴峻，價(jià)格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過(guò)于求，但價(jià)格下跌應有助于搭載容量提升。從各類(lèi)應用來(lái)看，高通膨持續沖擊消費市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問(wèn)題，品牌超額下訂，加上通路銷(xiāo)售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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美光出貨全球首款232層NAND，進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新技術(shù)，從而為存儲解決方案帶來(lái)前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶(hù)端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過(guò) 200 層，
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SSD價(jià)格還將要大降價(jià)：NAND供應過(guò)剩
- 芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢(xún)表示，需求未見(jiàn)好轉，NAND Flash產(chǎn)出及制程轉進(jìn)持續，下半年市場(chǎng)供過(guò)于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場(chǎng)共識，物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風(fēng)險。因渠道庫存去化緩慢，客戶(hù)拉貨態(tài)度保守，造成庫存問(wèn)題漫溢至上游供應端，賣(mài)方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢(xún)預估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價(jià)格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續至第四季。按照供應鏈的說(shuō)法，雖然仍
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兆易創(chuàng )新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問(wèn)世
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現了進(jìn)一步提升，為消費電子、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監測設備等對電池壽命和緊湊型設計有著(zhù)嚴苛需求的應用提供了理想選擇。 如今，隨著(zhù)5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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累計出貨190億顆！兆易創(chuàng )新NOR閃存高居全球第三
- 在國產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當屬長(cháng)江存儲，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng )新?！ ?月30日，兆易創(chuàng )新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過(guò)190億顆，其中NOR閃存的市場(chǎng)份額更是排名全球前三?！ ≌滓讋?chuàng )新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著(zhù)延長(cháng)電池壽命?！ OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無(wú)線(xiàn)耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長(cháng)21%至35億美元
- Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷(xiāo)售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長(cháng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。預計Nor Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(cháng)21%至35億美元。 Nor Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng )新3家廠(chǎng)商主導，市占率共達91%。 去年華邦電Nor Flash銷(xiāo)售額達10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來(lái)，采用58納米制程生產(chǎn)大多數的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數已轉進(jìn)40納米制程。
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鎧俠為實(shí)現超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
- NAND Flash制造商一直試圖通過(guò)增加每個(gè)單元存儲的位數來(lái)提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個(gè)單元中存儲更多比特數的NAND Flash閃存。據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個(gè)單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數量將隨著(zhù)每個(gè)單元存儲Bits的增加呈指數增長(cháng)。例如，要存儲4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數字會(huì )增長(cháng)到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現的每個(gè)單元
- 關(guān)鍵字： SSD NAND Flash 鎧俠
潛力無(wú)限的汽車(chē)存儲芯片
- 隨著(zhù)智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車(chē)芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車(chē)半導體含量約為燃油車(chē)2倍，智能車(chē)為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車(chē)芯片，2035年增長(cháng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車(chē)芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢?jiàn)芯片將成為汽車(chē)新利潤增長(cháng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導體發(fā)展新驅動(dòng)力?！ ∑?chē)芯片從應用環(huán)節可以分為5類(lèi)：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模約52億美元，國內汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模
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盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？
- 5月30日兆易創(chuàng )新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過(guò)190億顆，年出貨量超過(guò)28億顆，目前兆易創(chuàng )新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng )新NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng )新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過(guò)去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng )新的營(yíng)收與凈利潤均實(shí)現大幅增長(cháng)，2021年和2022年一季度公司營(yíng)收分別增長(cháng)89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長(cháng)39.25%和127.65%。目前芯片行
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