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東芝分拆半導體業(yè)務(wù) 提升東芝/西數陣營(yíng)的NAND Flash競爭力
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查顯示，東芝公司為提升半導體業(yè)務(wù)競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內存業(yè)務(wù)。預期分拆出來(lái)的新公司將有更多經(jīng)營(yíng)彈性及更佳的籌資能力，長(cháng)期而言對東芝/西數(Western Digital)電子陣營(yíng)在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)均有所幫助。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，東芝公司這一做法，一方面為的是應付日漸沉重的產(chǎn)業(yè)競爭環(huán)境，另一方面是為緩解經(jīng)營(yíng)壓力，并滿(mǎn)足籌措營(yíng)運資金的需求。從產(chǎn)業(yè)結構來(lái)看，DRAMeX
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢(qián)的半導體部門(mén)，成立新公司，賣(mài)股籌錢(qián)。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據傳韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報導，業(yè)界專(zhuān)家表示，SK海力士可能會(huì )投資東芝獨立出來(lái)的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場(chǎng)表現出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
- 關(guān)鍵字： SK海力士 NAND
新興市場(chǎng)智能手機需求增 2017年NAND供貨仍吃緊
- 隨著(zhù)全球對于手機、電腦、汽車(chē)等消費性產(chǎn)品需求持續增強，NAND FLASH始終處于供不應求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機市場(chǎng)，當地消費者智慧手機持有率大增，進(jìn)而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續吃緊，特別是在第2、3季最為嚴重。 群聯(lián)董事長(cháng)潘建成表示，預計NAND FLASH今年將持續缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機、電腦、汽車(chē)等終端消費性產(chǎn)品需求仍舊強勁。因應此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉去做3D
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
2017年中國興建晶圓廠(chǎng)支出金額將超40億美元
- 根據 SEMI (國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )) 的最新研究數據表示，當前中國正掀起興建晶圓廠(chǎng)的熱潮，預估 2017 年時(shí)，中國興建晶圓廠(chǎng)的支出金額將超過(guò) 40 億美元，占全球晶圓廠(chǎng)支出總金額的 70%。而來(lái)到2018年，中國建造晶圓廠(chǎng)相關(guān)支出更將成長(cháng)至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。 SEMI 中國臺灣地區產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產(chǎn)產(chǎn)值可望達到 7.2% 的年成長(cháng)率。其中，存儲為其中成長(cháng)的關(guān)鍵。而未來(lái) 5 年之內，全球半導體產(chǎn)業(yè)仍將持續成長(cháng)，到了 2
- 關(guān)鍵字： 晶圓 NAND
存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？
- 在上海一場(chǎng)以“匠心獨運，卓越創(chuàng )芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì )上，長(cháng)江存儲CEO楊士寧先生參會(huì )并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰等問(wèn)題，作了深刻的分析。 為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè) 在詳細介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個(gè)分析。根據他的說(shuō)法，在全球的半導體存儲產(chǎn)品中，NAND 和
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
中國集成電路擴建之后 降低成本是關(guān)鍵
- 或許是巧合!12月30日，長(cháng)江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線(xiàn)這兩個(gè)持續受到業(yè)界關(guān)注的重大項目，同日舉行了開(kāi)工啟動(dòng)儀式。 長(cháng)江存儲是國內最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術(shù)，建成后將扭轉我國存儲器有市場(chǎng)無(wú)產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線(xiàn)建設項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設邏輯芯片的代工生產(chǎn)線(xiàn)，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節點(diǎn)的生產(chǎn)平臺，追趕國際先進(jìn)水平。 隨著(zhù)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn)，中國IC業(yè)
- 關(guān)鍵字： 集成電路 NAND
紫光3D儲存型快閃記憶體廠(chǎng)武漢動(dòng)工 總投資超240億美元
- 中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰場(chǎng)，在武漢興建全球規模最大廠(chǎng)房，總投資金額超過(guò)240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。 紫光集團董事長(cháng)趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠(chǎng)，已經(jīng)正式動(dòng)工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會(huì )在那里投資一個(gè)，也是一個(gè)超過(guò)兩百億美金芯片的工廠(chǎng)” 2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計算中心。 12月30日，紫光宣布動(dòng)工，興建三座全球最大3
- 關(guān)鍵字： 紫光 NAND
大陸韓國擴產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過(guò)剩
- 儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠(chǎng)SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團旗下的長(cháng)江存儲武漢廠(chǎng)，也預定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過(guò)于求再現，埋下隱憂(yōu)。 目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠(chǎng)SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠(chǎng)，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數。 稍早三星和美光也都
- 關(guān)鍵字： Flash 晶圓
2017年NAND產(chǎn)能成長(cháng)有限、價(jià)格走揚
- 2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著(zhù)業(yè)者加速轉進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年。 TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著(zhù)業(yè)者加速轉進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產(chǎn)品前，也將持續缺貨，價(jià)格有望穩健走揚，使NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)運表現持續往上。 DRAMeXch
- 關(guān)鍵字： NAND TrendForce
為滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠(chǎng)
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲器晶圓廠(chǎng)，滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠(chǎng)將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠(chǎng)，主要是為了確保能夠滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(cháng)，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導體工廠(chǎng)需要超過(guò)2年，所以提前做好準備。 SK海力士曾在20
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SK海力士
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