大陸韓國擴產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過(guò)剩

　　儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠(chǎng)SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團旗下的長(cháng)江存儲武漢廠(chǎng)，也預定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過(guò)于求再現，埋下隱憂(yōu)。

　　目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠(chǎng)SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠(chǎng)，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數。

　　稍早三星和美光也都宣布進(jìn)一步擴產(chǎn)行動(dòng)。三星也正于京畿道平澤建設新廠(chǎng)，預定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元(134億美元)，估計12寸晶圓產(chǎn)量可達20萬(wàn)片，雖然三星還未敲定生產(chǎn)項目，但市場(chǎng)推測，因三星DRAM市占已接近跨過(guò)50%門(mén)檻，有反托辣斯法要求分割疑慮，應仍會(huì )以發(fā)展3DNANDFlash為主。

　　半導體設備廠(chǎng)透露，目前六大NANDFlash芯片廠(chǎng)都有持續擴充N(xiāo)ANDFlash芯片計劃，不過(guò)在各家從2D轉3DNAND芯片，因制程難度高，造成供應不足，使今年NAND芯片供應短缺，預料隨3DNAND芯片下半年制程逐步順利，缺貨問(wèn)題會(huì )逐漸紓解。

　　大陸NANDFLASH狂飆，2020年產(chǎn)能拼增近7倍

　　中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展，成為大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。集邦科技旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng)，以及國際大廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年大陸當地NANDFlash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片，相較于2015年成長(cháng)近7倍。

　　集邦預估，2012～2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元成長(cháng)率達47%，其終端消費端需求年平均位元成長(cháng)率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。拓墣研究經(jīng)理林建宏表示，中國大陸在突破存儲自制缺口的政策方針下，將發(fā)展NANDFlash晶圓制造，可由NANDFlash產(chǎn)品特性、3DNAND需求、新興市場(chǎng)的成長(cháng)空間及國際半導體大廠(chǎng)在大陸投資四大方向切入。

　　在NANDFlash產(chǎn)品特性部分，產(chǎn)品在消費性應用下，價(jià)格是主要考量，因此生產(chǎn)成本的控制至為關(guān)鍵。大陸廠(chǎng)商宜透過(guò)折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點(diǎn)。

　　在制程微縮部分，NANDFlash在進(jìn)入2x奈米世代后，制程微縮帶來(lái)的成本優(yōu)勢越來(lái)越不明顯，推遲國際NANDFlash大廠(chǎng)技術(shù)進(jìn)程，因此3DNANDFlash成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出，產(chǎn)品由2D走到3D，需有新的技術(shù)領(lǐng)域加入，若能整合跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，能成為大陸廠(chǎng)商追趕的機會(huì )。

　　在市場(chǎng)需求上，雖然NANDFlash產(chǎn)業(yè)短期仍處于供過(guò)于求，但長(cháng)期而言新興市場(chǎng)仍有成長(cháng)空間。大陸隨著(zhù)一帶一路政策發(fā)展的策略，對開(kāi)發(fā)其周遭新興市場(chǎng)需求有相當助益，妥善安排資源與發(fā)揮對新興國家的影響力，將是大陸獨有的優(yōu)勢所在，也可創(chuàng )造出更多元的NANDFlash需求。

　　另外，國際半導體廠(chǎng)商積極投入大陸市場(chǎng)，在當地培養有經(jīng)驗和技術(shù)的人才，支持廠(chǎng)房運維的高度需求，有助降低大陸當地業(yè)者發(fā)展自主NANDFlash制造的門(mén)檻。大陸透過(guò)廣大的人力和市場(chǎng)成功吸引國際廠(chǎng)商的進(jìn)駐，為大陸發(fā)展NANDFlash產(chǎn)業(yè)帶來(lái)最好機會(huì )。

　　目前在大陸當地生產(chǎn)NANDFlash的業(yè)者以三星為主，英特爾已決定將大連廠(chǎng)改為NANDFlash廠(chǎng)，預計自今年第4季加入生產(chǎn)行列。在當地業(yè)者部分，武漢新芯已決定新建存儲晶圓廠(chǎng)，將從3月底開(kāi)始進(jìn)行建廠(chǎng)工程，目標最快在2018年年初開(kāi)始生存儲芯片，初期規畫(huà)將以目前最先進(jìn)的3D-NANDFlash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來(lái)中國大陸極力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開(kāi)始進(jìn)入新的里程碑。