漫漫存儲路 中國還有幾道關(guān)卡待過(guò)

　　過(guò)去幾年，中國正在瘋狂存儲產(chǎn)業(yè)，尤其是經(jīng)歷了2016年的兼并整合以后，中國的存儲產(chǎn)業(yè)初具規模。但就目前看來(lái)，中國存儲能否大獲成功，就得看在來(lái)年，包括Intel、三星、美光等知名的存儲產(chǎn)品供應商是否愿意和中國簽署相關(guān)技術(shù)授權協(xié)議。

　　IC Insights的分析師指出，隨著(zhù)PC、數據中心服務(wù)器、平板、智能手機和其他設備的興起，中國對DRAM和Flash的渴求達到了一個(gè)前所未有的階段。所以他們在“十三五規劃”里把發(fā)展存儲放在一個(gè)重要的位置。

面臨的難題

　　但坦白說(shuō)，中國現在的技術(shù)儲備，是撐不起中國現在的存儲野心的。其實(shí)隨著(zhù)后續IoT和AI應用的大量興起，存儲需求是會(huì )大量攀升的，對于中國來(lái)說(shuō)，如何迅速獲得核心技術(shù)，就成為中國存儲產(chǎn)業(yè)關(guān)注的首要問(wèn)題。

　　據分析，中國存儲還是需要關(guān)注以下問(wèn)題：

　　(1)中國能否自主設計和生產(chǎn)存儲芯片?

　　(2)如果中國不能自主設計，能否買(mǎi)到有相關(guān)技術(shù)的公司?

　　(3)如果美國CFIUS拒絕中國對其本土企業(yè)發(fā)起的并購，中國還可以從哪里獲得相關(guān)技術(shù)?

　　另外還有一個(gè)重要的問(wèn)題，那就是足夠是否能夠籠絡(luò )到一批經(jīng)驗足夠豐富的存儲相關(guān)工程師，以撐起其發(fā)展的野心。

　　但換個(gè)角度看，存儲供應商同樣面臨困擾(包括美國本土的)。他們需要思考的是一旦中國不想跟他們玩，他們的未來(lái)能怎么辦?

　　這不僅僅是中國市場(chǎng)的問(wèn)題，還有一點(diǎn)就是隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，研發(fā)成本支出也越來(lái)越大，對于一些稍欠缺點(diǎn)競爭力的廠(chǎng)商，他們還需要考慮怎樣才能活下去。不差錢(qián)的中國恰好能夠解決這兩個(gè)問(wèn)題。

　　美國硅谷一個(gè)不具名的半導體高層表示，如果美光和東芝不和中國達成某種合作，他們應該是最先受到?jīng)_擊的。

　　另一個(gè)問(wèn)題是，假設中國真的如期推出了其存儲產(chǎn)品，那么在未來(lái)幾年，全球市場(chǎng)勢必會(huì )面臨NAND和Flash產(chǎn)能過(guò)程的問(wèn)題。

　　IC Insights最近的指出，2016年全球存儲的資金支出大增，但根據過(guò)去的觀(guān)察，這往往會(huì )帶來(lái)產(chǎn)能過(guò)剩和單價(jià)下探的反效果。

　　這也是中國攪局全球市場(chǎng)，帶來(lái)的另一個(gè)重要影響

　　縱觀(guān)全球的存儲市場(chǎng)，尤其是在熱門(mén)的3D NAND FLASH市場(chǎng)，有三星、SK海力士、美光、Intel、東芝/閃迪、XMC/長(cháng)江存儲和眾多新進(jìn)的中國玩家。IC Insights也認為未來(lái)3D NAND Flash的市場(chǎng)需求是非常高的，并將會(huì )持續增長(cháng)的。

　　而在這些玩家之中，三星在其中國西安的工作制造相關(guān)的3D NAND Flash產(chǎn)品，SK海力士則在無(wú)錫生產(chǎn)DRAM，而Intel也在今年年初，把其大連工廠(chǎng)轉成3D NAND Flash生產(chǎn)基地。

　　需要提一下的是，中國的晶圓代工廠(chǎng)SMIC從很多年前開(kāi)始，就逐步停止DRAM業(yè)務(wù)。

　　從現在看來(lái)，中國本土的存儲產(chǎn)業(yè)雖然有點(diǎn)弱小，但是中國大張旗鼓的建設，大基金和政府的支持，這絕對是存儲領(lǐng)域不能忽視的新興力量。

　　從IC Insights的報告我們得知，中國現有的存儲勢力包括：

　　(1)長(cháng)江存儲，這是清華紫光在今年7月收購XMC之后成立的新公司。它的300mm 3D NANND FLASH 晶圓廠(chǎng)已經(jīng)動(dòng)工，產(chǎn)線(xiàn)預計2017年底或者2018年初投入使用。

　　(2)兆易創(chuàng )新和中芯國際前CEO王寧國打造的合肥長(cháng)鑫，專(zhuān)攻DRAM，預計2017年7月動(dòng)工。

　　(3)福建晉華項目，強攻DRAM，由當地政府和聯(lián)電攜手打造。預計2018年第三季度量產(chǎn)。

　　下面我們來(lái)深入了解一下：

　　中國存儲的重要玩家——長(cháng)江存儲

　　長(cháng)江存儲可以說(shuō)是清華紫光求購兩個(gè)美國公司不成的選擇。

　　在2015年，清華紫光向美光科技發(fā)起了一個(gè)230億美元的收購邀約，之后又向西部數據一個(gè)38億美元的投資協(xié)議，但這兩個(gè)發(fā)起統統都被美國政府方面否定。于是紫光集團將目光瞄向了本土的XMC，在今年7月收購后者之后，成立了長(cháng)江存儲。

　　這次的并購釋放出了一個(gè)明顯的信號，那就是無(wú)論多困難，中國也不會(huì )放棄其發(fā)展存儲的野心。

　　XMC本來(lái)是由楊士寧(后辭去武漢新芯CEO職位)運營(yíng)的，之前一直為Spansion(現已被Cypress收購)生產(chǎn)nor flash。在2015年初，XMC宣布和Spansion攜手開(kāi)發(fā)3D NAND Flash。另外，XMC同樣也為兆易創(chuàng )新生產(chǎn)Nor Flash。

　　新的長(cháng)江存儲計劃投入240億美元，分三個(gè)階段建設一個(gè)300mm Fab，現在第一階段的建設已經(jīng)開(kāi)工，預計總體建設工程會(huì )在2019年完成。相關(guān)人士指出，長(cháng)江存儲將會(huì )在2017年底量產(chǎn)32層的3D NAND FLASH，產(chǎn)能達到30萬(wàn)片每月。而技術(shù)則可能來(lái)自于Spansion。

　　但對于這種說(shuō)法，我是有些疑問(wèn)的。

　　在和很多日本從業(yè)者交流過(guò)之后，他們給我的反饋就是，他們對于XMC所說(shuō)的3D NAND Flash相關(guān)技術(shù)存有疑問(wèn)的。他們認為，雖然官方給出了計劃表，但實(shí)際上NAND FLASH什么時(shí)候能夠真正量產(chǎn)，都是一個(gè)未知之數。

　　他們更傾向于相信XMC正在加緊開(kāi)發(fā)3D NAND FLASH技術(shù)。因為Spansion的3D NAND FLASH從來(lái)沒(méi)有量產(chǎn)過(guò)，很多業(yè)者認為，他們的技術(shù)還不夠成熟。

　　就算到XMC真的能拿出32層的3D NAND FLASH技術(shù)，并按時(shí)量產(chǎn)。但屆時(shí)三星和其他玩家甚至可能拿出了100層以上的3D NAND Flash，或者將存儲方向轉向了Intel正在推的3D Xpoint。雖然是有差距，但是對中國來(lái)說(shuō)，也是一個(gè)大突破。

　　而根據行業(yè)專(zhuān)家觀(guān)點(diǎn)，長(cháng)江存儲未來(lái)在存儲上的投入至少達千億規模。