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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區
美光：3D NAND產(chǎn)能總容量已高于2D 二代3D NAND將進(jìn)入大批量產(chǎn)
- 美國記憶體晶片大廠(chǎng)美光科技(Micron)財務(wù)長(cháng)Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時(shí)表示，該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要歷程碑。 科技網(wǎng)站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數量仍高于3D，但就記憶體總容量而言，3D NAND產(chǎn)能的總容量已高于2D產(chǎn)品。 據悉，美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術(shù)。 2D NAND生產(chǎn)依賴(lài)于光刻(lithography)技術(shù)，3D NA
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
美光第二代3D NAND年底大規模量產(chǎn)
- 今年DRAM內存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產(chǎn)了。 對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現在市場(chǎng)上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫(xiě)入壽命，3D NAND閃存都要比傳統2
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
?NAND缺口達顛峰 推升SSD價(jià)漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩健成長(cháng)，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價(jià)格續創(chuàng )年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續至2017年第1季，屆時(shí)企業(yè)級與用戶(hù)級SSD合約價(jià)漲幅將超過(guò)10%，行動(dòng)式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價(jià)格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價(jià)格創(chuàng )下年度新高、eMMC/UFS合約價(jià)季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶(hù)級SSD合約價(jià)也上漲5～10%。 DRAM
- 關(guān)鍵字： ?NAND SSD
不甘心三星拿下NAND市場(chǎng)最大份額 Intel推出市場(chǎng)最低價(jià)產(chǎn)品
- 三星在手機市場(chǎng)遭遇一定挫折，不過(guò)由于全球手機的出貨量成長(cháng)以及對更大容量的內存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場(chǎng)成為大贏(yíng)家，據TrendForce的數據顯示營(yíng)收同比增長(cháng)20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng )下新高。 目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術(shù)數倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
- 關(guān)鍵字： Intel NAND
三星Q3穩居全球NAND市占王，東芝開(kāi)倒車(chē)、被遠遠甩開(kāi)
- 三星憑藉著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開(kāi)東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩。 市調機構DRAMeXchange最新數據顯示，三星第三季NAND存儲器營(yíng)收來(lái)到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。(韓國經(jīng)濟日報) 同期間，東芝NAND存儲器營(yíng)收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個(gè)百分點(diǎn)成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%，此為歷史新高水平。 剛完成并購S(chǎng)anDisk的Western Digital市占率達17.1%
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
Flash數據為何不翼而飛
- 芯片貼板后跑不起來(lái)?Flash里面的數據在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無(wú)法正常運行，從而造成整個(gè)系統崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數據異常變化?！ ?nbsp; 1、用戶(hù)代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫(xiě) 例如，在有對Flash寫(xiě)入或擦除操作的代碼中，如果用戶(hù)誤調用了寫(xiě)入或擦除函數或者由于程序跑飛而恰好執行了Flash擦除或寫(xiě)入函數，這自然會(huì )導致數據丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個(gè)允許操作的變量，當執行寫(xiě)入或擦除操作時(shí)，對
- 關(guān)鍵字： Flash 芯片
[ARM筆記](méi)驅動(dòng)對設備的識別過(guò)程及實(shí)例——NAND Flash
- 驅動(dòng)程序識別設備時(shí)，有以下兩種方法： (1)驅動(dòng)程序本身帶有設備信息，比如開(kāi)始地址、中斷號等;加載驅動(dòng)程序時(shí)，就可以根據這些信息來(lái)識別設備?！ ?2)驅動(dòng)程序本身沒(méi)有設備信息，但是內核中已經(jīng)(或以后)根據其他方式確定了很多設備的信息;加載驅動(dòng)程序時(shí)，將驅動(dòng)程序與這些設備逐個(gè)比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅動(dòng)程序與某個(gè)設備匹配，就可以通過(guò)該驅動(dòng)程序來(lái)操作這個(gè)設備了?！ 群顺Ｊ褂玫诙N方法來(lái)識別設備，這可以將各種設備集中在一個(gè)文件中管理，當開(kāi)發(fā)板的配置改變時(shí)，便于修改代碼。在內核文件incl
- 關(guān)鍵字： NAND 驅動(dòng)
NAND Flash供不應求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(cháng)19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進(jìn)3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進(jìn)入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著(zhù)，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠(chǎng)商的營(yíng)收
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾
Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢(qián)樹(shù)
- NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1。(法新社) 根據DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長(cháng)率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，Flash則約9兆韓元，遠不如原
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器
SSD價(jià)格2016年來(lái)首度大漲，明年第一季價(jià)格估將持續走升
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤(pán))合約均價(jià)近一年來(lái)首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實(shí)際銷(xiāo)售狀況仍保守，但由于非三星陣營(yíng)的原廠(chǎng)仍處于3D-NAND Flash轉換陣痛期，及龍頭廠(chǎng)商持續以提升獲利為主要策略下，預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價(jià)仍將持
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)程分析
- 在理解bootloader后,花些時(shí)間重新學(xué)習了開(kāi)源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
- 關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
中國存儲三大勢力成形 各自進(jìn)擊
- 早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長(cháng)江存儲、晉華集成已積極展開(kāi)建廠(chǎng)、布建產(chǎn)能，就差合肥團隊還未有相關(guān)消息，現在相關(guān)招募信息與環(huán)評結果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 中國發(fā)展存儲成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(cháng)江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng )新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長(cháng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現在從兆易創(chuàng )新的招募消息與合肥長(cháng)鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長(cháng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 Flash
大陸存儲器需求進(jìn)展超預期 東芝經(jīng)營(yíng)壓力暫時(shí)松口氣
- 日本存儲器大廠(chǎng)東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場(chǎng)需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚，2016上半會(huì )計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現亮眼。 東芝財務(wù)長(cháng)平田政善在11日東芝財報記者會(huì )上說(shuō)明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。 平田表示，在當今智能手機大打硬件規格戰，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據日經(jīng)調查，目前市況單一標準規格存儲器約3美元，價(jià)格
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash
- 據韓國經(jīng)濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過(guò)客戶(hù)端認證，最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬(wàn)~3萬(wàn)片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開(kāi)始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
- 關(guān)鍵字： SK海力士 NAND
nand-flash介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條nand-flash!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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