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2017年NAND產(chǎn)能成長(cháng)有限、價(jià)格走揚

作者: 時(shí)間:2016-12-23 來(lái)源:eettaiwan 收藏

  2017年 Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著(zhù)業(yè)者加速轉進(jìn)3D-,2017年2D-缺貨情況將持續一整年。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201612/341986.htm

  記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示,2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著(zhù)業(yè)者加速轉進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年,而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產(chǎn)品前,也將持續缺貨,價(jià)格有望穩健走揚,使NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)運表現持續往上。

  DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,在今年新增產(chǎn)能及制程轉換同時(shí)進(jìn)行的情況下,業(yè)者自2016年第二季起加速3D-NAND的制程轉進(jìn),整體3D-NAND產(chǎn)出比重在年底前達到30%,而自明年起在整體投片產(chǎn)能僅年增6%的成長(cháng)幅度下,多數業(yè)者將開(kāi)始降低2D-NAND的供貨來(lái)達到提升3D-NAND產(chǎn)能的目標,因此,DRAMeXchange預估,自2017年第一季起2D-NAND的供給量滑落的速度將加快,至第三季占整體NAND出貨比重將滑落至50%以下。

  然而,在3D-NAND的進(jìn)展上,64層堆疊的3D-NAND Flash在良率與eMMC/UFS、用戶(hù)級SSD、企業(yè)級SSD等OEM產(chǎn)品的導入上,挑戰性皆增加,因此明年3D-NAND在64層堆疊的產(chǎn)品成熟前也將維持供應吃緊的狀況,最快要到2017年第三季起才有機會(huì )成熟量產(chǎn)出貨。

  從需求端來(lái)看,由于智慧型手機成長(cháng)放緩、平板電腦出貨持續衰退,相關(guān)行動(dòng)式 NAND的需求成長(cháng)動(dòng)能將改由平均搭載量(Content per box)來(lái)驅動(dòng),而在新款iPhone出貨主流為128GB下,其他智慧型手機品牌也加速提升eMMC/UFS的容量來(lái)提高產(chǎn)品競爭力。

  DRAMeXchange預估,2017年第四季全球筆電出貨的固態(tài)硬碟滲透率將超越50%,且企業(yè)級SSD的需求也隨著(zhù)伺服器/資料中心的需求強勁成長(cháng)而快速上揚,再加上固態(tài)硬碟的平均搭載量也持續增加,使得2017年整體固態(tài)硬碟需求成長(cháng)率將高達60%,所消耗的Flash比重也將正式站上40%大關(guān),為各項NAND Flash終端需求中表現最強勁的應用。



關(guān)鍵詞: NAND TrendForce

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