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三星、東芝競擴產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長(cháng)持續大于需求,預估NAND Flash今年底報價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續至2018年。市調機構IHS iSuppli最
  • 關(guān)鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

8月NAND合約價(jià) 較上月跌近2成

  • 根據研調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,NAND Flash合約價(jià)在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續跌5~10%,亦即8月合約價(jià)較7月重跌11~18%
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  Flash芯片   

三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

  • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比,具有包
  • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤(pán)   

三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

  • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升,節省電力消耗,并提高了急需
  • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤(pán)   

SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲芯片大揭秘

  • 現在每一個(gè)閃存廠(chǎng)家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì )3D Nand Technical Workshop,I
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  存儲技術(shù)  

IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

  • 隨著(zhù)DRAM和NAND技術(shù)持續邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀(guān)察有關(guān)DRAM和NAND供應商的最新動(dòng)態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

NAND flash和NOR flash的區別詳解

  • 我們使用的智能手機除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲呢,這就是我
  • 關(guān)鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

DSP硬件設計需要知道的注意事項

  • 數字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設備,通過(guò)CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
  • 關(guān)鍵字: 硬件設計  FlaSh  DSP  

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶(hù)可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
  • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

  • 市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠(chǎng)商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
  • 關(guān)鍵字: NAND  Flash   

美光:始終專(zhuān)注企業(yè)級閃存 觀(guān)望3D NAND

  • 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下,2D或者說(shuō)平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續統治存儲領(lǐng)域。作為佐證,美光(Micron)公司有意將這套已出現兩
  • 關(guān)鍵字: 美光  企業(yè)級閃存  NAND   

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉

  • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉,關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶(hù)頭疼的難點(diǎn),他們強調已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高,只能每天眼睜睜看著(zhù)一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
  • 關(guān)鍵字: 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

3D NAND競爭火熱 三星成市場(chǎng)最大贏(yíng)家

  • 最近隨著(zhù)SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來(lái)越高,許多半導體廠(chǎng)商也開(kāi)始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中,又以三星電子率先在這場(chǎng)競爭中獲益最多,取得領(lǐng)先地位。
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  三星  

3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

  •   存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生,哪里有數據,哪里就會(huì )需要存儲芯片。而且隨著(zhù)大數據、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。   當前,我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠(chǎng)商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠(chǎng)商帶動(dòng)數據中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠(chǎng)商對存儲需求量巨大。   相關(guān)數據顯示,2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  DRAM  

美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準中高階手機市場(chǎng)

  •   美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產(chǎn)品。   美光移動(dòng)事業(yè)行銷(xiāo)副總Gino Skulick在接受EE Times專(zhuān)訪(fǎng)表示,美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機市場(chǎng),此區塊市場(chǎng)占全球智能型手機總數的50%。   而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
  • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  
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