EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
NEC All Flash MCU應用技術(shù)全國巡回研討會(huì )
- NEC電子是世界上首家可以提供All Flash MCU的廠(chǎng)商，隨著(zhù)flash存儲器技術(shù)的成熟以及功耗、成本的下降，它已經(jīng)被越來(lái)越多地應用于MCU。從NEC電子All Flash MCU保持年均3倍以上增速的交貨量來(lái)看，All Flash MCU在業(yè)界被越來(lái)越多的人認知并大受歡迎的事實(shí)已不容置疑。 為協(xié)助更多的工程師快速了解NEC電子全新的All Flash MCU,全面展示其卓越性能與廣泛應用，從2008年10月9日起， NEC電子將與其授權代理商世強電訊攜手，蔚為壯觀(guān)地在全國11個(gè)城市巡回舉
- 關(guān)鍵字： MCU All Flash NEC
NAND閃存市場(chǎng)近兩月呈現“崩潰”現象
- 市場(chǎng)研究機構Gartner分析師Bryan Lewis表示，2008年的NAND閃存市場(chǎng)原本已經(jīng)朝著(zhù)成長(cháng)趨勢前行，但現在卻出現了10%的下滑。Lewis表示，雖然有多數半導體類(lèi)別市場(chǎng)仍成長(cháng)強勁，但NAND閃存市場(chǎng)卻在過(guò)去的兩個(gè)月內呈現“崩潰”現象。 考慮到宏觀(guān)經(jīng)濟因素及庫存過(guò)剩帶來(lái)的歐美市場(chǎng)需求趨緩，Gartner認為，2008年NAND閃存的市場(chǎng)營(yíng)收僅139億美元，與去年相較下滑10.1%。Lewis表示：「閃存市場(chǎng)過(guò)去一度被看好，現在卻被認為將會(huì )顯著(zhù)下滑。閃存需
- 關(guān)鍵字： NAND 半導體 Gartner 市場(chǎng)需求
商刊：三星看中了SanDisk的什么價(jià)值
- 北京時(shí)間9月8日《商業(yè)周刊》文章指出，領(lǐng)先的閃存卡廠(chǎng)商SanDisk的業(yè)績(jì)一直沒(méi)什么起色，但是它有很多對三星有用的東西，比如專(zhuān)利權、鑰匙鏈驅動(dòng)和MP3播放器等。 在過(guò)去的一年時(shí)間里，閃存芯片價(jià)格一直在下跌，加上其數字媒體設備的銷(xiāo)售狀況也沒(méi)有任何起色，SanDisk也許很快就會(huì )被三星集團收購。 三星公開(kāi)表示它正在考慮是否收購S(chǎng)anDisk之后，SanDisk股票在9月5日暴漲了31％。 SanDisk發(fā)布了一項聲明，但是沒(méi)有證實(shí)或否認三星是否提出了收購要約。 在股價(jià)暴漲之前，SanDi
- 關(guān)鍵字： 三星 SanDisk 閃存卡 數字媒體 NAND
全球半導體廠(chǎng)商逆勢擴張 市場(chǎng)競爭白熱化
- 世界經(jīng)濟蕭條和半導體價(jià)格下跌讓全球半導體市場(chǎng)陰云密布。世界半導體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認為，世界排名第5的德國DRAM廠(chǎng)商奇夢(mèng)達等部分企業(yè)最近面臨嚴重危機，隨著(zhù)產(chǎn)業(yè)結構進(jìn)入重新洗牌階段，半導體價(jià)格已跌至谷底。 半導體產(chǎn)業(yè)的危機已達到頂點(diǎn) 最近，半導體行業(yè)面臨著(zhù)前所未有的危機。尤其
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND DRAM 奇夢(mèng)達
12寸晶圓首超8寸晶圓 主導全球半導體產(chǎn)能
- 根據美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）的最新統計數據，12寸晶圓首度超越8寸晶圓，在全球晶圓制造產(chǎn)能（wafermanufacturingcapacity）以及實(shí)際加工晶圓（actualwafersprocessed）中占有最高的比例，分別占總產(chǎn)能的44%以及總加工硅晶圓的47%. 此外SIA并指出，整體晶圓產(chǎn)能利用率仍在89%的高水平，其中先進(jìn)制程的利用率甚至超過(guò)95%.SIA總裁GeorgeScalise表示，由于占芯片需求約八成的
- 關(guān)鍵字： 半導體 12寸 8寸 晶圓 NAND
英特爾發(fā)布高性能SATA固態(tài)驅動(dòng)器產(chǎn)品規劃
- 英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部日前發(fā)布了高性能固態(tài)驅動(dòng)器（SSD）的產(chǎn)品線(xiàn)規劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅動(dòng)器適用于移動(dòng)與臺式機客戶(hù)端、企業(yè)級服務(wù)器、存儲設備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱(chēng)作英特爾高性能SATA固態(tài)驅動(dòng)器產(chǎn)品線(xiàn)，是基于固態(tài)閃存的數據存儲設備，用于存儲計算機中的數據，可模擬并替代某些計算機中的硬盤(pán)驅動(dòng)器。 與傳統的硬盤(pán)驅動(dòng)器（HDD）和目前市場(chǎng)上的固態(tài)驅動(dòng)器相比，英特爾的全新固態(tài)驅動(dòng)器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統響應能力和計算機開(kāi)/關(guān)啟動(dòng)時(shí)間，卓越的耐用性和可靠性，更長(cháng)的電池壽命和更低的企業(yè)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 固態(tài)驅動(dòng)器 SSD NAND
Hynix新NAND快閃記憶體制造廠(chǎng)在清州投產(chǎn)
- 據國外媒體報道，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示，其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠(chǎng)正式投產(chǎn)。 據國外媒體報道，Hynix表示，該新廠(chǎng)位于清州，月產(chǎn)量可達到30萬(wàn)件，并有望于在數月后提高到50萬(wàn)件。 Hynix在清州還建有另外兩個(gè)芯片制造廠(chǎng)，目前正在運作當中。 Hynix的首席執行官Kim Jong-gap表示，公司計劃加強產(chǎn)品在價(jià)格方面的競爭力，并在接下來(lái)的研發(fā)道路中保持高水準的投資。
- 關(guān)鍵字： NAND Hynix 快閃記憶體
臺灣工研院建固態(tài)硬盤(pán)認證平臺
- 固態(tài)硬盤(pán)(SSD)借低價(jià)電腦熱潮迅速興起，英特爾、三星等國際大廠(chǎng)結合NAND閃存芯片制造和技術(shù)優(yōu)勢走在前列，臺系陣營(yíng)為了急起直追，由當地工業(yè)情報機構工研院、測試廠(chǎng)百佳泰和臺廠(chǎng)合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認證平臺，希望藉此機會(huì )把SSD硬件測試平臺建立起來(lái)，為臺灣廠(chǎng)商臺廠(chǎng)搶占固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)先機。 工研院電光所詹益仁表示，英特爾將推出容量高達80GB的SSD產(chǎn)品，2009年還將推出100GB產(chǎn)品，其他包括三星電子、東芝等廠(chǎng)商也都在積極介入
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤(pán) NAND 閃存芯片 SSD
英特爾筆記本專(zhuān)用SSD硬盤(pán)30天內上市
- 英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅動(dòng)器(SSD)的產(chǎn)品線(xiàn)規劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅動(dòng)器適用于移動(dòng)與臺式機客戶(hù)端、企業(yè)級服務(wù)器、存儲設備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱(chēng)作英特爾高性能SATA固態(tài)驅動(dòng)器產(chǎn)品線(xiàn)，是基于固態(tài)閃存的數據存儲設備，用于存儲計算機中的數據，可模擬并替代某些計算機中的硬盤(pán)驅動(dòng)器。 與傳統的硬盤(pán)驅動(dòng)器(HDD)和目前市場(chǎng)上的固態(tài)驅動(dòng)器相比，英特爾的全新固態(tài)驅動(dòng)器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統響應能力和計算機開(kāi)/關(guān)啟動(dòng)時(shí)間，卓越的耐用性和可靠性，更長(cháng)的電池壽命和更低的企業(yè)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 固態(tài) 驅動(dòng)器 SSD HDD
NAND閃存市場(chǎng)價(jià)格一路下滑 降幅超10%
- 來(lái)自閃存制造業(yè)界的消息稱(chēng)，預計在八月份晚期，當前閃存芯片市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價(jià)格將雙雙下滑10%. NAND閃存芯片多用于當前的消費類(lèi)產(chǎn)品上，包括蘋(píng)果的iPhone手機、iPod音樂(lè )播放器以及數碼相機等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費類(lèi)產(chǎn)品的傳統銷(xiāo)售旺季，但今年卻無(wú)法止住NAND閃存芯片價(jià)格下滑步伐。 三星電子以及SanDisk都對未來(lái)的NAND閃存市場(chǎng)持悲觀(guān)態(tài)度，由于NAND閃存價(jià)格一路下滑，從而引發(fā)他們失去對該市場(chǎng)信心。與此
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND 芯片 三星
NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能
- 利用50-40nm的工藝制程節點(diǎn)，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過(guò)2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強勁增長(cháng)，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內。由于數字內容需要的增長(cháng)，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿(mǎn)足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會(huì )議的論文和2007
- 關(guān)鍵字： NAND 柵極感應 DDR MLC MLC
三星上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量位列全球第一。 三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱(chēng)，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷(xiāo)售額達75.1億美元，占全球閃存市場(chǎng)的30%。 韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場(chǎng)份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位，市場(chǎng)份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷(xiāo)，第二季度該類(lèi)產(chǎn)品銷(xiāo)售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷(xiāo)售的42.3%，
- 關(guān)鍵字： 三星 閃存 NAND DRAM
三星上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量位列全球第一。 三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱(chēng)，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷(xiāo)售額達75.1億美元，占全球閃存市場(chǎng)的30%。 韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場(chǎng)份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位，市場(chǎng)份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷(xiāo)，第二季度該類(lèi)產(chǎn)品銷(xiāo)售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷(xiāo)售的42.3%，
- 關(guān)鍵字： 三星 半導體 DRAM NAND
TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI
- TDK 公司日前宣布開(kāi)發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計劃于九月份開(kāi)始銷(xiāo)售。 GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節/頁(yè)和4K字節/頁(yè)的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元 （SLC） 和多級單元（MLC） NAND 閃存，實(shí)現了從128M字節到1 G字節（SLC） 和256M字節到32G字節（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
- 關(guān)鍵字： TDK NAND 閃存 控制器 LSI
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473