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nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
2008年全球半導體市場(chǎng)將出現從緊態(tài)勢
- 市場(chǎng)調研機構Gartner公司最近發(fā)布報告,稱(chēng)由于受到美國經(jīng)濟低迷和DRAM芯片市場(chǎng)拖累,預計2008年全球半導體廠(chǎng)商支出將下降19.8%,達475億美元。 Gartner公司負責半導體制造業(yè)務(wù)調查的副總裁Klaus Rinnen表示,“原來(lái)所預測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了,大多數廠(chǎng)商選擇了從緊的投資策略。就當前的市場(chǎng)行情,預計今年DRAM市場(chǎng)支出將減少47%,而整個(gè)存儲芯片市場(chǎng)費用支出將減少29%”。 Gartner還稱(chēng),預計今年全球用于芯片設
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磁阻式隨機存儲器將挑戰閃存
- 磁阻式隨機存儲器(MRAM)將優(yōu)于快閃記憶體(Flash閃存)?飛思卡爾半導體正試圖證明這一點(diǎn)。 根據消息,飛思卡爾半導體(前摩托羅拉公司芯片部門(mén))周一宣布,它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險投資公司的加入。據悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司,側重于研發(fā)制造MRAM(磁阻式隨機存儲器),其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。 MRAM與快閃記憶體不同,它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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汽車(chē)MCU演繹四大發(fā)展趨勢
- 過(guò)去幾年里,平均一部汽車(chē)大約會(huì )用到20顆MCU,而現在汽車(chē)中使用的MCU數量已達40-60顆,部分高檔轎車(chē)MCU數量已經(jīng)達到上百顆。2004年,全球汽車(chē)半導體的收入是160億美元,其中汽車(chē)MCU的銷(xiāo)售收入就占到34%。據預測,2005年,汽車(chē)MCU所占比例還將保持這一數字。? 目前,汽車(chē)MCU已經(jīng)進(jìn)入汽車(chē)動(dòng)力系統、汽車(chē)安防系統、汽車(chē)娛樂(lè )系統、汽車(chē)導航與遠程通信系統,這些系統對汽車(chē)MCU提出了不同的要求,推動(dòng)汽車(chē)MCU不斷發(fā)展。汽車(chē)MCU在提高性能的同時(shí),在應用上也將以不同于消費、通信中的應
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08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷(xiāo)量
- MP3/PMP市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)4Q07傳統旺季的促銷(xiāo)熱賣(mài),達到單季6,300萬(wàn)臺以上的銷(xiāo)售紀錄后,1Q08在淡季因素的效應影響下,出貨量銳減至4,258萬(wàn)臺。以目前全球MP3/PMP市場(chǎng)來(lái)看,Apple仍是MP3/PMP市場(chǎng)的領(lǐng)導品牌,今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場(chǎng)的市占率達73%,全球市場(chǎng)其它的一線(xiàn)品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。 單以Apple目前的iPod系列產(chǎn)品來(lái)看,最引人關(guān)注的是高階機種iPod Touch在2008年2月
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英特爾美光推指甲芯片 工藝最先進(jìn)容量翻番
- 【賽迪網(wǎng)訊】5月30日消息,當地時(shí)間本周四,英特爾和美光科技公布了它們聯(lián)合開(kāi)發(fā)的將催生大容量廉價(jià)固態(tài)硬盤(pán)的34納米工藝、32Gb容量的NAND閃存芯片。 據國外媒體報道稱(chēng),新款閃存芯片的尺寸大小不及指甲蓋大小、利用300毫米晶圓片制造。英特爾官員稱(chēng),這款閃存芯片是當前工藝最先進(jìn)的NAND閃存芯片,將為在小型設備上提供廉價(jià)、大容量的固態(tài)硬盤(pán)奠定基礎。 兩家公司計劃6月份交付樣品芯片,批量生產(chǎn)會(huì )在今年下半年開(kāi)始。 據英特爾講,基于其新NAND閃存設計的一個(gè)32Gb芯片可以存儲2000張高
- 關(guān)鍵字: 英特爾 美光科技 NAND 閃存芯片
Symbian Ready 項目助力產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品質(zhì)量提升
- 市場(chǎng)領(lǐng)先的開(kāi)放式手機操作系統供應商——Symbian軟件有限公司今日發(fā)布“Symbian Ready”技術(shù)認證項目。 “Symbian Ready”旨在確保Symbian的客戶(hù),即市場(chǎng)領(lǐng)先的手機制造商可以從高質(zhì)量的產(chǎn)業(yè)鏈解決方案中獲益,并為產(chǎn)業(yè)體系中的合作伙伴向移動(dòng)領(lǐng)域中的核心決策者展示其解決方案的優(yōu)異質(zhì)量提供更多的機會(huì )。 “Symbian Ready”將幫助合作伙伴以最有效的方式運用Symbian操
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可管理NAND:適用于移動(dòng)設備的嵌入式大容量存儲革新

- 與多年前相比,現在的移動(dòng)消費電子裝置結構復雜,功能豐富,能夠存儲大量音樂(lè )、照片和視頻內容。讓人欣慰的是,存儲系統的體系結構能夠適應這些新的數據密集型應用。例如,適用于大容量存儲的高性?xún)r(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機、MP3 播放器和數碼相機中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。 隨著(zhù)工藝技術(shù)的進(jìn)步,存儲器密度大約每 12 至 18 個(gè)月即提高一倍。對于 NAND 閃存而言,這意味著(zhù)對多層單元 (MLC) 技術(shù)的重視程度日益提高。傳統的單層單元 (SLC) NAND 閃存
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存儲器大廠(chǎng)意外頻發(fā)“穩定”行業(yè)價(jià)格
- 近期記憶體業(yè)者常幽默指出,以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動(dòng)價(jià)格,一是每年1次的晶圓廠(chǎng)跳電事件,帶來(lái)的“自然減產(chǎn)機制”,使得上游供給減少,二是記憶體廠(chǎng)制程凸捶,導致的供給大減,尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴(lài)個(gè)人電腦(PC)的成長(cháng)性,很難再出現需求大好的情況,只好想盡辦法讓供給減少,維持價(jià)格秩序。 意外事件+制程出錯 穩定價(jià)格的捷徑 2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠(chǎng)房意外電線(xiàn)走火,導致NAND Fla
- 關(guān)鍵字: 存儲器 DRAM NAND 晶圓 三星 海力士 NB DT
基于GPRS的遠程心電實(shí)時(shí)監護儀軟件系統設計

- 當今社會(huì ),心臟疾病已嚴重影響了人們的生命安全,許多突發(fā)患者因得不到及時(shí)救治而使生命受到威脅。傳統的心電監護設備限制了患者的自由,動(dòng)態(tài)心電記錄儀(Holter)雖能便攜地記錄患者日?;顒?dòng)時(shí)的心電數據,但是沒(méi)有實(shí)時(shí)監護功能,對于危及生命的突發(fā)心臟病變幫助不大。 無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的日漸成熟使便攜式心電實(shí)時(shí)監護成為可能。利用GPRS無(wú)線(xiàn)數據通信技術(shù),可將實(shí)時(shí)監護功能與Holter結合起來(lái)?;颊呖梢耘浯鞅O護儀自由活動(dòng),同時(shí)可隨時(shí)隨地得到心電監護。緊急情況發(fā)生時(shí),患者掌握著(zhù)可靠的求生路徑;而醫生可根據全面的心電
- 關(guān)鍵字: GPRS 遠程 監護儀 心電 實(shí)時(shí) Holter 單片機 電源 NAND Flash LCD GSM/GPRS無(wú)線(xiàn)通信
NAND Flash毛利率不復當年 新帝全球裁員
- 受到NAND Flash價(jià)格直落影響,原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執牛耳地位的新帝(SanDisk),日前無(wú)預警全球大裁員,這次裁員幅度約10分之1。目前以美國總部作為初步的縮減人力計劃區域,但其它地區包括亞洲在內,不排除有進(jìn)一步縮減人力的計劃。 事實(shí)上,新帝在2年前合并以色列儲存廠(chǎng)商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤(pán)之后,新帝的營(yíng)運組織就一直在改組,但這次是首度大規模裁員,也使得內部員工人心惶惶。 新帝的營(yíng)運業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 記憶卡 新帝 SanDisk
可管理NAND:適用于移動(dòng)設備的嵌入式大容量存儲革
- 與多年前相比,現在的移動(dòng)消費電子裝置結構復雜,功能豐富,能夠存儲大量音樂(lè )、照片和視頻內容。讓人欣慰的是,存儲系統的體系結構能夠適應這些新的數據密集型應用。例如,適用于大容量存儲的高性?xún)r(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機、MP3 播放器和數碼相機中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。
- 關(guān)鍵字: NAND 移動(dòng)設備 嵌入式 大容量
一種在片上系統中實(shí)現Nand Flash控制器的方法

- 1 引 言 Flash因為具有非易失性及可擦除性在數碼相機、手機、個(gè)人數字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。自1989年?yáng)|芝公司發(fā)表了Nand Flash結構以來(lái), Nand Flash以其相對于Nor Flash具有更小的體積,更快的寫(xiě)入和擦除速度,更多次的可擦除次數,以及更低廉的每bit價(jià)格得到了迅速發(fā)展。大容量的Nand Flash特別適合現在數碼設備中大數據量的存儲攜帶,可以降低成本,提高性能。 ARM7TDMI是世界上廣泛使用的32位嵌入式RIS
- 關(guān)鍵字: Flash ARM SoC
存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先公司協(xié)作創(chuàng )建 NAND 閃存標準接口
- 2008 年 4 月 24 日,北京訊 日前,LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布加盟開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFi) 工作組。該工作組由業(yè)界領(lǐng)先公司組成,致力于簡(jiǎn)化 NAND 閃存在消費類(lèi)電子產(chǎn)品、計算平臺以及工業(yè)系統中的集成。 LSI 負責公司策劃與市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)的高級副總裁 Phil Brace 表示:“作為業(yè)界領(lǐng)先的供應商,LSI不僅能為硬盤(pán)驅動(dòng)器制造商提供集成電路,同時(shí)還可以面向全球領(lǐng)先服務(wù)器 OEM 廠(chǎng)商提供磁盤(pán)存儲系統與軟件,因此,完全能夠為 ONFi 計劃提供
- 關(guān)鍵字: LSI NAND ONFi
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫(xiě)速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行,如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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