EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
報告稱(chēng)：07年全球集成電路出貨量將增長(cháng)10%
- 10月21日消息，據外電報道，市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長(cháng)率從原來(lái)的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(cháng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強勁增長(cháng)，如DRAM內存出貨量增長(cháng)49%，NAND閃存出貨量增長(cháng)38%，接口集成電路出貨量增長(cháng)60%，數據轉換集成電路出貨量增長(cháng)58%，汽車(chē)模擬集成電路出貨量增長(cháng)32%。 ICInsights稱(chēng)，如果2007年全球集成電路出貨量增長(cháng)率達到10%或者更高，這將是連續第六年的兩位增長(cháng)
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 集成電路 NAND 閃存
DRAM現貨市場(chǎng)持續走弱 合約市場(chǎng)交易冷清
- 現貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續走弱;而DDR則因供應不足價(jià)格緩步盤(pán)堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后，暫時(shí)止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面，由于現貨市場(chǎng)供給數量仍舊不足，上周也曾出現缺貨狀況，價(jià)格持續小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 十月份合約市場(chǎng)相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠(chǎng)商甚至認為，倘若預期十一
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
NAND閃存價(jià)格反彈 帶動(dòng)八月芯片銷(xiāo)售增長(cháng)
- 根據半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )SIA報告，2007年8月全球芯片銷(xiāo)售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數字猛升4.9%。8月份銷(xiāo)售增長(cháng)超過(guò)分析師預測，比2007年7月的三月平均銷(xiāo)售額206.1億美元增長(cháng)4.5%。 SIA表示，增長(cháng)歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷(xiāo)售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷(xiāo)售價(jià)格比7月增長(cháng)19%，與2006年8月相比增長(cháng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節性增長(cháng)帶來(lái)全球半導體銷(xiāo)售連續健
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 NAND 閃存 芯片 MCU和嵌入式微處理器
單片機的FLASH引導裝載系統設計
- 前言DSP系統的引導裝載是指在系統加電時(shí)，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統的可靠性和處理速度，是DSP系統設計中必不可少的重要環(huán)節。在裝載系統中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫(xiě)存儲器，而且單位存儲比特的價(jià)格比傳統EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 FLASH 裝載系統 DSP 單板計算機
NAND閃存價(jià)格走好 東芝晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能滿(mǎn)載利潤大漲
- Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預計2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預計之上?！?價(jià)格已經(jīng)觸底
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 NAND 閃存 東芝 嵌入式
C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
- 摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤(pán)、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實(shí)際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F 引 言 大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 數據存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器
TMS320C6713的FLASH引導裝載系統設計
- 前言 DSP系統的引導裝載是指在系統加電時(shí)，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統的可靠性和處理速度，是DSP系統設計中必不可少的重要環(huán)節。在裝載系統中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫(xiě)存儲器，而且單位存儲比特的價(jià)格比傳統EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 TMS320C6713 FLASH 中間件 軟件庫
NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌
- 九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。 根據內存市場(chǎng)研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對穩定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。 據臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。 雖然許多內存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報價(jià)仍然加
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 NAND 閃存 嵌入式
51內核8位單片機MAX7651的開(kāi)發(fā)環(huán)境
- 摘要：介紹一種基于四時(shí)鐘周期、高速8051內核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開(kāi)發(fā)基于MAX7651的應用系統時(shí)所面臨的問(wèn)題，并推薦相應的解決方案。 關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時(shí)鐘周期 在全球8位單片機領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導者。借助英特爾廣泛的授權行為，基于8051內核的8位單片機兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
- 關(guān)鍵字： MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時(shí)鐘周期 MCU和嵌入式微處理器
AVR單片機的RC5和RC6算法比較與改進(jìn)
- 摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無(wú)線(xiàn)數據傳輸應用方面很有優(yōu)勢。本文基于A(yíng)tmega128高速嵌入式單片機，實(shí)現RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進(jìn)行匯編語(yǔ)言的優(yōu)化及改進(jìn)。根據實(shí)驗結果。對兩種算法的優(yōu)熱點(diǎn)進(jìn)行比較和分析。 關(guān)鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash 引言 在無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)中，傳輸的介質(zhì)主要是無(wú)線(xiàn)電波和紅外線(xiàn)，任何具有接收能力的竅聽(tīng)者都有可能攔截無(wú)線(xiàn)信道中的數據，掌握
- 關(guān)鍵字： Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的NAND FLASH控制器
- 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤(pán)、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以?xún)r(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時(shí)序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度，于是就要求有一個(gè)控制器，使系統用戶(hù)能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 FPGA NAND FLASH 嵌入式
三星產(chǎn)能轉向NAND閃存 公司市場(chǎng)份額猛增
- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷(xiāo)售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長(cháng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli內存/存儲系統首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長(cháng)11%，出貨量增加歸功于擴大蘋(píng)果iPhone和iPod等消
- 關(guān)鍵字： 消費電子 三星 NAND 閃存 消費電子
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473