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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
iSuppli：NAND flash市場(chǎng)收入將進(jìn)一步下滑
- 市場(chǎng)研究公司iSuppli在日前發(fā)布的預測中指出，全球NAND flash市場(chǎng)收入在上世紀末和本世紀初曾獲得超過(guò)100％速度的增長(cháng)，然而2008年，預計NAND flash市場(chǎng)收入將減少14％，2009年繼續減少15％。 預測報告顯示，2008年NAND flash收入將從2007年的139億美元減少至120億美元，2009年進(jìn)一步減少至102億美元。 此前，iSuppli預測2008年NAND flash市場(chǎng)微減3％，2009年恢復增長(cháng)，增長(cháng)率為12％。今年是全球NAND flash收入
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半導體市場(chǎng)景氣不在 復蘇時(shí)間難料
- 設備大廠(chǎng)應用材料執行長(cháng)麥可史賓林特（Mike Splinter）28日在日本參加2008年世界經(jīng)營(yíng)者會(huì )議時(shí)表示，受到這波全球金融風(fēng)暴影響，半導體市場(chǎng)景氣在未來(lái)幾個(gè)季度都難見(jiàn)到回復，2009年半導體市場(chǎng)恐將持續低迷，要等到2010年新的技術(shù)導入市場(chǎng)后，才會(huì )見(jiàn)到復蘇跡象。另外，麥可史賓林特看好太陽(yáng)能電池市場(chǎng)，并指出綠色能源將創(chuàng )造出新的產(chǎn)業(yè)。 半導體市場(chǎng)受到全球金融風(fēng)暴沖擊，讓國內外各半導體大廠(chǎng)開(kāi)始看淡明年景氣，其中應用材料執行長(cháng)麥可史賓林特首度對明年市況發(fā)表看法。他表示，在美國次級房貸及金融風(fēng)暴
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“All Flash MCU應用技術(shù)全國巡回研討會(huì )”首站告捷
- 2008年10月9日，國內知名電子元器件分銷(xiāo)商世強電訊攜手優(yōu)秀的半導體廠(chǎng)商NEC電子在北京成功舉辦了“All Flash MCU應用技術(shù)研討會(huì )”。 本次研討會(huì )是世強電訊繼成為NEC電子大中國區代理商以來(lái)，首次舉辦的大型全國性巡回研討會(huì )。近200名來(lái)自工業(yè)、通訊、消費電子、教育科研等領(lǐng)域的研發(fā)工程師及技術(shù)人員受邀出席了本次會(huì )議，共同見(jiàn)證并體驗了NEC電子All Flash MCU的結構特征和應用優(yōu)勢。 會(huì )場(chǎng)上，來(lái)自主辦方的技術(shù)專(zhuān)家向現場(chǎng)聽(tīng)眾重點(diǎn)介紹了NEC電子
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東芝預計未來(lái)一年里NAND閃存價(jià)格將下跌50%
- 據國外媒體報道，東芝公司周一預計，從現在到明年9月的這4個(gè)季度里，NAND閃存價(jià)格將下跌40-50%。上月該公司曾表示，今年4-9月NAND價(jià)格比前6個(gè)月下跌了45%，并預計到明年3月價(jià)格可能下跌60%。 東芝公司CEO西田厚聰在里斯本一次創(chuàng )新會(huì )議的間隙表示，預計NAND價(jià)格下滑趨勢將持續到明年，未來(lái)4個(gè)季度里將下跌40-50%。東芝是繼三星后世界第二大NAND閃存芯片生產(chǎn)商。在4-9月的上半財年里，東芝運營(yíng)虧損達到300億日元（約合2.85億美元），是5年里首次虧損，主要原因就是NAND價(jià)格的
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Atmel推出全球首款1.8V電壓的8Mb Serial Flash
- 愛(ài)特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 宣布業(yè)界首款能夠在1.8V電壓下運作的8Mb Serial Flash 器件 AT25DF081，經(jīng)已準備投產(chǎn)。全新的AT25DF081具有1.65V到1.95V的低工作電壓范圍，與許多現有和即將面市的采用亞90nm工藝的ASIC和處理器/控制器相同的工作電壓，允許系統設計人員最終創(chuàng )建出使用單一電源電壓為系統中所有元件供電的應用，并可顯著(zhù)降低成本。不同于那些經(jīng)篩選在較低電壓下工作而使到性能降低的器件，AT25DF081專(zhuān)門(mén)針對1.8V電壓
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東芝半導體業(yè)務(wù)低迷業(yè)績(jì)下滑
- 據《日本經(jīng)濟新聞》18日報道，東芝公司今年4～9月業(yè)績(jì)急速下滑，營(yíng)業(yè)利潤預計將出現300億日元(1美元約合105日元)左右的赤字。 據悉，這將是東芝公司5年來(lái)首次在財年上半期出現經(jīng)營(yíng)赤字，集團銷(xiāo)售額預計也將比去年同期減少2%，為36000億日元，比預期減少2000億日元。 報道稱(chēng)，由于世界經(jīng)濟不景氣，東芝半導體業(yè)務(wù)的收益大幅惡化。用于手機、MP3音樂(lè )播放器等的NAND型閃存銷(xiāo)售低迷，供過(guò)于求的形勢導致半導體價(jià)格驟跌。以半導體業(yè)務(wù)為中心的電子設備部門(mén)4～6月出現了約340億日元的經(jīng)營(yíng)赤字，7
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市場(chǎng)驚現大批無(wú)芯片閃存 三星成最大受害者
- 近期黑心NAND閃存大量流竄到市面上，多數仿造三星產(chǎn)品，三星電子成最大受害者。 網(wǎng)易科技訊 9月16日消息，全球存儲器市場(chǎng)不景氣，而偽劣商品卻大行其道，過(guò)去市面上曾出現黑心記憶卡，但近期在市場(chǎng)卻首次出現黑心NAND Flash，大批已封裝晶圓顆粒經(jīng)拆封后，竟發(fā)現里面連芯片都沒(méi)有，且已整批流竄到市面上，其中，以三星電子(Samsung Electronics)品牌NAND Flash為被仿冒大宗，算是最大受害者。業(yè)內人士表示，假的NAND Flash產(chǎn)品都是整批以低價(jià)交易，嚴重破壞NAND
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再談今年世界半導體市場(chǎng)
- 據SIA（美國半導體協(xié)會(huì )）統計，今年5月世界半導體的銷(xiāo)售比4月增長(cháng)2.8%，但比2007年5月同比增長(cháng)7.7%，達218億美元。這是自2007年1月同比增長(cháng)9.7%后的首次，而從1~5月的累計銷(xiāo)售額計算同比增長(cháng)5.3%，達1034億美元。因此，SIA對半導體業(yè)的前景信心有增，認為超過(guò)原預測全年增長(cháng)4.3%的可能性很大。究其增長(cháng)原由，主要是由于中國。南美、印度等發(fā)展中國家的消費電子需求殷切。 反觀(guān)美國市場(chǎng)，雖有應針對次貸問(wèn)題的退還所得稅之舉以促消費，但美國市場(chǎng)實(shí)際正在緩慢消退。據SIA分析，以前美
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Sandisk收購戰升級 東芝欲扮程咬金
- 日本東芝半導體事業(yè)主管周二表示，東芝有興趣出價(jià)買(mǎi)下快閃存儲（閃存）事業(yè)伙伴SanDisk，以防止對手韓國三星電子捷足先登。三星電子才在本月說(shuō)過(guò)可能并購S(chǎng)anDisk后，東芝一直沒(méi)有表態(tài)，東芝資深副總裁齋藤升上述談話(huà)，是該公司首次打破沉默。 “如果（SanDisk）看起來(lái)像是會(huì )被收購，我們必須采取防范措施，”齋藤升三在一場(chǎng)論壇場(chǎng)邊向記者表示。當問(wèn)及出價(jià)收購的可能性時(shí)，他表示，東芝“有興趣”，但東芝目前沒(méi)有進(jìn)行具體談判。 快閃存儲價(jià)格疲軟，令芯片
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中芯武漢12寸廠(chǎng)新芯將啟用 為飛索生產(chǎn)NAND
- 大陸晶圓代工廠(chǎng)中芯國際代管的武漢12寸廠(chǎng)新芯，將于下周一（22日）舉行落成啟用典禮，據了解，該廠(chǎng)將成為中芯及閃存大廠(chǎng)飛索（Spansion）的NAND芯片重要生產(chǎn)重鎮。 去年上半年DRAM價(jià)格還在各DRAM大廠(chǎng)的總成本之上，中芯仍是日本DRAM廠(chǎng)爾必達的重要代工廠(chǎng)，據了解，雙方本來(lái)有意以武漢新芯為據點(diǎn)，共同合資設立12寸廠(chǎng)。不過(guò)因中芯、爾必達、武漢市政府等多方條件談不攏，最后此一合資設廠(chǎng)案宣告胎死腹中，中芯今年初結束與爾必達合作關(guān)系，開(kāi)始為新芯尋求出路，爾必達則決定與和艦合作，轉赴蘇州興建12寸
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現代半導體9月NAND型閃存產(chǎn)量驟減三成
- 韓國現代半導體公司上周四宣布，公司將從9月起把NAND型閃存產(chǎn)量減少30%.受供給過(guò)剩影響，全球閃存的價(jià)格一路走低，世界半導體制造商紛紛減少閃存的產(chǎn)量，現代半導體公司此舉可謂追隨潮流。 現代半導體將暫停清州M9工廠(chǎng)8英寸晶圓的生產(chǎn)，該廠(chǎng)每月能生產(chǎn)8萬(wàn)枚8英寸晶圓。此前，現代半導體清州M8工廠(chǎng)已將8英寸晶圓的月產(chǎn)量由10萬(wàn)枚減少至 7萬(wàn)枚?，F代半導體公司在今年4月時(shí)曾預告稱(chēng)，公司將暫停M9工廠(chǎng)的生產(chǎn)，可是M8工廠(chǎng)的減產(chǎn)決定卻是在業(yè)內人士的預料之外。 在DRAM業(yè)界排名第三位的日本爾必達公司將
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攻擊性投資加劇全球半導體廠(chǎng)商危機
- 世界經(jīng)濟蕭條和半導體價(jià)格下跌讓全球半導體市場(chǎng)陰云密布。世界半導體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認為，世界排名第5的德國DRAM廠(chǎng)商奇夢(mèng)達等部分企業(yè)最近面臨嚴重危機，隨著(zhù)產(chǎn)業(yè)結構進(jìn)入重新洗牌階段，半導體價(jià)格已跌至谷底。 半導體產(chǎn)業(yè)的危機已達到頂點(diǎn) 最近，半導體行業(yè)面臨著(zhù)前所未有的危機。尤其是在DRAM行業(yè)，今年除三星電子之外，其他企業(yè)都在虧損。NAND閃謺行業(yè)的情況也是一樣。除三星電子之外，生產(chǎn)NAND閃存（主要用于
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DSP和Flash接口技術(shù)的實(shí)現
- 1 引言 在現代數字信號處理系統中，采用Flash做為DSP程序加載和引導是一種常用的方法，它為用戶(hù)對那些將來(lái)可能需要改變數據或代碼的系統維護提供了有效手段。利用Flash器件，能夠實(shí)現在線(xiàn)程序編寫(xiě)，減少EPROM程序燒寫(xiě)帶來(lái)的麻煩。 2 Flash AM29LV800B簡(jiǎn)介 Flash存儲器又稱(chēng)閃存，它結合了ROM和RAM的特點(diǎn)，不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)功能，而且不會(huì )斷電丟失數據同時(shí)能快速讀取數據，它具有在線(xiàn)電擦寫(xiě)、低功耗、大容量、擦寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，屬于EEPROM
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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