EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
一種新型單片機MSC1210及其應用
- 摘要：主要介紹內核兼容8051的MSC1210單片機結構特點(diǎn)，其高性能ADC、片內存儲器以及Flash編程應用等功能。 關(guān)鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash 實(shí)際應用系統往往需要進(jìn)行高精度的測量，同時(shí)還必須進(jìn)行實(shí)時(shí)快速控制，提高其開(kāi)發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開(kāi)發(fā)功能的單片機系統來(lái)實(shí)現。德州儀器（TI）的MSC1210單片機解決了上述問(wèn)題。它集成了一個(gè)增強型8051內核、高達33 MHz
- 關(guān)鍵字： MSC1210 ADC PGA Flash MCU和嵌入式微處理器
PISMO顧問(wèn)委員會(huì )發(fā)布新2.0多媒體標準
- 致力于簡(jiǎn)化系統級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問(wèn)委員會(huì )近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過(guò)審批。這一針對目前PISMO2.0規范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿(mǎn)足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問(wèn)委員會(huì )于2004年由Spansion和ARM創(chuàng )建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規范使設計者可以方便地在不同廠(chǎng)商提供的開(kāi)發(fā)平臺上測試多種存
- 關(guān)鍵字： PISMO NOR NAND 閃存
三星調高閃存價(jià)格 帶動(dòng)內存價(jià)格上升
- 在三星向外界透露位于韓國的工廠(chǎng)于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠(chǎng)商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價(jià)格造成的影響。業(yè)界預測DRAM內存合同價(jià)在8月還將上升。 業(yè)界預測DRAM內存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠(chǎng)停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場(chǎng)的價(jià)格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價(jià)。 在三星向外界透露
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊
- NAND Flash供需出現進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠(chǎng)之Samsung工廠(chǎng)3日發(fā)生停電事故，導致市場(chǎng)產(chǎn)生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價(jià)部份，由于廠(chǎng)商仍存在過(guò)度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠(chǎng)3日發(fā)生大規模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線(xiàn)全部停止運轉。雖然4日恢復運轉，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?，F階段Samsung與市場(chǎng)上仍有一定庫存量，9月份實(shí)際供給
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
NAND閃存迎來(lái)大發(fā)展 新芯片工藝是轉折點(diǎn)
- 據閃存技術(shù)的最大支持者之一稱(chēng)，閃存將“接管”整個(gè)世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會(huì )”上說(shuō)，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤(pán)失去了用武之地，現在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤(pán)構成了威脅。 他說(shuō)，NAND下一個(gè)大市場(chǎng)將是視頻，明年，市場(chǎng)上將會(huì )出現配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場(chǎng)上還將出現更多的閃存筆記本電腦。 在未來(lái)的5-7年內，NAND還將開(kāi)始取代DRAM。由于技
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
NAND缺貨潮空襲 存儲卡小廠(chǎng)幾乎倒一半
- 2007年NAND Flash價(jià)格走勢戲劇化，但對下游廠(chǎng)商而言，可謂是幾家歡樂(lè )幾家愁，一線(xiàn)快閃記憶卡大廠(chǎng)樂(lè )得NAND Flash價(jià)格止跌反彈，終止長(cháng)達1年的慘淡經(jīng)營(yíng)時(shí)期；然對于產(chǎn)業(yè)中的二、三線(xiàn)記憶卡廠(chǎng)而言，這波NAND Flash價(jià)格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠(chǎng)的拿貨能力有限，當上游NAND Flash大廠(chǎng)供給一夕大減，連一線(xiàn)大廠(chǎng)都不見(jiàn)得拿得到足夠的貨源時(shí)，等于是宣判小廠(chǎng)正式出局！ 業(yè)界表示，這波NAND Flash價(jià)格上漲除了是蘋(píng)果(Ap
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 消費電子
Q2三星NAND Flash市占率43.9%
- 集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷(xiāo)售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達43.9%，穩居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠(chǎng)合計市占率達85.5%，市場(chǎng)集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴充計劃，加上大廠(chǎng)們新制程技術(shù)轉換仍處調整期，因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量?jì)H維持與第一季相當水平，不過(guò)受惠于產(chǎn)品價(jià)格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動(dòng)NANDFlash制造廠(chǎng)銷(xiāo)售
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
DRAM和NAND閃存價(jià)格上漲幅度開(kāi)始回落
- 閃存的合約價(jià)格在7月下半月繼續上漲，不過(guò)目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠(chǎng)商預計第三季度價(jià)格將輕微上漲，同時(shí)出貨量也大幅提升了。同時(shí)，NAND目前價(jià)格也呈現上升趨勢，這主要得益于閃存應用范圍的不斷拓展。 DRAM報價(jià)一片漲聲 根據內存交易機構DRAMeXchange（集邦電子）的數據，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價(jià)格上漲了20%以上，不過(guò)7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠(chǎng)商向DRAM廠(chǎng)商索要報價(jià)
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM 閃存
手機與MP3 NAND Flash 市場(chǎng)需求過(guò)半
- 集邦科技表示，手機及MP3/PMP播放器是今年耗用NAND Flash產(chǎn)能最多的前兩大終端裝置，合計使用的NAND Flash將占市場(chǎng)需求端的一半以上，達52.1%，將是左右NAND Flash市場(chǎng)供需的關(guān)鍵。集邦科技指出，手機將是今年NAND Flash最大應用市場(chǎng)，所占比重達27.3%，MP3/PMP播放器次之，約占24.8%；其中MP3/PMP播放器市場(chǎng)，iPod全球市占率超過(guò)一半以上，Apple因而是影響市場(chǎng)供需的關(guān)鍵廠(chǎng)商。至于手機市場(chǎng)方面，由于NAND&n
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 消費電子
NAND Flash下半年將出現供不應求現象
- 根據內存市場(chǎng)研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報告，七月上旬NAND Flash合約價(jià)出爐；SLC市場(chǎng)供給吃緊、合約價(jià)大漲，平均漲幅約15%~30%。而根據集邦的研究數據來(lái)觀(guān)察，整體NAND Flash需求將在本季超過(guò)供給，下半年NAND Flash產(chǎn)出將供不應求。 在MLC部分，集邦表示，因供貨商持續將產(chǎn)能轉往8Gb以上的產(chǎn)品，另外加上iPhone題材所帶來(lái)的預期心理，4Gb產(chǎn)出日益降低而大漲30%，高容量MLC也順勢漲了
- 關(guān)鍵字： NAND 內存 存儲器
Nand Flash合約價(jià)大漲 模塊廠(chǎng)樂(lè )透
- 集邦科技最新報告指出，伴隨需求持穩放大，加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調整趨于平衡，NAND FLASH浮現供給缺口跡象，七月上旬NANDFLASH合約報價(jià)，SLC大漲15％至30％之多％。集邦認為，依照當前掌握數據觀(guān)察，整體NAND Flash需求將在第三季超過(guò)供給，下半年NAND Flash將供不應求，第三季、第四季供給缺口各約0.3％、1.5％。 模塊廠(chǎng)勁永指出，Flash第二季初仍持續下跌，因上游國際大廠(chǎng)SLC及MLC制程轉換影響，五月份下旬價(jià)格才開(kāi)始緩步
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
全球NAND Flash供貨將拉警報
- NAND型閃存(Flash)供應端下半年恐將拉警報，造成供貨嚴重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進(jìn)50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應下游客戶(hù)端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強化整體競爭力，被迫將產(chǎn)能加速轉進(jìn)至50nm主流制程，加上為供應蘋(píng)果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，亦無(wú)力滿(mǎn)足下游客戶(hù)訂單需求，因此，業(yè)界紛預期2007年下半全球NA
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473