我國首批32層三維NAND閃存芯片年內將量產(chǎn)

　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標志著(zhù)國家存儲器基地從廠(chǎng)房建設階段進(jìn)入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。

　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴(lài)進(jìn)口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進(jìn)入全球存儲芯片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場(chǎng)的地位。

　　據介紹，國家存儲器基地項目2016年由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資240億美元，項目一期總產(chǎn)能將達到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

　　紫光集團董事長(cháng)趙偉國表示，今年10月設備將點(diǎn)亮投產(chǎn)，預計2019年底64層閃存產(chǎn)品將實(shí)現爬坡量產(chǎn)。未來(lái)十年，紫光集團計劃至少還將投資1000億美元，相當于平均每年投入100億美元，進(jìn)一步拉近我國在高端芯片領(lǐng)域與先進(jìn)國家的距離。