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nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項架構技術(shù)并不成熟。采SLC架構是在每個(gè)Cell中存儲1個(gè)bit的信息，以達到其穩定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾
NAND Flash下季度或史上最缺貨
- NAND Flash控制芯片與模塊廠(chǎng)群聯(lián)董事長(cháng)潘健成日前估計，接下來(lái)將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰，近日捧著(zhù)5000多萬(wàn)美元現金，大舉吃下某大廠(chǎng)釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。 群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時(shí)，建立的庫存水位一度超過(guò)三億美元，后來(lái)市場(chǎng)景氣于去年第3季開(kāi)始往上，價(jià)格走升，也讓該公司因此大賺。 潘健成提到，今年大概只有5月有機會(huì )多收貨，所以該公司在前兩個(gè)禮拜以現金買(mǎi)了大約5000多萬(wàn)美元的額外貨源，預計可供第3季使用。 群聯(lián)在今年4月時(shí)，手
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2017第一季度NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收排名
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續第四季持續受到缺貨影響，即使第一季度為傳統NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內的行動(dòng)式存儲價(jià)格也呈現雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
大容量NOR Flash與8位單片機的接口設計
- Flash存儲器又稱(chēng)閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線(xiàn)擦除、改寫(xiě)，又能夠在掉電后保持數據不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現的一個(gè)品種，與其他種類(lèi)的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統應用開(kāi)發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
- 關(guān)鍵字： NOR Flash 接口 單片機
Gartner：2016年全球半導體收入增長(cháng)2.6%
- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下，前二十五大半導體廠(chǎng)商總收入增加10.5%，表現遠優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(cháng)率?！ artner研究總監James Hines表示：“2016年半導體產(chǎn)業(yè)出現回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現疲軟，但下半年需求增強，定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長(cháng)的因素包括多項電子設備部門(mén)產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚及相對溫和的
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起 我國亟需建設自主存儲
- “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過(guò)開(kāi)放的專(zhuān)用連接、自由共享數據和允許非預期應用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周?chē)氖澜?，成為?lèi)似人類(lèi)的神經(jīng)系統 ”凱文·阿什頓說(shuō)(這個(gè)術(shù)語(yǔ)的發(fā)明者)。 在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱(chēng)為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來(lái)的十年中，將推動(dòng)NAND銷(xiāo)售，從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構及其與內存
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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