EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
加入技術(shù)交流群
全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202403/456004.htm
EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。
憑借超低導通電阻，EPC2361可在電源轉換系統中實(shí)現更高的功率密度和更高的效率，從而降低能耗和散熱。它為多種應用諸如高功率 PSU AC/DC同步整流、數據中心的高頻 DC/DC轉換、電動(dòng)汽車(chē)、機器人、無(wú)人機和太陽(yáng)能MPPT的電機驅動(dòng)器，帶來(lái)突破性的性能。
宜普電源轉換公司的首席執行官兼聯(lián)合創(chuàng )始人Alex Lidow說(shuō)：“EPC的新型1 mΩ GaN FET突破了氮化鎵技術(shù)的極限，助力客戶(hù)創(chuàng )建更高效、更小和更可靠的電力電子系統。”
EPC90156 開(kāi)發(fā)板是一款采用半橋EPC2361 GaN FET，專(zhuān)為100 V最大器件電壓和xx A最大輸出電流而設計，旨在簡(jiǎn)化功率系統設計人員對氮化鎵器件的評估過(guò)程，以加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。該板的尺寸為2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)，專(zhuān)為實(shí)現最佳開(kāi)關(guān)性能而設計，而且包含所有關(guān)鍵組件以便于評估。
EPC2361以3000片為單位批量購買(mǎi)，每片價(jià)格為4.60美元。EPC90156開(kāi)發(fā)板的單價(jià)為200美元。如欲訂購EPC產(chǎn)品，您可通過(guò)EPC的授權分銷(xiāo)合作伙伴購買(mǎi)。
有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設計人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具，根據您所需的特定工作條件，我們會(huì )推薦合適的替代方案。交叉參考工具可在以下網(wǎng)頁(yè)找到：交叉參考搜索 (epc-co.com)。
宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵(eGaN?)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標應用包括直流-直流轉換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動(dòng)出行、機器人和無(wú)人機的電機驅動(dòng)器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶(hù)提供進(jìn)一步節省占板面積、節能及節省成本的解決方案。eGaN?是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。
評論