EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
hyper-na euv
hyper-na euv 文章 進(jìn)入hyper-na euv技術(shù)社區
首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨顯
- Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構設計，今年的13代酷睿代號Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進(jìn)版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會(huì )大改，升級Intel 4工藝，也是Intel首個(gè)EUV工藝?！ ?4代酷睿的架構也會(huì )大改，第一次采用非單一芯片設計，彈性集成多個(gè)小芯片模塊，包括下一代混合架構CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低?！ ?4代酷睿Meteor Lake也會(huì )是Intel酷睿系列中首個(gè)大量使用3D Foveros混合封
- 關(guān)鍵字： 英特爾 EUV 4nm
應用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)
- 半導體設備大廠(chǎng)應用材料推出多項創(chuàng )新技術(shù)，協(xié)助客戶(hù)運用極紫外光（EUV）持續進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過(guò)兩個(gè)可相互搭配的途徑來(lái)增加未來(lái)幾年的晶體管密度。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統與材料工程以縮小線(xiàn)寬。另一種是使用設計技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來(lái)增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò )與環(huán)繞閘極晶體管，隨著(zhù)傳統2D微縮技
- 關(guān)鍵字： 應用材料 EUV 2D微縮 3D環(huán)繞閘極 晶體管
ASML公司開(kāi)撕美國？光源技術(shù)不是根源，不交付EUV光刻機另有原因
- ASML公司雖然是荷蘭企業(yè)，但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國半導體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金，采購了一臺EUV光刻機。然而，ASML公司卻遲遲沒(méi)有發(fā)貨，這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機，而一部EUV光刻機上就有超過(guò)10w的精密零件，各方面的技術(shù)也是來(lái)自全世界各國的頂尖技術(shù)。所以ASML公司的光刻機一直是供不應求。但明明已經(jīng)收了定金，10億一部的EUV光刻機，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
- 關(guān)鍵字： EUV ASML 光刻機
雪佛蘭Bolt EV/EUV在電池起火召回后終于宣布恢復生產(chǎn)
- 通用汽車(chē)(GM)已經(jīng)恢復了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產(chǎn)，現在它們可以獲得新電池組的供應，而這些電池組應該不會(huì )有火災隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災而被召回，該次召回影響到了所有的車(chē)型，導致Bolt EV和EUV汽車(chē)的生產(chǎn)自去年8月起完全凍結?！拔覀兊哪繕耸腔謴筒⑻孤实卣f(shuō)超過(guò)業(yè)務(wù)指標，”雪佛蘭營(yíng)銷(xiāo)副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話(huà)會(huì )議上說(shuō)道。Bolt的復出計劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開(kāi)始）、將在MLB開(kāi)幕日投放的新電視
- 關(guān)鍵字： EUV 雪佛蘭
阿斯麥CEO：不賣(mài)EUV給中國大陸“是政府們的選擇”
- （原標題：光刻機巨頭阿斯麥CEO：不賣(mài)EUV給中國大陸“是政府們的選擇”）【文/觀(guān)察者網(wǎng) 呂棟】“這不是我們的選擇，而是政府們（《瓦森納協(xié)定》成員國）的選擇?！比涨?，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥CEO溫彼得再次就向中國大陸出口EUV光刻機一事解釋道。他今年1月曾表示，中國不太可能獨立復制出（replicate）頂尖的光刻技術(shù)，但也別那么絕對，“他們肯定會(huì )嘗試”。觀(guān)察者網(wǎng)注意到，由于最先進(jìn)的EUV設備無(wú)法向中國大陸出口，溫彼得自2021年以來(lái)曾多次發(fā)聲。2021年4月，他曾喊話(huà)美國政府，對華出口管制不僅不能阻礙中國
- 關(guān)鍵字： 阿斯麥CEO EUV 光刻機
ASML：努力向中國提供一切能夠提供的技術(shù)
- 芯片行業(yè)一直是困擾全球的“卡脖子”領(lǐng)域，而其中核心的光刻機技術(shù)被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領(lǐng)域有長(cháng)足的進(jìn)步，光刻機這種核心設備就要有所突破。而之前美國通過(guò)自身在全球市場(chǎng)的控制能力，通過(guò)修改法案等手段一直將光刻機設備和技術(shù)限制對中國進(jìn)行輸出。但近期光刻機頭部企業(yè)ASML則明確表態(tài)將會(huì )盡其所能向中國市場(chǎng)提供一切他們能夠提供的技術(shù)，其中DUV光刻機將會(huì )不需要認可許可即可向中方企業(yè)提供。ASML光刻機除此之外，ASML表示在當前法律框架之下，他們除了EUV光刻機無(wú)法向中方企業(yè)提供，其他產(chǎn)品都可以正常發(fā)售。
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻機
拆解報告：HYPER JUICE 100W 3C1A氮化鎵快充充電器HJ417
- 海外知名充電配件品牌HYPER JUICE近期在indiegogo上眾籌了一款全新的100W快充充電器。這款產(chǎn)品基于納微GaNFast氮化鎵功率芯片，采用堆疊設計思路，不僅支持自帶可折疊的插腳，而且還集成了一個(gè)AC插口，在使用時(shí)，不會(huì )占用兩孔插座，并支持最多16款充電器堆疊使用?！ 』氐匠潆姳旧硪彩穷H有亮點(diǎn)，配備了3C1A四個(gè)輸出接口，可同時(shí)滿(mǎn)足四臺電子設備的充電需求；在單口輸出時(shí)，C口支持盲插輸出100W。同時(shí)借助氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，實(shí)現了小巧的外形尺寸，出門(mén)攜帶比較方便?！ ￡P(guān)于這款產(chǎn)品的性能，充電
- 關(guān)鍵字： HYPER JUICE 氮化鎵 充電器
單臺1.5億美元 ASML制造新一代EUV光刻機
- 據《連線(xiàn)》雜志報道，在美國康涅狄格州郊區的一間潔凈室中，ASML的工程師們正在為一臺單臺造價(jià)1.5億美元的新機器制造關(guān)鍵部件，該部件是新一代EUV系統的組成部分，會(huì )采用一些新技術(shù)來(lái)最大限度地減少其使用的光波長(cháng)，包括縮小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程師正在裝配系統組件（圖片來(lái)自ASML） 要知道，當前的EUV機器已經(jīng)像一輛公共汽車(chē)那么大，包含10萬(wàn)個(gè)零部件和兩公里長(cháng)的電纜，運輸這些組件需要40個(gè)貨運集裝箱、三架貨機和20輛卡車(chē)，能夠買(mǎi)得起這種設備的公
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻機
阿斯麥的新一代EUV光刻機：造價(jià)1.5億美元 公共汽車(chē)大小
- 9月2日消息，荷蘭阿斯麥的新一代極紫外（EUV）光刻機每臺有公共汽車(chē)大小，造價(jià)1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來(lái)幾年繼續縮小?！ ≡谖挥诿绹的腋裰萁紖^的一間大型潔凈室里，工程師們已經(jīng)開(kāi)始為一臺機器制造關(guān)鍵部件，這臺機器有望讓芯片制造行業(yè)沿著(zhù)摩爾定律至少再走上10年時(shí)間?！ ∵@臺極紫外光刻機是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺量產(chǎn)的極紫外光刻機，在芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用，已經(jīng)被用于制造iPhone手機芯片以及人工智能處理器等最先進(jìn)的芯片。阿斯
- 關(guān)鍵字： 阿斯麥 EUV 光刻機
美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節點(diǎn)導入
- 三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪(fǎng)中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點(diǎn)開(kāi)始導入。美光EUV工藝DRAM將會(huì )先在臺中A3廠(chǎng)生產(chǎn)，預
- 關(guān)鍵字： 美光 EUV DRAM
EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內存芯片生產(chǎn)中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應用EUV。根據SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產(chǎn)采用
- 關(guān)鍵字： EUV DRAM
為什么ASML加速來(lái)華？
- 芯片雖小，制造難度卻很大，而且芯片制造的關(guān)鍵設備光刻機的缺乏，更是成為限制我國高端芯片的一大難題。尤其是近兩年華為事件的不斷發(fā)酵，讓我國半導體芯片領(lǐng)域的問(wèn)題越加明顯，那就是在芯片制造的設備上，我國依然受制于人的問(wèn)題相當嚴重。為什么ASML加速來(lái)華？北大教授的發(fā)聲很現實(shí)，國產(chǎn)光刻機突破在即雖然華為研發(fā)出基于5nm工藝的麒麟9000芯片，令一眾對手刮目相看，但是沒(méi)有臺積電為其代工生產(chǎn)，沒(méi)有屬于中國自己的高端光刻機，就等同于一張“紙老虎”。作為中國大陸最先進(jìn)的芯片制造企業(yè)中芯國際，因為沒(méi)有高端光刻機，至今仍然沒(méi)
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻機 ASML
三星有意在美國建5nm EUV芯片廠(chǎng) 巨額投資
- 據韓媒援引業(yè)內人士消息，三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設立EUV半導體工廠(chǎng)，以滿(mǎn)足日益增長(cháng)的小型芯片需求和美國重振半導體計劃。該工廠(chǎng)將采用5nm制程，計劃于今年Q3開(kāi)工，2024年投產(chǎn)，預計耗資180億美元，同時(shí)也是三星電子首次在韓國之外設立EUV產(chǎn)線(xiàn)。去年，臺積電去宣布將在美國建設芯片工廠(chǎng)，建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶(hù)代工芯片，目標是2024年投產(chǎn)。最新消息稱(chēng)，臺積電管理層目前正在討論，他們在美國的下一座芯片工廠(chǎng)，是否采用更先進(jìn)的3nm制程工藝，為相關(guān)的客戶(hù)代工芯片。
- 關(guān)鍵字： 三星 5nm EUV 芯片廠(chǎng)
hyper-na euv介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條hyper-na euv!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對hyper-na euv的理解，并與今后在此搜索hyper-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對hyper-na euv的理解，并與今后在此搜索hyper-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
hyper-na euv電路
hyper-na euv相關(guān)帖子
hyper-na euv專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473