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hyper-na euv 文章 進(jìn)入hyper-na euv技術(shù)社區
拚不過(guò)對手 英特爾放棄搶推EUV?
- 引領(lǐng)技術(shù)開(kāi)發(fā)的少數芯片制造商認定,極紫外光(EUV)微影技術(shù)將在明年使得半導體元件的電晶體密度更進(jìn)一步向物理極限推進(jìn),但才剛失去全球半導體產(chǎn)業(yè)龍頭寶座的英特爾(Intel),似乎放棄了繼續努力在采用EUV的腳步上領(lǐng)先;該公司在1990年代末期曾是第一批開(kāi)始發(fā)展EUV的IC廠(chǎng)商?! ≡请娮庸こ處煹氖袌?chǎng)研究機構Bernstein分析師Mark Li表示,英特爾不會(huì )在短時(shí)間內導入EUV,該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難,因此其7納米制程還得上好幾年,何時(shí)會(huì )用上EUV更是個(gè)大問(wèn)題?! ≡诖送瑫r(shí),三星(S
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Entegris EUV 1010光罩盒展現極低的缺陷率,已獲ASML認證

- 業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案的公司Entegris(納斯達克:ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒,用于以極紫外(EUV)光刻技術(shù)進(jìn)行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設備制造商之一的ASML密切合作而開(kāi)發(fā)的,已在全球率先獲得ASML的認證,用于NXE:3400B等產(chǎn)品?! ‰S著(zhù)半導體行業(yè)開(kāi)始更多地使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)制程的大批量制造(HVM),對EUV光罩無(wú)缺陷的要求比以往任何時(shí)候都要嚴格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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EUV、3nm、GAA首次亮相,三星晶圓代工業(yè)務(wù)強勢進(jìn)軍中國市場(chǎng)

- 為進(jìn)一步提升在中國市場(chǎng)晶圓代工領(lǐng)域的競爭力,6月14日,三星電子在中國上海召開(kāi) “2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF),這是SFF首次在中國舉行,中國半導體市場(chǎng)的影響力可見(jiàn)一斑?! ”敬握搲?,三星電子晶圓代工事業(yè)部戰略市場(chǎng)部部長(cháng)、副社長(cháng)裵永昌帶領(lǐng)主要管理團隊,介紹了晶圓代工事業(yè)部升級為獨立業(yè)務(wù)部門(mén)一年來(lái)的發(fā)展成果,以及未來(lái)發(fā)展路線(xiàn)圖和服務(wù),首次發(fā)布了FinFET、GAA等晶體管構造與EUV曝光技術(shù)的使用計劃,以及3納米芯片高端工藝的發(fā)展路線(xiàn)圖,
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進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng),臺積電7納米EUV工藝聯(lián)發(fā)科M70明年發(fā)
- 聯(lián)發(fā)科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片,代號為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現身市場(chǎng)的動(dòng)作,臺面上或是為公司將積極進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)作熱身,但臺面下,已決定采用臺積電7納米EUV制程技術(shù)設計量產(chǎn)的M70 5G Modem芯片解決方案,卻是聯(lián)發(fā)科為卡位臺積電最新主力7納米制程技術(shù)產(chǎn)能,同時(shí)向蘋(píng)果(Apple)iPhone訂單招手的關(guān)鍵大絕,在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺積電7納米制程技術(shù)猶疑之間,聯(lián)發(fā)科已先一步表達忠誠,而面對高通、蘋(píng)果專(zhuān)利訟訴
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機 如何躲過(guò)《瓦森納協(xié)定》的?

- 據《日經(jīng)亞洲評論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話(huà)稱(chēng),中國芯片加工企業(yè)中芯國際(SMIC)向全球最大的芯片設備制造商——荷蘭ASML訂購了首臺最先進(jìn)的EUV(極紫外線(xiàn))光刻機,價(jià)值1.2億美元。目前,業(yè)內已達成共識,必須使用EUV光刻機才能使半導體芯片進(jìn)入7nm,甚至5nm時(shí)代。今天,中芯國際方面對觀(guān)察者網(wǎng)表示,對此事不做評論?! ∠⒎Q(chēng),這臺幾乎相當于中芯國際去年全部?jì)衾麧櫟脑O備,將于2019年前交付?! SML發(fā)言人對《日經(jīng)亞洲評論》表示,該企業(yè)對包括中國客戶(hù)在內
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機,后續還得解決這些問(wèn)題…
- 據知情人士透露,中國最大的晶圓代工廠(chǎng)中芯國際已經(jīng)訂購了一臺EUV設備,在中美兩國貿易緊張的情況下,此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距,確保關(guān)鍵設備的供應。EUV是當前半導體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設備。 中芯國際的首臺EUV設備購自荷蘭半導體設備制造商ASML,價(jià)值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺積電等市場(chǎng)領(lǐng)導者兩到三代,此舉仍突顯了該公司幫助提升中國本土半導體制造技術(shù)的雄心壯志,也保證了在最先進(jìn)的光刻設備方面的供應。目前包括英特爾、三星、臺積電等巨頭都在購買(mǎi)該設備,以確保
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ASML載具供應商家登精密談中國EUV的發(fā)展,面臨諸多挑戰
- 載具對于曝光機發(fā)揮保護、運送和存儲光罩等功能十分重要。家登精密多年來(lái)致力于研究曝光機載具,并為全球最大的半導體設備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。 我們主要研究EUV的配套技術(shù),例如EUV的載具以及EUV的配套光罩,是7nm向5nm進(jìn)階的突破口。隨著(zhù)5nm技術(shù)的升級,EUV的重要性逐漸凸顯出來(lái),而載具的研究也越發(fā)緊迫。過(guò)去幾年,家登精密一直專(zhuān)心做一件事,那就是載具的配套研究。去年,我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達到國際先進(jìn)水平,這是一個(gè)值得自豪的成績(jì)。未來(lái),7nm工藝逐漸向5nm升級,技術(shù)的研究會(huì )越來(lái)越困難
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日媒:三星最高利潤背后的危機感

- 韓國三星電子2017財年(截至2017年12月)合并營(yíng)業(yè)利潤創(chuàng )下歷史新高,但其危機感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財報顯示,營(yíng)業(yè)利潤同比增長(cháng)83%,其中僅半導體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍,約合3.5萬(wàn)億日元,顯著(zhù)依賴(lài)市場(chǎng)行情,因此危機感增強。3大主要部門(mén)面臨著(zhù)半導體增長(cháng)放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營(yíng)團隊的領(lǐng)導下,將智能手機和電視機的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財年將成為試金石。 三星整體的營(yíng)業(yè)利潤為53.65萬(wàn)億韓元,時(shí)隔4年再創(chuàng )歷史新高。其中,半導體部門(mén)的服務(wù)器和智能手機存儲銷(xiāo)量堅挺,
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EUV微影前進(jìn)7nm制程,5nm仍存在挑戰

- EUV微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節點(diǎn)。 不過(guò),根據日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示,實(shí)現5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰。 極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節點(diǎn)。 不過(guò),根據日前在美國加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì )(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示,實(shí)現5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰。
- 關(guān)鍵字: EUV 7nm
hyper-na euv介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條hyper-na euv!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對hyper-na euv的理解,并與今后在此搜索hyper-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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