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hyper-na euv 文章 進(jìn)入hyper-na euv技術(shù)社區
KLA-Tencor宣布推出針對光學(xué)和EUV 空白光罩的全新FlashScanTM產(chǎn)品線(xiàn)
- 今天，KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*檢測產(chǎn)品線(xiàn)。自從1978年公司推出第一臺檢測系統以來(lái)，KLA-Tencor一直是圖案光罩檢測的主要供應商，新的FlashScan產(chǎn)品線(xiàn)宣告公司進(jìn)入專(zhuān)用空白光罩的檢驗市場(chǎng)。光罩坯件制造商需要針對空白光罩的檢測系統，用于工藝開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn)過(guò)程中的缺陷檢測，此外，光罩制造商(“光罩廠(chǎng)”)為了進(jìn)行光罩原料檢測，設備監控和進(jìn)程控制也需要購買(mǎi)該檢測系統。 FlashScan系統可以檢查針對光學(xué)或極紫外(EUV)光刻的空白光罩?！?/li>
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首先采用EUV光刻工藝 三星半導體代工優(yōu)劣勢分析
- 張忠謀曾比喻說(shuō)：“三星是一只700磅的大猩猩”，表示它十分強悍。然而在現階段的代工業(yè)中三星尚是“新進(jìn)者”，需要時(shí)間的積累。 01、引言 據IC Insight公布的今年Q2數據，三星半導體依158億美元，同比增長(cháng)46.5%，超過(guò)英特爾而居首。 全球半導體三足鼎立，英特爾、臺積電、三星各霸一方，近期內此種態(tài)勢恐怕難以有大的改變，但是一定會(huì )此消彼長(cháng)，無(wú)論哪家在各自領(lǐng)域內都面臨成長(cháng)的煩惱。 然而在三家之中三星謀求改變的勢頭最猛，而臺積電
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EUV在手天下我有 ASML二季度表現亮眼
- 全球最大芯片光刻設備市場(chǎng)供貨商阿斯麥(ASML)近日公布2017第二季財報。ASML第二季營(yíng)收凈額21億歐元，毛利率為45%。在第二季新增8臺EUV系統訂單，讓EUV光刻系統的未出貨訂單累積到27臺，總值高達28億歐元。 預估2017第三季營(yíng)收凈額約為22億歐元，毛利率約為43%。因為市場(chǎng)需求和第二季的強勁財務(wù)表現，ASML預估2017全年營(yíng)收成長(cháng)可達25%。 ASML總裁暨執行長(cháng)溫彼得指出:“ASML今年的主要營(yíng)收貢獻來(lái)自?xún)却嫘酒蛻?hù)，尤其在DRAM市場(chǎng)需求的驅動(dòng)下，這部分的
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三星領(lǐng)先臺積電引入7納米EUV技術(shù)，今年代工市場(chǎng)欲超車(chē)聯(lián)電
- 據日經(jīng)中文網(wǎng)報道，7月11日，韓國三星電子在首爾舉行的說(shuō)明會(huì )上，向客戶(hù)等各方介紹了半導體代工業(yè)務(wù)的技術(shù)戰略。新一代7納米半導體將采用最尖端的制造技術(shù)，從2018年開(kāi)始量產(chǎn)。此次說(shuō)明會(huì )上，三星展示了發(fā)展藍圖，記載了決定性能好壞的電路線(xiàn)寬的微細化進(jìn)程。三星表示，采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術(shù)的7納米產(chǎn)品計劃從2018年開(kāi)始接單，5納米產(chǎn)品和4納米產(chǎn)品分別將從2019年和2020年開(kāi)始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率，7納米以下的產(chǎn)品曾被認為難以實(shí)現商用化，而EUV是
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延續摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵
- 臺積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開(kāi)始導入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準備。 盡管目前EUV設備曝光速度仍不如期待且價(jià)格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問(wèn)題仍是相對有力的解決方案。 每一季的臺積電法說(shuō)會(huì )上，張忠謀董事長(cháng)或是共同執行長(cháng)對于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會(huì )對臺下觀(guān)眾做一專(zhuān)門(mén)的報告，法人代表對于EUV的導入時(shí)程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對于臺積電未來(lái)發(fā)展甚至
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摩爾定律唯一規則：永遠不要說(shuō)不可能
- 摩爾定律在過(guò)去52年中一直是“更小，更快，更便宜”的代名詞，但越來(lái)越多的人認為它只是諸多選擇之一，芯片行業(yè)開(kāi)始針對特定的市場(chǎng)需求進(jìn)行調整。 這并沒(méi)有使得摩爾定律失去意義。眾多行業(yè)人士透露，從16/14nm沖擊7nm的公司數量要多于直接沖擊16/14nm finFET的公司。但是，這種遷移也需要考慮到： · 當代工廠(chǎng)利用16/14nm finFET進(jìn)行相同度量時(shí)，節點(diǎn)命名在20nm之后就變得無(wú)意義。因此，對于10nm或7nm并沒(méi)有一致的定義。更有價(jià)值的數
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KLA-Tencor 快速有效解決客戶(hù)良率問(wèn)題 與中國半導體行業(yè)一同成長(cháng)
- 看好中國半導體行業(yè)未來(lái)持續的蓬勃發(fā)展，工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過(guò)半導體檢測與量測技術(shù)，以最快的速度及最有效的方式 ，幫助客戶(hù)解決在生產(chǎn)時(shí)面對的良率問(wèn)題。KLA-Tencor立志于幫助中國客戶(hù)一起提升良率，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，并與中國半導體行業(yè)一同成長(cháng)?！ LA-Tencor中國區總裁張智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，現于全球17國擁有6000多位員工。2016財年，KLA-Tencor營(yíng)收表現來(lái)到30億美元。從硅片檢
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半導體押寶EUV ASML突破瓶頸 預計2018年可用于量產(chǎn)
- 摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問(wèn)世以來(lái)，全球半導體產(chǎn)業(yè)均能朝此一定律規則前進(jìn)發(fā)展，過(guò)去數十年來(lái)包括光微影技術(shù)(Photolithography)等一系列制程技術(shù)持續的突破，才得以讓半導體產(chǎn)業(yè)能依照摩爾定律演進(jìn)，進(jìn)而帶動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續前進(jìn)。 但為延續產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展，光是依賴(lài)于傳統微影技術(shù)仍不夠，因此芯片制造商也正在苦思試圖進(jìn)行一次重大且最具挑戰的變革，即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術(shù)，該技術(shù)也成為臺積電、英特爾(Intel)等
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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現故障轉移
- 航空氣象要素對飛行安全的影響越來(lái)越大，氣象探測設備的重要性也越來(lái)越高。成陽(yáng)國際機場(chǎng)配備了風(fēng)廓線(xiàn)雷達，能夠為航空飛行提供機場(chǎng)上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?；诒Ｕ巷L(fēng)廓線(xiàn)雷達正常運行的目的，通過(guò)Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉移集群的方法，結合人為干預設備的試驗，實(shí)現了風(fēng)廓線(xiàn)雷達系統的故障轉移功能，平均故障修復時(shí)間提高了95%。
- 關(guān)鍵字： 故障轉移集群 Hyper-V 風(fēng)廓線(xiàn)雷達 平均故障修復時(shí)間
半導體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進(jìn)展如何
- ASML宣稱(chēng)它的Q2收到4臺EUV訂單，預期明年EUV發(fā)貨達10臺以上。 EUV光刻設備一再延遲，而最新消息可能在2020年時(shí)能進(jìn)入量產(chǎn)，而非?？赡軕迷?nm節點(diǎn)。 業(yè)界預測未來(lái)在1znm的存儲器生產(chǎn)中可能會(huì )有2層或者以上層會(huì )采用它，及在最先進(jìn)制程節點(diǎn)(7 or 5nm)的邏輯器件生產(chǎn)中可能會(huì )有6-9層會(huì )使用它。 ASML計劃2018年時(shí)它的EUV設備的產(chǎn)能再擴大一倍達到年產(chǎn)24臺，每臺售價(jià)約1億美元，目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺，正在作各種測試。 半導體顧問(wèn)公司的分析師Ro
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重回摩爾定律兩大武器... EUV＋三五族 成大勢所趨
- 英特爾在14奈米及10奈米制程推進(jìn)出現延遲，已影響到處理器推出時(shí)程，也讓業(yè)界及市場(chǎng)質(zhì)疑：摩爾定律是否已達極限?不過(guò)，英特爾仍積極尋求在7奈米時(shí)代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV)，以及開(kāi)始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導體材料。 摩爾定律能否持續走下去，主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來(lái)愈高。目前包括英特爾、臺積電、三星等大廠(chǎng)，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤式微影(immersionlitho
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EUV微影技術(shù)準備好了嗎？
- 又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時(shí)刻了?？v觀(guān)整個(gè)半導體發(fā)展藍圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現的挑戰。 到了下一代的10nm節點(diǎn)，降低每電晶體成本將會(huì )變得十分棘手。更具挑戰性的是在7nm節點(diǎn)時(shí)導入EUV微影。更進(jìn)一步來(lái)看，當擴展到超越5nm節點(diǎn)時(shí)可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。 目前最迫在眉睫的是中期挑戰。如果長(cháng)久以來(lái)一直延遲的EUV微影系統未能在2017年早期就緒的話(huà)，7nm制程將會(huì )成為一個(gè)昂貴的半節點(diǎn)。 不過(guò)，研究人
- 關(guān)鍵字： EUV SanDisk
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對hyper-na euv的理解，并與今后在此搜索hyper-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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