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gan.功率元件
gan.功率元件 文章 進(jìn)入gan.功率元件技術(shù)社區
貿澤即日起供應Qorvo旗下Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品
- 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權分銷(xiāo)商，貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品均可在貿澤官網(wǎng)上在線(xiàn)訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng )新解決方案制造商，致力于實(shí)現一個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
- 關(guān)鍵字： MMIC GaN
學(xué)習采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設計最先進(jìn)的人工智能、機械人、無(wú)人機、 全自動(dòng)駕駛汽車(chē)及高音質(zhì)音頻系統
- EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個(gè)視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場(chǎng)效應晶體管及集成電路的各種先進(jìn)應用，包括面向人工智能的高功率密度運算應用，面向機械人、無(wú)人機及車(chē)載應用的激光雷達系統，以及Ｄ類(lèi)放音頻放大器。宜普電源轉換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個(gè)視頻主要分享實(shí)用范例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術(shù)設計面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進(jìn)?DC/DC轉換器?、
- 關(guān)鍵字： GaN 音頻放大器
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤開(kāi)售，支持高密度電源轉換設計
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動(dòng)器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實(shí)現更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類(lèi)電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
- 關(guān)鍵字： GaN UVLO
氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設計
- 在所有電力電子應用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅動(dòng)。隨著(zhù)基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠(chǎng)用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
- 關(guān)鍵字： LDN GaN
馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導者TRANSPHORM Inc.
- 領(lǐng)先的汽車(chē)供應商MARELLI近日宣布與美國一家專(zhuān)注于重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰略合作。通過(guò)此協(xié)議，MARELLI將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車(chē)輛領(lǐng)域OBC車(chē)載充電器、DC-DC 轉換器和動(dòng)力總成逆變器開(kāi)發(fā)的尖端技術(shù)，進(jìn)一步完善MARELLI在整體新能源汽車(chē)技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導者，提供高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車(chē)行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動(dòng)系統業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： OBC GaN
Qorvo推出業(yè)內最高性能的寬帶 GaN 功率放大器
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專(zhuān)為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統設計人員帶來(lái)提高系統性能和可靠性所需的靈活性，同時(shí)減少了元件數量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： GaN 功率放大器
Nexperia與Ricardo合作開(kāi)發(fā)基于GaN的EV逆變器設計
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布與知名汽車(chē)工程咨詢(xún)公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)拓撲。在汽車(chē)領(lǐng)域，這意味著(zhù)車(chē)輛行駛里程更長(cháng)，而這正是所有電動(dòng)汽車(chē)消費者最關(guān)心的問(wèn)題?，F在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN EV逆變器
Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、電信設備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
CISSOID與國芯科技簽署戰略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“國芯科技”）簽署了戰略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用。近年來(lái)，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車(chē)、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類(lèi)應用中
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN
Cree積極擴廠(chǎng)開(kāi)發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀(guān)察
- 全球SiC晶圓市場(chǎng)規模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠(chǎng)Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進(jìn)自動(dòng)化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠(chǎng)與1座材料超級工廠(chǎng)(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進(jìn)磊晶技術(shù)進(jìn)一步應用于功率及射頻元件中。
- 關(guān)鍵字： Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術(shù)
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術(shù)
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動(dòng)和穩健的器件保護。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數量。從歷來(lái)經(jīng)驗來(lái)看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權衡，但德州儀器正通過(guò)所有這些優(yōu)勢實(shí)現設計，同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復雜集成來(lái)節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 600V氮化鎵（GaN）功率器件
MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )建設
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡(jiǎn)稱(chēng)“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠(chǎng)150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?！ ‰S著(zhù)全球推出5G網(wǎng)絡(luò )并轉向大規模MIMO(M-MIMO)天線(xiàn)配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預計
- 關(guān)鍵字： MACOM GaN
MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實(shí)現領(lǐng)先的設計敏捷性
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過(guò)優(yōu)化改良，適用于陸地移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電系統(LMR)、無(wú)線(xiàn)公共安全通信以及軍事戰術(shù)通信和電子對抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan.功率元件的理解，并與今后在此搜索gan.功率元件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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