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gan.功率元件 文章 進(jìn)入gan.功率元件技術(shù)社區
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內首款80V半橋GaN FET模塊
- 近日，德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無(wú)引線(xiàn) (QFN) 封裝內的一個(gè)高頻驅動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。 TI高壓電源
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì )所向披靡嗎？
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會(huì )這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應用都表現出色!帥呆了! 至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
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電源系統設計的無(wú)風(fēng)險路徑(上)
- 摘要：現在，高性能電源系統已經(jīng)有了長(cháng)足進(jìn)展，設計人員正在使用多個(gè)輸入電壓，驅動(dòng)種類(lèi)繁多應用的多路電壓軌。為了確保PoL穩壓器盡可能靠近負載的需求，設計人員需要在一個(gè)非常小的范圍實(shí)現大量功率轉換功能。與此同時(shí)，企業(yè)資源正趨于擴展到工程師，常常是由多面手，而不是電源專(zhuān)家來(lái)負責設計電源系統。因此，當今復雜的電源要求可能令設計人員非常頭痛：如何利用不同資源為多樣化的負載提供高性能電源，從而保證架構的所有部分都在其功率和散熱范圍內運行，同時(shí)還可優(yōu)化效率和成本目標。 工程師如何充分利用現在可用的高性能構建模
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強化功率元件戰力 MCU廠(chǎng)猛攻直流變頻馬達
- 微控制器(MCU)廠(chǎng)商正積極補強功率半導體元件戰力，強攻直流變頻馬達市場(chǎng)。無(wú)論是直流無(wú)刷馬達(BLDC)或永磁同步馬達(PMSM)，其與交流感應馬達最大的不同之處，就在于變頻電路的設計，因此MCU廠(chǎng)為了直攻變頻馬達市場(chǎng)，除了提升MCU的控制性能之外，亦戮力強化與MCU搭配的功率元件戰力。 德州儀器(TI)馬達事業(yè)部現場(chǎng)應用工程師劉俊男表示，歐盟在2015年時(shí)預計將7.5千瓦(kW)以上之馬達最低能效標準(MEPS)提升至IE3，到2017年時(shí)，才將IE3管制范圍向下探至0.75kW以上，從這
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導入Cascode結構 GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場(chǎng)效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
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英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
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新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開(kāi)發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan.功率元件的理解，并與今后在此搜索gan.功率元件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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